GB T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法.pdf
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1、ICS 77.040.01 H 17 GB 中华人民共和国国家标准GB/T 8757-2006 代替GB/T8757-1988 呻化嫁中载流子浓度等离子共振测量方法Determination of carrier concentration in gallium arsenide by the plasma resonance minimum 2006-07-18发布中华人民共和国国家质量监督检验检菇总局中国国家标准化管理委员尹2006-11-01实施GB/T 8757-2006 前言本标准是对GB/T8757 1988 (呻化嫁中载流子浓度等离子共振测量方法的修订。本标准与GB/T8757
2、1988相比主要有以下变动:原标准表述仪器要求使用了波数表示法,为了和其他条款的表述一致,改为波长表示法;一一原标准规定,为测定仪器的波长精度和重复性,要测量聚苯乙烯膜的吸收带10次。但未规定是按固定周期还是在每次测量前做这项工作,也没有规定如果在这10次测量结果中出现一次或几次不符合要求时应如何处理,不便于实际操作。修改后规定为每次打开仪器按仪器说明书的要求预热一定时间后,在正式测量前进行一次测量聚苯乙烯膜的吸收带的校准;原标准5.1式中的常数c对于碑化嫁材料总是为零,故在表达式中取消。本标准自实施之日起代替GB/T8757 1988。本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由全国有色金属标
3、准化技术委员会归口。本标准起草单位:北京有色金属研究总院。本标准主要起草人:王彤涵。本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:-GB/T 8757 19880 I 1 范围呻化镣中载流子浓度等离子共振测量方法本标准适用于掺杂呻化嫁单晶中载流子浓度的测量。测量范围tn-GaAs 1. 0X1017 cm-31.0X1019 cm p-GaAs 2.0 X 1018 cml. OX 1020 cm寸2 原理GBjT 8757-2006 在红外光谱区域,重掺杂半导体材料的反射率为波长的函数,材料的载流子浓度和反射光谱的等离子体共振极小值波长具有对应关系,测量
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