GB T 14048.12-2006 低压开关设备和控制设备 第4-3部分 接触器和电动机起动器 非电动机负载用 交流半导体控制器和接触器.pdf

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1、!CS 29.130.20 K 32 中华人民共和国国家标准G/T 14048. 12-2006jIEC 60947-4-3: 1999 低压开关设备和控制设备第4-3部分:接触器和电动机起动器非电动机负载用交流半导体控制器和接触器Low-voltage switchgear and controlgear Part 中3: Contactors and motor-starters一AC semiconductor controllers and contactors for non-motor loads CIEC 60947-4-3: 1999 , IDT) 2006-09-14发布20

2、07嗣04-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检茂总局也古中国国家标准化管理委员会战叩GB/T 14048. 12-2006/IEC 60947-4-3: 1999 目次前言. . . . . . . . . . . . . ._. . . . . . . I . . . . . . . . . . . t . . . . . . . . . . . . . 1 I范围-2 规范性引用文件. 3 术语和定义4 分类. 5 交流半导体控制器和接触器的特性I . 8 6产品的资料., . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .、. . . ., . .

3、. . . . . . . . . . . . . . . . . ., . . . . . 13 7 正常工作、安装和运输条件I . . . . . . . . . . . . . 14 8 结构和性能要求. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . o . 14 9 过:l!命.，. 23 附录A(规范性附录)附录B(资料性附录)接线端子的标志和识别. . . . 35 控制器和接触器的典型使用条件附录C空白. . . . . I , . . . . . 38 辐射发射试验的要求. . . . . . . . . . . . . . . . . 38 附录

4、DC规范性附录)附录E(资料性附录)附录F(资料性附录)附录G(资料性附录)附录H(资料性附录将GB4824-2004中辐射发射极限值转换为发射功率等效值的方法39操作能力. . . . . 控制电路的配置举例., 0. .10 ,. . . . . . . . . 40 由用户和制造厂协议的条款项目. . . . . . . . . . . . . . . 42 G/T 14048. 12-2006/IEC 60947-4-3: 1999 目。吕本部分等同采用IEC60947-4-3: 1999(低压开关设备和控制设备第4-3部分:接触器和电动机起动器非电动机负载用交流半导体控制器和接触器)

5、c以下简称IEC勺，并补充说明如下:1) 条款1，IEC原文中为本部分不适用于:交流电动机的持续控制，本部分负载类型为非电动机负载，因此此处存在矛盾，经与IEC17B分技术委员会有关专家沟通后，决定删除此句即删除交流电动机的持续控制;2) 条款3.1. 14.4. 3中，为了容易理解，将对定义点转换的解释改为即3.1. 14. 4. 1所述的定义点转换能力;3) 条款5.3. 1和5.3.2，IEC原文中为控制器应规定以下，为表述全面，改为控制器或接触器应规定以下. 4) 条款5.4.1第一句话，IEC原文中为对于特定的半导体接触器，本部分改为对于特定的半导体控制器或接触器;5) 表3注1，I

6、EC原文中为CXI)2X T及XI，根据表中的内容将其改为CXI.)2X Tx及Xle;的条款5.8，IEC原文中为.SCPD为控制器在短路电流出现时. . . ，改为SCPD为控制器和接触器在短路电流出现时;7) 表6中的注a，原文中为U/U可以为任意值，考虑到该注的内容，改为U，/U.可以为任意值;8) 条款9.3. 3. 4. 1中3)c)，IEC原文为对于混合半导体控制器和起动器，根据本部分所涉及的内容，改为对于1昆合半导体控制器和接触器气9) 条款9.3. 3. 6. 1中7)b)，IEC原文为若L1nO.05，总的试验时间小于8h，且试验结果(表11中的a)和b)未出现异常，则重复

