1、ICS 27.160 F 12 DB61 陕西省 地方标准 DB 61/ T 511 2011 太阳电池用单晶硅棒检验规则 2011 - 04 - 20发布 2011 - 05 - 01实施 陕西省质量技术监督局 发布 DB61/ T 511 2011 I 前 言 本标准 参考 GB/T 12962 2005硅单晶 ， 结合 国内外光伏产业 现状 及 发展趋势制 定 。 本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。 本标准由 陕西省工业和信息化厅 归口。 本标准由 陕西电子信息集团有限公司 、 陕西电子信息集团西京电子科技有限公司、中电投西安太阳 能电 力有限公司 、 西安隆基硅材料股份有限公司、陕
2、西华山半导体材料有限责任公司共同负责起草。 本标准主要起草人 ：牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、张旭、孙武、吕喜臣、赵可武、 张超。 本标准由 陕西省工业和信息化厅 负责解释。 本标准为首次发布。 DB61/ T 511 2011 1 太阳电池用单晶硅棒检验规则 1 范围 本标准规定了 太阳电池用单晶硅棒 的技术要求、试验方法和 检验规则 等 。 本标准适用于太阳电池用单晶硅棒的检验 。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件， 其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 15
3、50 非本征半导体材料导电类型 测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测 定方法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1554 硅 晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12963 硅 多晶 SEMI MF 1535 2007 微波反射 无接触光电导衰退测量硅片 载流子复合寿命 测试 方法 3 术语和定义 下列 术语和定义适用于本 文件 。
4、3.1 单晶硅圆棒 mono-crystalline silicon round-stick 未经 任何 机械加工的原始单晶硅棒 。 3.2 单晶硅方棒 mono-crystalline silicon square-stick 单晶硅圆棒按照一定规格尺寸经过 切断、切方、滚圆 加工后的方锭 。 4 技术要求 4.1 原材料 产品用原材料应符合 GB/T 12963的规定。 DB61/ T 511 2011 2 4.2 外观要求 4.2.1 单晶硅圆棒 单晶硅 圆棒表面应光滑 ， 无缺口、裂纹、划痕 。 4.2.2 单晶硅方棒 单晶硅方棒 断面 应无刀痕、 无 长度和宽度超过 5 mm、深度超
5、过 1.5 mm的 缺口。 4.3 外形尺寸 4.3.1 单晶硅圆棒 单晶硅圆棒的长度由供需双方协商，直径 及偏差 见表 1。 表 1 单晶硅圆棒直径及偏差 规 格 6 6.5 8 直径及偏差 /mm 153 5 168 5 203 5 0 0 0 注： 直径及其偏差如有特殊要求，由供需双方协商确定。 4.3.2 单晶硅方棒 单晶硅方棒的断面物理尺寸应符合图 1、表 2的 规定 。 图 1 单晶硅方棒的断面物理尺寸 表 2 单晶硅方棒的断面物理尺 寸（字母 对应 图 1所示 ） 单位为毫米 规 格 A（边长） B（标称直径） C（弦长） a D（倒角投影） a E（相邻面垂直度） 断面几何垂直
6、度 6 125 0.3 150 0.3 82.9 1 21.05 1 90 0.3 90 0.5 6.5 125 0.3 165 0.3 107.7 1 8.66 1 8 156 0.3 200 0.3 125.1 1 15.43 1 注 1： 标称直经是指单晶硅方棒的直径。 注 2： 直径及其偏差如有特殊要求，由供需双方协商确定。 a 为参考尺寸 DB61/ T 511 2011 3 4.4 电性能 单晶硅棒导 电类型、晶向及偏离度、电阻率、径向电阻率变化、少数载流子寿命 的要求应符合 表 3。 表 3 单晶硅棒电性能参数 导电类型 晶向及偏离度 电阻率 /（ cm） 径向电阻率变化 /%
