DB32 T 4027-2021 石墨烯粉体电导率测定 动态四探针法.pdf
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1、 ICS 17.040.20 CCS Q 53 DB32 DB32/T 4027-2021 石墨烯粉体电导率测定 动态四探针法 Determination of electrical conductivity of graphene powder Dynamic four point probe method 2021- 05 - 14 发布 2021 - 06 - 14 实施 江苏省市场监督管理局 发布 江 苏省 地 方 标 准 DB32/T 4027-2021 I 前 言 本文件按照 GB/T 1.1 2020标准化工作导则 第 1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定 起草。 本文件由江
2、苏省石墨烯 标准化技术委员会 提出并 归口 。 本文件起草单位:江南石墨烯研究院、江苏江南烯元石墨烯 科技有限公司、国成仪器(常州)有限 公司、中国科学院大连化学物理研究所、常州检验检测标准认证研究院、常州大学、常州第六元素科技 有限公司。 本文件主要起草人:张 小敏 、董国材、姜鹏、周志峰、陈智栋、梁枫、唐润礼。 DB32/T 4027-2021 1 石墨烯粉体电导率 的 测定 动态四探针 法 1 范围 本 文件 规定了 利用四探针动态测定石墨烯粉体电导率的方法。 本文件 适用于 氧化还原法和化学插层剥离法等方法制备的压实后电导率无宏观各向异性的石墨烯 粉体的电导率测 定 。 2 规范性引用
3、文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件, 仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本 文件。 GB/T 30544.13 纳米 技术 术语 第 13部分:石墨烯及相关二维材料 GB/T 31838.2 固体绝缘材料 介电和电阻特性 第 2部分:电阻特性( DC方法) 体积电阻和体积电 阻率 JJG 508 四 探针电阻率测试仪检定规程 SJ/T 10315 四探针探头通用技术条件 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 石墨烯 graphene 由一个碳原子与周围三个近邻碳原子结合形成蜂
4、窝状结构的碳原子单层。 注 1: 它是 许多碳纳米 物体 的重要 构建单元 。 注 2: 由于石墨烯 仅有一 层, 因此通常被称为单层石墨烯。 石墨烯缩写为 1LG,以便区别于缩写为 2LG 的双层石墨烯 和缩写为 FLG 的少层石墨烯。 注 3: 石墨烯有边界,并且在碳 -碳键遭到破坏的地方有缺陷和晶界。 来源 :GB/T 30544.13 2018, 定义 3.1.2.1 体积 电阻率 electrical resistivity; 在给定的时间及电压下,直流电场强度与材料内部电流密度之比。 注 1: 在实际中,体积电阻率通常被视为单位体积内的体积电阻。 注 2: 体积电阻率的单位用 m
5、表示。实际上由于石墨烯粉体电阻率较小,可使用 cm。 来源 :GB/T 31838.2-2019,定义 3.2 DB32/T 4027-2021 2 3.1 粉体 电导率 powder conductivity; 粉体 被 压实后的体积电阻率的倒数。 3.2 四探针法 four point probe method 使用分离的载流和电压传感电极对测量薄膜方块电阻、阻抗 或导电性的方法。 注: 此法快速、可复位并有局域性。 来源 :GB/T 30544.13 2018, 定义 3.3.3.1 3.3 动态四探针 法 dynamic four point probe method 利用四探针法原位
6、测定石墨烯粉体电导率的方法。 4 原理 将 石墨烯粉体 填装至样品槽中(见图 1),通过对加压板逐步施加压力,使样品槽内石墨烯粉体与 含四探针探头的上电极 接触并逐渐被压紧,在 T1、 T4两处探针间施加电流强度,则 T2、 T3探针间产生电 位差。通过动态四探针法,测试不同压强下的方块电阻,分别利用公式( 1)和公式( 2)计算得到不同 压强下的电阻率和电导率,再利用公式( 3)计算不同压强下的石墨烯压实密度。最后得到电导率对压 实密度的关系曲线(见图 2)。 图 1 动态四探针法测定石墨烯粉体电导率的示意图 1 T1、 T4两根探针之间 施加 电流 强度 ; 2 T2、 T3探针间产生的电