7、上述步骤370 若.6，0.05，总的试验时间大于8h或试验结果非正常，则结束试验，本试验不合格。若.6n王三0.05，总的试验时间小于8h旦试验结果未出现异常，则结束试验，本试验合格。表门热稳定性试验规程试验细节水平说明试验目的验证在8h时间内按顺序进行连接的相同操作循环之间的温度变化减少至5%以内试验持续时间进行试验直至，1n:S;0.05或达到8h后,1n = (Cn-Cn1-An十An-l)/CCn-1) 试验条件表5、EUT温度Cn，壳体温度温度测量传感器紧靠半导体开关电器的外表团(见9.3. 3. 3中的，监测预计是最热的半导体开关电器周围空气温度An任意方便的值温度测量传感穰监测

8、周围空气温度的变化(GB14048. 1-2006中8. 3. 3. 3. 1适用)试验结果a) 8 h内:LlnO.05 b) 无可见的损坏现象(如冒烟、变色a进行试验的电器，即试品。表12初始壳体温度的规定操作循环次数初始壳体温度C 1 不低于40C. 2 制造厂推荐的与控制器或接触器配套使用的过电流保护装置进行第一个操作循环后能够复位的最高温度3和4二注40C加上进行温升试验时(见9.3.3.3)的最高壳体温升9.3.3.6.2 过载能力试验程序28 1) 试验条件时按表6，试验曲线见图F.2ob) 当控制器和接触器除带有全导通状态时提供过载保护的过电流保护装置外，还带有电流型控制关断电

9、器时，应带有此关断电器一起进行试验。进行本试验时，允许此关断电器在少于规定的通电时间时使试品处于截止状态。2) 试品的调整a) 试品的调整应当使达到试验电流水平的时间最短。b) 试品带有限流功能时，对应规定的Ie将X设置为最大值。GB/T 14048. 12-2006jIEC 60947-4-3: 1999 3) 试验a) 建立初始条件。b) 施加试验电压至试品主电路输人端。(对于型式HxA，串联机械开关电器的触头应闭合。对于型式HxB，串联机械开关电器应断开。)试验电压应在试验过程中持续施加。c) 将试品切换至导通状态。d) 导通时间见表6)之后，将试品切换至截止状态。注:对于型式HxB.截

10、止状态应为断开状态。e) 重复步骤c)和d)两次。结束试验。的验证性能指标见9.3.3.6.4)a) 不丧失转换能力。b) 不丧失关断能力。c) 不丧失功能。d) 无可见的损坏现象。9.3.3.6.3 关断和转接能力试验试验规程见表7，试验曲线见国F.30对型式HxA，试验过程中串联机械开关电器的触头应处于闭合状态。对型式HxB，串联机械开关电器的触头的动作应能完成试验循环。但对于每一极的电压测量，串联触头应闭合且半导体开关电器处于截止状态。制造厂应对特定功能的试品提供必要的说明，以满足电压测量的要求。1) 试品应和正常使用时一样安装和连接，试品和试验负载之间的接线长度不超过10mo 2) 试

11、验过程中对试品持续施如电1liu.和电压队。控制电压Uc断开。3) 测量试品每一极上的电压U并记录为矶。的通过控制电压Uc实现表7规定的导通状态和截止状态的循环操作，如果控制器不按规定工作或出现损坏现象，终止试验，认为试验不合格。5) 进行规定次数的操作循环之后，接通民断开队，重复步骤们的电压测量，并将这些读数记录为对应初始值U。的终止值(UF)。6) 试验结果的判定计算每一极上电压变化值1b.u=(UF一Uo)/Uo试验结果合格的依据见表709.3.3.6.4 半导体控制器在操作性能试验过程中的性能和试后状态a) 转换能力如果半导体器件不能正常进行转换，早期故障表现为性能的下降，在此状态下继

12、续工作就会出现热击穿，最终结果将是过热和失去关断性能。b) 热稳定性承受快速操作循环的半导体器件可能得不到适当的冷却，初始效应为可能导致失去关断性能的热击穿。c) 关断性能关断性能是指关断并保持在截止状态的能力。过度的热效应会降低关断性能，故障形态表现为部分或全部失控。29 GB/T 14048. 12一2006/IEC60947-4-3: 1999 d) 功能某些故障形态在开始时并不是很严重，这些故障表现为逐渐丧失其功能，早期检测和调整可以避免永久损坏。的目测过度高温热效应最终导致永久损坏，可见的损坏现象(冒烟或变色)是最终损坏的早期警告。9.3.4 短路条件下的性能本条款规定了验证符合8.

