DB61 T 511-2011 太阳电池用单晶硅棒检验规则.pdf
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1、ICS 27.160 F 12 DB61 陕西省 地方标准 DB 61/ T 511 2011 太阳电池用单晶硅棒检验规则 2011 - 04 - 20发布 2011 - 05 - 01实施 陕西省质量技术监督局 发布 DB61/ T 511 2011 I 前 言 本标准 参考 GB/T 12962 2005硅单晶 , 结合 国内外光伏产业 现状 及 发展趋势制 定 。 本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。 本标准由 陕西省工业和信息化厅 归口。 本标准由 陕西电子信息集团有限公司 、 陕西电子信息集团西京电子科技有限公司、中电投西安太阳 能电 力有限公司 、 西安隆基硅材料股份有限公司、陕
2、西华山半导体材料有限责任公司共同负责起草。 本标准主要起草人 :牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、张旭、孙武、吕喜臣、赵可武、 张超。 本标准由 陕西省工业和信息化厅 负责解释。 本标准为首次发布。 DB61/ T 511 2011 1 太阳电池用单晶硅棒检验规则 1 范围 本标准规定了 太阳电池用单晶硅棒 的技术要求、试验方法和 检验规则 等 。 本标准适用于太阳电池用单晶硅棒的检验 。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件, 其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 15
3、50 非本征半导体材料导电类型 测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测 定方法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1554 硅 晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12963 硅 多晶 SEMI MF 1535 2007 微波反射 无接触光电导衰退测量硅片 载流子复合寿命 测试 方法 3 术语和定义 下列 术语和定义适用于本 文件 。
4、3.1 单晶硅圆棒 mono-crystalline silicon round-stick 未经 任何 机械加工的原始单晶硅棒 。 3.2 单晶硅方棒 mono-crystalline silicon square-stick 单晶硅圆棒按照一定规格尺寸经过 切断、切方、滚圆 加工后的方锭 。 4 技术要求 4.1 原材料 产品用原材料应符合 GB/T 12963的规定。 DB61/ T 511 2011 2 4.2 外观要求 4.2.1 单晶硅圆棒 单晶硅 圆棒表面应光滑 , 无缺口、裂纹、划痕 。 4.2.2 单晶硅方棒 单晶硅方棒 断面 应无刀痕、 无 长度和宽度超过 5 mm、深度超
5、过 1.5 mm的 缺口。 4.3 外形尺寸 4.3.1 单晶硅圆棒 单晶硅圆棒的长度由供需双方协商,直径 及偏差 见表 1。 表 1 单晶硅圆棒直径及偏差 规 格 6 6.5 8 直径及偏差 /mm 153 5 168 5 203 5 0 0 0 注: 直径及其偏差如有特殊要求,由供需双方协商确定。 4.3.2 单晶硅方棒 单晶硅方棒的断面物理尺寸应符合图 1、表 2的 规定 。 图 1 单晶硅方棒的断面物理尺寸 表 2 单晶硅方棒的断面物理尺 寸(字母 对应 图 1所示 ) 单位为毫米 规 格 A(边长) B(标称直径) C(弦长) a D(倒角投影) a E(相邻面垂直度) 断面几何垂直
6、度 6 125 0.3 150 0.3 82.9 1 21.05 1 90 0.3 90 0.5 6.5 125 0.3 165 0.3 107.7 1 8.66 1 8 156 0.3 200 0.3 125.1 1 15.43 1 注 1: 标称直经是指单晶硅方棒的直径。 注 2: 直径及其偏差如有特殊要求,由供需双方协商确定。 a 为参考尺寸 DB61/ T 511 2011 3 4.4 电性能 单晶硅棒导 电类型、晶向及偏离度、电阻率、径向电阻率变化、少数载流子寿命 的要求应符合 表 3。 表 3 单晶硅棒电性能参数 导电类型 晶向及偏离度 电阻率 /( cm) 径向电阻率变化 /%
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