GB T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法.pdf

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1、ICS 77.040.01 H 17 道昌中华人民共和国国家标准GB/T 8760-2006 代替GB/T8760一1988呻化镣单晶位错密度的测量方法Gallium arsenide single crystal-Determination of dislocation density 061214000168 2006-07-18发布2006-11-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检茂总局也士中国国家标准化管理委员会c10000，选用视场面积S注0.001cm2。7.2 选取测量点7.2. 1 对于D形单晶片，测量点选取位置如图6所示。w 注1:其中W为试样宽度，当W注30mm时，取

2、1=5mm; 当W晶向单晶片，测量点位置如图7所示。在010J和110J两个晶向的直径上，以试样直径D的1/10为间距取测量点(除去1/10边界区域)。7.2.3 对于圆形的晶向单晶片，测量点位置如图8所示。7.3 记录用显微镜在选取的测量点观察晶片表面。根据试样晶向，参照图1、图2和图3所示的位错腐蚀坑特征图样识别位错坑，记录视场内位错腐蚀坑的数目。视场边界上的位错腐蚀坑，其面积必须有一半以上在视场内才予以计数。不符合特征的坑、平底坑或其他形状的图形不计数。如果发现视场内污染点或其他不确定形状的图形很多，应考虑重新制样。3 GB/T 8760-2006 注. 0 表示测量点图7圆形8 计算8

3、. 1 D形晶片平均位错密式中:Ni一一第zC一一显微S一一视场8.2 圆形的晶向单晶oO) 回平均位错密度Nd按公式旱式中:符号意义与式(2)中相同。9 误差凡=fzm3n+ 1 本标准规定的测量方法的相对误差小于士35%。10 测量报告测试报告应包括以下内容:4 丑2)A lO) . ( 3 ) GB/T 8760-2006 a) 样品编号;b) 单晶片形状(形或圆形); c) 晶向;d) 视场面积;e) 腐蚀剂;f) 腐蚀时间pg) 样品图形(须图示出位错密度特别高处、晶粒间界或其他晶体不完整性的位置和分布hh) 测量点及腐蚀坑数对照表;i) 平均位错密度(个/cm2); j) 测量者pk) 测量时间;1) 其他。5 CON-ohH阁。华人民共和国家标准呻化镰单晶位错密度的测量方法GB/T 8760-2006 国中 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销4峰印张O.75 字数10千字2006年11月第一次印刷开本880X1230 1/16 2006年11月第一版争定价10.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533书号:155066 1-28140 GB/T 8760-2006