13、2. 5. 1规定要求的试验条件。9.3. 4. 1和9.3.4.3给出了有关试验程序、试验顺序、试后的设备状况、协调配合类型的要求。9. 3. 4. 1 短路试验的一般条件短路试验的一般条件如下z一-0操作:控制器或接到控制器或接触器于最小负载电流，将短路电流施加一一吧。操作:用于初始壳体幅度不GB 14048.1-9. 3. 4. 1. 2 验证除下述规定度为1.2m1.萄m注:这一较9. 3.4. 1. 3 GB 140 9. 3. 4. 1. 4 9.3.4.1.5 GB 14048.1 控制器或接2.4m的电缆(相如果SCPD与认为三相的试验9.3.4.1.7 空白9. 3. 4.

14、1. 8 试验报告说GB 14048. 1-2006中8.9.3.4.2 空白9.3.4.3 控制器和接触器的限制短路电流控制器或接触器及其相应的SCPD应进行9.3. 4. 3. 1规定的试验。试验在相应使用类别AC-51的最大的Ie和最大的u.的条件下进行。截面积为6mm2、长时可接至某一相。4 m)进行连接。若相同的半导体器件用于不同的额定值时，试验应在相应最高额定工作电流I.的条件下进行。在规定的电压下，采用独立的电掘进行控制。所用的SCPD应符合8.2. 5. 1的规定。如果SCPD是电流整定值可调的断路器，则对1型协调配合，应将断路器调整到最大整定值进行试验;对2型协调配合，应将断

15、路器调整到最大规定值进行试验。进行试验时，所有外壳的门均应像正常时一样关上，门或盖用提供的工具固紧。30 GB/T 14048. 12-2006jIEC 60947-4-3:1999 对于适用于某一范围负载额定值和配有可更换过电流保护装置的控制器或接触器，试验应在装有最大阻扰的过电流保护装置和装有最小阻挠的过电流保护装置及其相应的SCPD上进行。在Iq下对同一试品进行0或CO操作。9. 3. 4. 3. 1 额定限制短路电流Iq试验对电路进行调整使预期短路电流Iq等于额定限制短路电流。若SCPD为熔断器且试验电流在熔断器电流极限范围以内，如有可能，则熔断器应按能够允许的最大分断电流CIc)(根

16、据GB/T13539. 1一2002中图3)和最大允通电流12t选取。除直接接触器外，SCPD的一次分断操作应在接触器处于全导通状态且SCPD处于闭合位置时进行;短路电流由一独立的开关电器接通。对于直接接触器，SCPD的一9. 3. 4. 3. 2 空白9.3.4.3.3 试验结果的根据规定的协调配对两种配合类型a) 故障电流b) 外壳的许的;c) 导线e) f) 螺丝的功g) 在短与所提h) 用介电9.3.5 EMC试验件不应击续操作;预期电流1q试验合格。或固体连接未熔断;IP2X，则其变形是允触器或控制器允果容易分断(如用此熔焊触头，电器上验证其脱扣特性4. 1中的的规定。所有发射和抗扰

17、他部盛哗啦型式试验，且应在有代表性的工作原件和开境条件下进行试验。试验时采用制造厂推荐的接所有试验应在稳定条f母行蜷起出牌56b验应分别采用白炽灯和电容性负载。但如果电器可用于多种使现类别，试验可仅在相应于Ay剧的负载条件下进行。如果电器不用于AC-5l使用类别，应按市j造厂和用芦嘛也跑蓝图拳脚阱宁试验。除进行谐披发射试验外，不需要使用照明电路或电容器负载。试验中选用负载的功率小于半导体控制的规定功率时，试验报告中应予以注明。对使用类别AC-51，应在额定工作电流和cos伊=1-0.05的条件下进行试验。对I.16A的电器，试验电流为Ie0对1.16A的电器，试验电流应由制造厂和用户协商确定，