7、位差; 3 等间距排列的 四探针 探头 ; 4 含四探针探头的上电极 ; 5 样品槽 ; 6 石墨烯粉 体 ; 7 加压板。 ( ) ( ) DB32/T 4027-2021 3 式中: 石墨烯粉 体 的电阻率; h 石墨烯粉 体 受压下的高度; 样品槽直径; T 四探针相邻两针的间距; C 探针间距修正系数; ( ) 高度修正系数; ( ) 形状位置修正系数; U T2、 T3探针间产生的电位差 ; I T1、 T4两根探针之间通入 的 电流 强度 。 式中: 石墨烯粉体的电导率; 石墨烯粉体的电阻率。 式中: d 不同压强下的石墨烯的 压实 密度 ; m 投样质量 ; V 不同压强下被压实
8、的石墨烯的体积; A 被压实的石墨烯块的横截 面积; h 不同压强下的石墨烯的厚度。 0 .0 0 .2 0 .4 0 .6 0 .8 1 .0 0 20 40 60 80 100 120 140 电导率 ( S /c m ) 压实密度 ( g /cm 3 ) 图 2 石墨烯粉体电导率 -压实 密度 的关系示例图 5 材料和试剂 乙醇:分析纯。 其他:玻璃培养皿、尖头镊子、无尘布、无尘纸、称量纸 、样品 勺 。 6 仪器设备 DB32/T 4027-2021 4 动态 四探针仪: 包埋四探针探头的材料为绝缘材料; 加压 板 接触样品端为绝缘材料;样品槽内衬为绝缘 材料。可测电 导 率范围为 0
9、.01S/cm 10000S/cm; 相对分辨率不低于量程的 1%。可施加最大压强不 低 于 30 Mpa。 烘箱: 最高 工作温度大于 150 ,控温精度为 5 。 分析天平:准确度为 0.1 mg。 7 电阻率测试 7.1 环境要求 室内温度为 25 1 ,湿度不高于 65%RH。 7.2 操作要求 整个实验过程需穿实验服并佩戴手套和口罩,防止吸入石墨烯粉体。 7.3 样品前处理 将粉体置于烘箱内 105 干燥 2 h,之后转移至干燥器内自然冷却,备用。 7.4 测试步骤 测试前对设备进行 零位 校准,使压强零位在 0.1 MPa,高度零位在 0.05 mm 范围内。 称重样品槽,记为 。
10、 用称量纸称取一定质量的石墨烯粉体,将粉 体 缓慢的填充到样品槽内 ,应确保粉体无局部堆积 , 且 均匀、 平坦的填充于样品槽内 。 称重,记为 。 和 的差值 为投样质量。 将载有石墨烯粉 体 的样品槽放置于 动态 四探针仪上的加压部位,然后对样品进行加压,从起始压强开始 每隔一定压强记录样品厚度 h、 电导率 、 电阻率 ,保存原始测量数据。 测量数据点不少于 10 个 ;每 个数据点的保压时间为 10 s; 最大压强不低于 30MPa,且最大压强下的 样品厚度应大于 0.2 mm。若样 品厚度小于 0.2 mm,则舍弃该数据,然后按该要求,加大投样质量并重新进行测量 。 样品测完后,取下
11、样品槽退出样品,清理 样品 槽内 腔 和 测试头 表面残留的 样品 。 将空样品槽放置于动态 四探针仪的加压部位 进行空跑测试,监控高度零位。若高度零位超出 0.05 mm,舍去 上述测试 数据, 按 7.4.1 7.4.5 要求 , 重新校准设备 并 测量。 按照 7.4.2 7.4.5 步骤 进行下一次投样测试。每个样品取 2 3 个不同质量进行测试,保存 原始测量 数 据。 按照 7.4.2 7.4.5 步骤,测试不同制备方法的石墨烯粉体的电导率。 8 结果 计算 按照公式( 1)计算不同压强下的电阻率,按照公式( 2)计算出相应的电导率,按照公式( 3) 计算 可 得到对应压强下的 压
12、实 密度。 对同一 被测 样品的 至少 2 个 3 个不同质量,做电导率 -压实 密度曲线 (见图 3)。 DB32/T 4027-2021 5 0 .0 0 .2 0 .4 0 .6 0 .8 1 .0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 电导率 ( S /c m ) 压实密度 ( g /cm 3 ) 0 . 0 5 5 9 g 0 . 0 3 8 7 g 0 . 0 2 5 9 g 图 3 同一石墨烯粉体不同质量下的电导率 -压实 密度 曲线示例图 对不同制备方法的石墨烯粉体的至少 2 个 3 个不同质量,做电导率 -压实密度曲线(见 图 4)。 a) 氧化还原法石
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