7、少数载流子寿命 / s P 1 一档 二档 15 5 0.5 1 1 3 N 1 1.5 20 20 50 100 注： 本表中少数载流子寿命值是未经过钝化的测试值。 4.5 晶体完整性 单晶硅棒 晶体 完整性是 由晶体位错密度指标所反应，其位错密度应不大于 3000个 /平方厘米 。 4.6 氧含量 单晶硅棒的氧含量应不大于 1.2 1018 atom/cm3。 4.7 碳含量 单晶硅棒的碳含量应不大于 5 1016 atom/cm3。 5 试验方法 5.1 原材料 单晶硅棒原材料测试 按 GB/T 12963规定的方法进行 。 5.2 外观要求 单晶硅棒的 外观目测，断面 的缺口 用游标卡
8、尺（ 精度 0.1 mm） 测 量 。 5.3 外形尺寸 长度 、 直径、边长 及 弦长用游标卡尺 （ 精度 0.1 mm） 测量 ，相邻 面垂直度用直角尺或标准角度模板 测量。 5.4 导电类型 单晶硅棒的导电类型测试 按 GB/T 1550中 热探针法 热电势导电类型测试方法 进行 。 5.5 晶向及 偏离度 单晶 硅 棒 的晶向及偏离度测试按 GB/T 1555中 X射线衍射法定向法 进行 。 5.6 电阻率 单晶硅棒的电阻率测试 按 GB/T 1551中直排四探针法 进行 。 5.7 径向电阻率变化 DB61/ T 511 2011 4 单晶硅棒的 径向电阻率变化 测试 按 GB/T
9、11073规定的方法进行 。 5.8 少数载流子寿命 单晶硅棒的 少数载流子寿命 测试 按 GB/T 1553中高频光电导衰减法或 按照 SEMI MF 1535 2007规定 的方法进行 。 5.9 晶体完整性 单晶硅棒的 晶体 完整性测试按 GB/T 1554规定的方法进行 。 5.10 氧含量 单晶硅棒的氧含量测试按 GB/T 1557规定的方法进行 。 5.11 碳含量 单晶硅棒的碳含量测试按 GB/T 1558规定的方法进行 。 6 检验规则 6.1 组批 单晶硅 棒 以批的形式提交验收，每批应由同一牌号， 相同规格的单晶硅圆棒或方棒组成 。 6.2 抽样 检验批数量 大于 10，
10、样本应抽取检验批的 20%， 5根 9根抽取 2个样本， 5根以下抽取 1个样本 。 取样 位置 按照以下 规定： a) 检验单晶的少数载流子寿命，应在单晶硅圆棒的尾部切取 试样 ； b) 检验单晶的氧含量，应在 单晶硅圆棒 的头部切取试样 ； c) 检验单晶的碳含量，应在 单晶硅圆棒 的尾部切取试样 ； d) 检验单晶的其 它 参数，可在 单晶硅圆棒 的任意一端切 取 试样。 6.3 出厂检验 出厂检验项 目包括外观要求、外形尺寸、导电类型、电阻率、径向电阻率变化、少数载流子寿命 （见 表 4） 。 产品经生产企业质检部门检验合格，并签发合格证后方可出厂。 6.4 型式检验 型式检验包括本标
11、准规定的全部检验项目（见表 4），型式检验每年应 进行 1次。有下列情况之一时， 亦应进行型式检验： a) 新产品投产鉴定或鉴定新产品转厂生产时； b) 正式生产后，如结构、材料、工艺及关键设备有较大改变，可能影响产品性能时； c) 停产 半年 以上恢复生产时； d) 供需双方发生产品质量争议需要仲裁 时； e) 国家质量监督部门或主管部门提出型式检验要求时 。 DB61/ T 511 2011 5 表 4 检验项目 序号 试 验项目 型式检验 出厂检验 技术要求 试验方法 1 外观要求 4.2 5.2 2 外形尺寸 4.3 5.3 3 导电类型 4.4 5.4 4 晶向及偏离度 5.5 5
12、电阻率 5.6 6 径向电阻率变化 5.7 7 少数载流子寿命 5.8 8 晶体完整性 4.5 5.9 9 氧含量 4.6 5.10 10 碳含量 4.7 5.11 注： 为必检项目；为选检项目。 6.5 判定规则 6.5.1 出厂检 验的必检项目必须全部合格，则该批产品合格，判出厂检验合格；否则出厂检验不合格， 产品不能交付。 6.5.2 型式检验外观要求、外形尺寸、电阻率 3项实行全检，若有 1项不合格，则该单晶硅棒不合格。 抽去不合格的单晶硅棒后，余下的单晶硅棒参加抽样检验的其他项目。 6.5.3 除去外观要求、外形尺寸、电阻率 3项全检项目外，对抽取 4个试样的，有 3个试样不合格， 则该批产品不合格 ； 抽取 3个试样的，有 1个试样不合格，则该批产品不合格，针对不合格产品，查明 原因，采取纠正措施后重新进行型式检验 。 _