18、但应大于16A，且应在试验报告中注明。试验无需在功率输出端口上进行。除非制造厂另有规定，接至试验负载的连接线长度应为3mo . 试验报告应给出有关试验的全部信息(如负载条件、电缆布置等。功能的描述和允许的参数极限值的精度由制造厂提供且应在试验报告中注明，试验报告中应包括为达到兼容性而采取的任何措施，例如使用屏蔽线或特殊电缆。为使设备符合抗干扰性及发射要求所必需的与控制器共同使用的辅助设备GB/T 14048. 12-2006/IEC 60947斗3:1999 也应包括在试验报告中，试验应在额定电跟电压Us和能够再现的方式下进行。型式4的控制器，其中的电力开关器件如半导体晶闸管，在某些或全部稳态

19、工作方式下并不是完全导通，其试验班在制造厂规定的最小导通条件下进行，该条件能够代表控制器获得最大发射点或敏感性点的工作条件。9.3.5. 1 EMC发射试验9. 3. 5. 1. 1 传导射频发射试验有关试验描述、试验方法和试验装置见GB4824一20040对某一功率范围的控制器，仅需对能够代表这一功率范围的最大功率值和最小功率值的两台试品进行试验。发射不应起过表14规定的水平。表14传导射频发射的接结端子骚扰电压极限值设备等级A B (网络形式(工业(公用)频率准峰值平均值准峰值平均值MHz dB(V) dB(V) dB(V) dB(V) 6656 5646 100 90 0.150. 5

20、(随频率的对数值降低)(随频率的对数值降低)0.5-5 86 76 56 46 90-70 80-60 530 (随频率的对数值降低)(随频率的对数值降低)60 50 a极限值符合GB4824-2004的组2。9. 3. 5. 1. 2 辐射射频发射试验有关试验描述、试验方法、试验装置见GB4824-2004，可与附录D规定的程序二者选一。注:在美国，功耗小子6nW的数字式电器不进行RF发射试验。对于不同功率范醋的控制器和接触器，仅需对一台有代表性的试品进行试验。发射不应超过表15规定的水平。表15辑射发射i式验极限值频带场强MHz 设备等级A设备等级B30-230 30 dB(V!m) 30

21、 dB(V!m) 30 m处准峰值10 m处准峰值230-1 000 37 dB(V!m) 37 dB(V!m) 30 m处准峰值10 m处准峰值a设备等级A试验允许在10m处进行，其极限值增大10dB。9.3.5.2 EMC抗扰性试验相同框架上某一范围内的控制器或接触器，其控制部分由相同形体的电子器件组成时，仅需在制造厂规定的一台有代表性的控制器或接触器上进行试验。9.3.5.2. 1 静电放电控制器和接触器应按GB/T17626.2-1998规定的方式进行试验。采用的电压等级为4kV接触放电或8kV空气放电电压，对每一选中的点施加10次正脉冲和10次负脉冲，每一相临的单个放电脉GB/T 1

22、4048. 12-2006/IEC 60947-4-3: 1999 冲间的时间间隔为1s，试验不需要在电力接线端子上进行，放电仅在正常使用时容易触及的点上施加。控制器应符合表10中性能判据2的规定。当控制器为开启式或为底盘单元或防护等级为IPOO时，不可能进行本试验。此时，制造厂应在设备上加标记以提示由于静电放电的可能造成的危险性。9.3.5.2.2 射频电磁场射频电磁场试验分成两种颇率范围:O. 15 MHz 80 MHz和80MHz 1 000 MHzo对于O. 15 MHz80 MHz的范围，试验方法见GB/T17626. 6一1998，试验水平为140dB(V)(水平川。频率由制造厂选

23、定且应在试验报告中注明，控制器或接触器应满足表10中性能判据10对于80MHz 1 000 MHz的范围，试验方法见GB/T17626. 3-1998，试验水平为10V/m，扫描频率范围为80MHzl OOOMHz，控制器或接触器应符合表10中性能判据1的规定。当控制器或接触器是作为被安装在特定目的的EMC金属外壳内的元件提供时，不需进行本试验。此时，制造厂应提供书面的提示或说明以便规定打开外壳时应采取的预防措施。9.3.5.2.3 快速瞬变(5/50ns) 控制器或接触器按GB/T17626.4-1998规定的方法进行、成验。通过糯合/去榈合网络的交流电力电掘端的试验水平为2.0kV/5.

