2013年普通高等学校招生全国统一考试(福建卷)物理及答案解析.docx
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1、2013年普通高等学校招生全国统一考试(福建卷)物理一、选择题1.(3分)设太阳质量为M,某行星绕太阳公转周期为T,轨道可视作半径为r的圆。已知万有引力常量为G,则描述该行星运动的上述物理量满足( )A.B. C.D.解析:太阳对行星的万有引力提供行星圆周运动的向心力即由此可得:答案:A. 2.(3分)一束由红、紫两色光组成的复色光,从空气斜射向玻璃三棱镜。下面四幅图中能正确表示该复色光经三棱镜分离成两束单色光的是( )A.B.C. D.解析:A、复色光进入三棱镜左侧面时发生了第一次,由于红光与紫光的折射率不同,则折射角应不同。故A错误。 B、红光的折射率小于紫光的折射率,经过两次折射后,紫光
2、的偏折角大于红光的偏折。故B正确。C、光线从从空气射入介质折射时,入射角大于折射角,而图中入射角小于折射角,而且两种色光的折射角不同。故C错误。D、光线从从空气射入介质折射时,入射角大于折射角,而图中入射角小于折射角,故D错误。答案:B.3.(3分)如图,实验室一台手摇交流发电机,内阻r=1.0,外接R=9.0的电阻。闭合开关S,当发电机转子以某一转速匀速转动时,产生的电动势e=10 sin10t(V),则( ) A.该交变电流的频率为10HzB.该电动势的有效值为10 VC.外接电阻R所消耗的电功率为10WD.电路中理想交流电流表A的示数为1.0A解析;A、交流电的频率f= =5Hz,A错误
3、;B、该电动势的最大值为,B错误;C、D电压有效值为10V,电路中电流为I= =1A,外接电阻R所消耗的电功率为P=I2R=9W,C错误D正确;答案:D.4.(3分)如图,t=0时刻,波源在坐标原点从平衡位置沿y轴正方向开始振动,振动周期为0.4s, 在同一均匀介质中形成沿x轴正、负两方向传播的简谐横波。下图中能够正确表示t=0.6时波形的图是( )A.B. C. D.解析:由题,该波的周期为T=0.4s,则时间t=0.6s=1.5T,向左和向右分别形成1.5个波长的波形。由于波源在坐标原点从平衡位置沿y轴正方向开始振动,则t=0.6时的振动方向沿y轴负方向,故C正确。答案:C.5.(3分)在
4、国际单位制(简称SI)中,力学和电学的基本单位有:m(米)、kg(千克)、s(秒)、A(安培)。导出单位V(伏特)用上述基本单位可表示为( )A.m2kgs 4A1B.m2kgs3A1C.m2kgs2A1D.m2kgs1A1解析:根据U=,q=It得,U=,功的单位1J=1Nm=1kgm2/s2,则=1m2kgs 3A1。故B正确,A、C、D错误。答案:B.6.(3分)如图,矩形闭合线框在匀强磁场上方,由不同高度静止释放,用t1、t2分别表示线框ab边和cd边刚进入磁场的时刻。线框下落过程形状不变,ab边始终保持与磁场水平边界OO平行,线框平面与磁场方向垂直。设OO下方磁场区域足够大,不计空气
5、影响,则下列哪一个图象不可能反映线框下落过程中速度v随时间t变化的规律( ) A.B.C. D.解析:A、线框先做自由落体运动,ab边进入磁场做减速运动,加速度应该是逐渐减小,而A图象中的加速度逐渐增大。故A错误。B、线框先做自由落体运动,ab边进入磁场后做减速运动,因为重力小于安培力,当加速度减小到零做匀速直线运动,cd边进入磁场做匀加速直线运动,加速度为g。故B正确。C、线框先做自由落体运动,ab边进入磁场后因为重力大于安培力,做加速度减小的加速运动,cd边离开磁场做匀加速直线运动,加速度为g,故C正确。D、线框先做自由落体运动,ab边进入磁场后因为重力等于安培力,做匀速直线运动,cd边离
6、开磁场做匀加速直线运动,加速度为g,故D正确。答案:A.二、解答题 7.(6分)在“探究恒力做功与动能改变的关系”实验中(装置如图甲):下列说法哪一项是正确的_(填选项前字母)A.平衡摩擦力时必须将钩码通过细线挂在小车上B.为减小系统误差,应使钩码质量远大于小车质量C.实验时,应使小车靠近打点计时器由静止释放图乙是实验中获得的一条纸带的一部分,选取O、A、B、C计数点,已知打点计时器使用的交流电频率为50Hz,则打B点时小车的瞬时速度大小为_m/s(保留三位有效数字)。 解析:A、平衡摩擦力时要将纸带、打点计时器、小车等连接好,但不要通电和挂钩码,故A错误;B、为减小系统误差,应使钩码质量远小
7、于小车质量,使系统的加速度较小,避免钩码失重的影响,故B错误;C、实验时,应使小车靠近打点计时器由静止释放,故C正确;答案:C;B为AC时间段的中间时刻,根据匀变速运动规律得,平均速度等于中间时刻的瞬时速度,故:vB= = m/s=0.653m/s答案:C0.653。 8.(12分)硅光电池在无光照时不产生电能,可视为一电子元件。某实验小组设计如图甲电路,给硅光电池加反向电压(硅光电池负极接高电势点,正极接低电势点),探究其在无光照时的反向伏安特性。图中电压表的V1量程选用3V,内阻为6.0k;电压表V2量程选用15V,内阻约为30k;R0为保护电阻;直流电源电动势E约为12V,内阻不计。根据
8、图甲,用笔画线代替导线,将图乙连接成完整电路。用遮光罩罩住硅光电池,闭合开关S,调节变阻器R,读出电压表V 1、V2的示教U1、U2。()某次测量时,电压表V1示数如图丙,则U1=_V,可算出通过硅光电他的反向电流大小为_mA(保留两位小数)。()该小组测出大量数据,筛选出下表所示的9组U1、U2数据,算出相应的硅光电池两端反向电压UX和通过反向电流IX(表中“”表示反向),并在坐标纸上建立IxUx坐标系,标出了与表中前5组Ux、ix数据对应的5个坐标点。请你标出余下的4个坐标点,并绘出IxUx图线。1 2 3 4 5 6 7 8 9U1/V 0.00 0.00 0.06 0.12 0.24
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