24、0 kHzo试验电压施加1mino 用于连接导体的控制电路和辅助电路的接线端子，当其延伸超过3m时，应通过糯合夹在2.0kV / 5.0 kHz下进行试验。控制器或接触器应符合表10中性能判据2的规定。9.3.5.2.4 浪涌(1.2/50阳8/20阳)控制器或接触器应按GB/T17626. 5一1999规定的方法进行试验。电力端子的试验水平为线对地2kV和线对线1kVo 用于连接导体的控制电路和辅助电路的接线端子，当其延伸超过3m时，试验应在线对地2kV和线对线1kV下进行。试验不适用于保护电路。重复速率为每分钟1次，脉冲数目为5正5负。控制器或接触器应符合表10中性能判据2的规定。当控制器

25、需要安装在缺少保护的条件下运行时，如按GB/T17626.5-1999的安装等级4或5下运行时，用户应予以注明。此时试验水平为线对地4kV和线对钱2kVo 9.3.5.2.5 谐波和转酶缺口在考虑中。9.3.5.2.6 电压瞬时跌落和短时申断采用GB/T17626.11-1999规定的试验方法验证是否特合试验A的要求。验证试验B和C的方法在考虑中。应符合表16规定的指标。裴16电压瞬时跌珞和短时中断试验试验水平持续时间性能判据% UT A 。5000 ms 3 B 40 100 ms 在考虑中C 70 半波在考虑中a其中UT表示相应的U，和/或U33 GB/T 14048. 12-2006/I

26、EC 60947-4甸3:1999 9.3.6 常规试验和抽样试验常规民验是在装配过程中或装配后对每一台控制器或接触器进行的试验，以验证是否符合规定的要求。9. 3. 6. 1 一般要求常规试验或抽样试验应在与9.1. 2对应的型式试验相同或等效的条件下进行。9.3.6.2的验证动作范围试验可在常瘟下及单独的过电流保护装置上进行，但可能需要对常温条件下进行校正。9. 3. 6.2 动作和动作范围8. 2. 1. 5规定的相应试验允、于本部分中规定的值)。9. 3. 6. 3 介电性能验证无需使用金属锢，试，介电性能的验证允、1) 冲击耐受电GB 14048. 2) 工颇耐受GB 14048.

27、3) 冲击耐受上述1)和9.4 特殊试验ur: 9.4. 1 空白ICL 34 自力试验进行验证，需要进行2个操的峰值为善和事中的较大者。G/T 14048. 12-2006/IEC 60947斗3:1999 附录A规范性附录)接结端子的标志和识别A. 1 总则接线端子识别的目的是提供关A.2 控制器和接触器接结端子的其他接线端子的位置或其他用途。A A. 2. 1 主电路接结端子的标主电路接线端子应由单A. 2. 2 控制A. 2. 2. 1 控制电在考虑中UA. 2. 2. 2 控制电在考虑中。A. 2.3 辅助电路辅助电路接线一一个位数是功一-十位数是序下列例子说明这种A. 2. 3.

28、1 功能数器和接触子的标志接结端子在电路中用功能数1、2表示分断触头，功能数3、4表示接通触头。注:关于接通触头和分断触头的定义且GB14048. 1-2006中2.3.12和2.3.13，例如:.1止平二. 3 I .4 -才一一注z上例图中的点代表序列数，比位置应加上相应的适用的数字。35 GB/T 14048. 12-2006/IEC 60947-4-3: 1999 带转换触头元件电路的接线端子的功能数用l、2和4标志。.1 功能数5和6(对分断触头)、7和8(对接通触头)表示辅助电路中具有特殊功能的辅助触头的接线端子。例如:一一一f J 闭合延时接通触头闭合延时分断触头具有特殊功能的转

29、换触头元件电路的接线端子，应用功能数5、6和8标志。例如z们u棚4-4m A. 2. 3. 2 序列数属于同一触头元件的接线端子应用相同的序列数标志。所有具有相同功能的触头元件应有不同的序列数。当制造厂提供的信息清楚地给出了这种序列数时，允许在接线端子上省去序列数。例如:L二J/i王立工斗/34旷主四触头元件iL-lf14 i斗十-0旦36 飞j一三触头元件36 GjT 14048. 12-2006jIEC 60947斗-3:1999 附录B(资料性附录)控制器和接触器的典型使用条件.1 耐热元件的控制a) 简单的接通与分断的接触器功能。过零点通断的单极半导体控制器或接触器(型式5控制器可以使

30、得接通瞬间时间最短CAC-51)。b) 对于绕线式电阻器元件，接通电流可能会高达1.4倍的额定电流。通过逐渐增大端子电压的斜坡上升接通热元件可以将机械应力和电器应力减到最小。c) 耐热元件的负载控制可以通过调整负载接线端子的电压(电压控制)和导通与截止时间的比值(全导通开关)或这二者的结合。负载控制可以通过从负载到比较电路或装置的反馈信号获得，反馈信号决定了操作周期和(或)半导体控制器的输出电压。该比较器或控制装置可以是在半导体控制器内部合为一体或仅用于产生通断信号(例如型式5控制器，半导体接触器)。.2 放电灯的通断控制a) 在通常的接通阶段，没有功率因数修正的荧光灯或两个灯前后连接的情况，

31、会出现预热电流，该电流值在短时间内会达到额定电流的两倍CAC-55a)。对于并联补偿的荧光灯，会产生20倍于电容器额定电流的瞬态泪流CA巳56b)。对于带电子镇流器单元的荧光灯，在短时间内可能会产生10倍于荧光灯额定电流的涌流。b) 高压水银蒸汽和金属卤化灯(有或没有功率因数修正)在有串联感应器时是通过镇流器单元接通，对于金属卤化灯还需要点火装置的帮助。在接通后的最初3min5 min且其达到额定电流下正常工作状态之前，会出现一个感应电流，比电流可能达到灯的额定电流的2倍，半导体接触器所具有的过电流特性允许此电流的存在CAC-55的。c) 高压制蒸汽灯没有功率因数修正)在其达到正常工作状态之前

32、的5min10 min，会出现约为其额定电流1.72.2倍的感应电流，半导体接触器所具有的过电流特性允许此电流的存在CAC-55a)。d) 具有功率因数修正的高压水银蒸汽灯、金属卤化灯和铀蒸汽灯，会产生高的瞬态电容性涌流，这一点在选择半导体接触器时应加以考虑。. 3 自炽灯的通断半导体接触器可用于自炽灯电流的通断，但常伴随着高的瞬态通断电流(AC-55b)。白炽灯的灯丝短路会造成巨大的过电流流过串联开关电器，这种情况属于短路。半导体接触器和短路保护电器(SCPD，可能与灯合为一体)的协调配合见8.2. 50 B.4 变压器的通断由于与变压器接通有关的高瞬态涌流与导通角密切相关，因此具有在指定点

33、通断及特殊的斜坡上升通断功能的半导体接触器可优化变压器负载的通断(搜捕限制)。B.5 电容器组的通断暂态接通电流的幅值和频率不仅与负载的电容有关，还与电路和电帽、线的电抗以及导通角有关。GB/T 14048. 12-2006/IEC 60947-4-3: 1999 对于电容器组(例如功率因数修正系统)，电容器使电路中出现了一个附加的能掘，并可以通过低感导线和开关设备(例如半导体接触器对开关电容性负载放电。在选择开关电器CAC-56b)时应考虑这些高涌捕的因素。另外，应加强对过电压(电容器电压与电掘电压之差)的住意。附录C空白D.2 掘的一个周期或多个到丁载。负载馈电电掘的将电能由一种型式转换叫

34、时器接触角-日接通制式和和导控型中电制剧器对与种录主控即制中率一附一一控期频另本一一1周披为且半基成D. 2. 1. 1 全导在全导通状高吹谐披存在，所D.2.1.2 相位控控制器主电路内所需要的能量。切换的切换能量很小且产生RF一一产生RF发射的能一一不需要进行主电路的D.2.2 控制和辅助电路对于控制和辅助电路，以下规则适用:它们会被认为与主电路是分离的。按GB4343. 1-2003关于类似电器的规定，经验证明，对于控制器，骚扰能量主要由连接到控制器的外部端子进行辐射。因此，本部分中控制器的骚扰能力定义为提供到这些端子上的高频功率。产生或在工作时带有正弦技的电路，当其所包含的最高基披频率

35、是30MHz或超过此值时，应进行试验口在连接到控制电路或辅助电路端子的线路中处于30MHz及以上任何频率时，没有功率超过18 nW (设备等级A)或2.0nW(设备等级盼的器件时，不需要进行试验(见附录E)。口阳被形为正弦时没有非导通状态或反之时量等于或接近零;由于与额定电流值Ie元关;38 G/T 14048. 12-2006/IEC 60947-4-3: 1999 附录E(资料性附录)将GB4824-2004申辐射发封极限值转换为发射功率等鼓值的方法根据众所周知和证实的包括Lorentz相互作用理论，达到GB4824-2004规定的场强所必需的发射功率PT可由下式求得:式中:PT一一发射功

36、率，W;E一一电磁场场强，v，G一一天线增益d一一发射至当d=30m , 当d=10m , 由此可以发射场强即分别h 一据发射器时，辐射控制电压U的一般曲线试验电流曲线圄卫1热稳定性试验曲结39 GB/T 14048. 12-2006/IEC 60947斗3:1999 C 预热(当需要时温升的一般曲线hAP 寸,.-, .-町-XI. 预热(当简要时试验电流曲线UcI 预热1. 1U. 飞，L儿G. 1 外部控制电器(ECD)G. 1. 1 ECD的定义当需要时)I I复位控制电压U.的曲线预热(当需要时主电路试验电压Vr曲线圄F.2过载能力试验曲钱控制电压U曲线负载电压翩线固F.3关断和转换

37、能力试验曲蜡附录G资料性附录控制电醋的配置举例用于对控制器产生控制功能的外部元件。40 飞G. 1. 2 ECD的固示G. 1.3 ECD的参数一-Rjl内部电阻;ECD 一/一同一乌1内部泄漏阻抗。一注:当ECD为机械按钮时，Rj通常忽略而Zj通常认为。G.2 控制电路的构成G. 2.1 带有外部控制电源的控制器G.2. 1. 1 单一电谦和控制输入电器lG.2.1.2 分离的电源和控制输入电器2U, 飞 ，、h u: .,_ a在断开状态G. 2. 2 带有内部控制电掘和仅带一个控制输入的控制器，、电器3U,. 自也在断开状态GBjT 14048. 12-2006jIEC 60947-4-

38、3: 1999 或ECD 一.-一同ECD 一_.一同ECD 一_.-同电源电压U 1 士1l 41 GB/T 14048. 12-2006/IEC 60947斗3:1999 附录自(资料性附录)由用户和制造广协议的条款项目注z就本附录而言:一一协议被广义地使用;一用户包括试验站。GB 14048. 1-2006中附录J适用，本所示。广一一-本部分的条款及分条款号5.3.4.6注5. 4 5. 6 7.1.1注7.1.2注8.2.4. 1 表78.3.1 8. 3. 3. 1 8. 3. 3. 3 9. 3. 1注1和注29. 3. 3. 6. 3 9.3.5 9.3.5.2 9.3.5.2.

39、2 42 制造厂和用户协商的项目条款如下表的要求求制造厂提供)82的I寸lh寸mo国CON-NF.叮OZH阁。华人民共和国家标准低压开关设备和控制设备第4-3部分:接触器和电动机起动器非电动机负载用交流半导体控制器和接触器GB/T 14048. 12一2006/IEC60947-4唰3:1999国申9号中国标准出版社出版发行北京复兴门外三旦河北街16号师政编码:100045 网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销+夺印张3字数90千字2007年3月第一次印刷开本880X12301/16 2007年3月第一版定价32.00元争夺书号:155066 1-28982 如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533GB/T 14048.12-2006