SJ T 10086-1991 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT54H183／CT74H183型,双进位保留全加器.PDF

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1、L -i中华人民共和国电子工业行业标准SJ/T 1004210048-91SJ/T 10078.10086-91电子元器件详细规范半导体集成电路TTL电路(一)1991一04-08发布1991一07-01实施中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范半导体集成电路CT54H183/CT74H183型双进位保留全加器S.l/r 10086-91Detail specification for electronic componentsSemiconductor integrated circuitCT54H183/CT74H183 dual carry-sa

2、ve full adders一本规范规定了半导体集成电路CT54H183/CT74H183型双进位保留全加器质盈评定的全部内容。本标准符合GB 4589. 1半导体器件分立器件和集成电路总规范和GB/T 12750半导体集成电路分规范(不包括混合电路)的要求。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施219SJ/T 10086-91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的依据GB 4589. 1半导体器件分立器件和r集成电路总规范一GB/T 12750半导体集成电路分规范一(不包括混合电路)SJ/T 10086-912简要说明双极型运算器半导体材料:硅封装:

3、空封、非空封逻辑图、功能表:见本规范第H章。品种:找0-70C(C)一55-125C(M)陶瓷直插(D)CT54H183MD黑瓷直插(J)CT74H183CJCT54H183MJ塑料直插(P)CT74H183CP七1 142 1313 124 115 106 97a多层陶瓷扁平(F)CT54H183MF3质量评定类别.，Q A,，B,，C一220一s,/T 10086-91a极限值(绝对最大颇定值)若无其他规定，适用于全工作温度范围。条款号参数符号数值单位最小最大4.1工作环境温度54T,.6一551257404.2贮存温度Ta,g一651504.3电源电压V+7V4.4输入电压V,5.5v4

4、.5多发射极晶体管输入端间的电压V5.5一一一一电工作条件和电特性电特性的检验要求见本规范第8章。电工作条件若无其他规定，适用于全工作温度范围。条款号参数符号数值最小最大5.1.1电源电压54V+4.55.5744. 755.255.1.2输入商电平电压V川25.1.3输入低电平电压V10.8一5.1.4输出高电平电流lox一一5.1.5输出低电平电流1-205.2电特性若无其他规定，适用于全工作温度范围。条款号特性和条件，规范值符号单位试5:,最小最大5.2.1输出高电平电压V-=最小V。二2VVu.=0.8V l-=一1.AV。2. 45.2.2输出低电平电压Vc。二最小VI。二2VV,=

5、0.8V l0,=20mAVII,一221s.VT 10086-91续表条款号特性和条件，符号规范值单位试验最小最大5.2.3输入钳位电压V-二最小1,二一8.AV,.一一15VA35.2.4输入高电平电流Vc。二最大V,=2.4VI u,150pAA35.2.5输入低电平电流Vc。二最大Vu=。4V1u一6mAA35.2.6一豪大输入电压下的输入电流Vcc=最大V-5. 5v111mAA35.2.7输出短路电流V。二最大人一40一100.AA35.2.8电源电流V+-最大输出端开路输入端接地测1“.输入端接4. 5V测1-541-69mAA3Ia.6574I-751-655.2.9传输时间Q

6、=25PF 2:二280f1了6=25CV。=5Vt.,日15nSA4t-.18注1) V。为最小或最大.按本规范第5.1.1条.6标志器件上的标志示例:口口认证合格标表适用Rt器蔚CT74HI13CP8916口A型号质月评定类别检脸批识别代网若受器件尺寸限制时.允许将“检验批识别代码，、“质量评定类别”标在器件背面。7订货资料若无其他规定，订购器件至少需要下列资料:一222一SJ/T10086一91产品型号;详细规范编号质量评定类别其他。a.b.c.d.8试验亲件和检验要求抽样要求:根据采用的质量评定类别，参照GB/T12750第9章的有关规定。A组检验的抽样要求分组AQL.类互类ILAQI

7、IlAQLA1 null一，一卫0.65A2一皿0lA3泣0.15皿015A3二一1.0S41.0A3“一 一5410一54一S41.0B组、C组和D组检验的抽样要求分组IrPI)五类l类ABCB115151515C120202020CZbl5l51515C315l5一B4C4l0l0101OBSCS101010l0C62020112020C7151515l5BSCSl0a7l0C9l55715Cll2020一一120B2120101015lC2320五产，l520C242010l520O810一5710223SJ/T 10086-91A组逐批全部试验均为非破坏性的(见GB 4589. 1第3

8、.6.6条)检验或试验引用标准条件若无其他规定.T.mb-25C(见GB 4589.1第4.1条)检验要求规范值Al分组外部目检GB 4589. 1.4.2.1.1条标志清晰，表面无损伤和气孔A2分组25下的功能验证按本规范5，2.1条、5.2. 2条和11.3条按本规范5. 2. 1条、5.2.2条和11.3条A3分组25下的静态特性GB 3439半导体集成电路TTL电路测试方法的墓本原理按本规范5. 2.1条至5. 2. 8条和10.1条按本规范5. 2. 1条至5.2.8条A3a分组最高工作温度下的静态特性一GB 3439T.mb按本规范4. 1条规定的最大值.条件:同A3分组同A3分组

9、人3b分组最低工作温度下的静态特性GB 3439Temb按本规范4. 1条规定的最小值。条件:同A3分组同A3分组A4分组25下的动态特性GB 3439按本规范5.2. 9条按本规范S.2.9条B组逐批标有(D)的试验是破坏性的(见GB 4589. 1第3.6. 6条)检验或试验引用标准条件若无其他规定.T.mb=25C(见GB 4589. 1第4.1条)检验要求规范值B1分组尺寸GB 4589. 1.4.2.2条及附录B一ll按本规范第1章B4分组可焊性GB 4590半导体集成电路机械和气候试验方法2. 5条按方法b(槽焊法)按2. S. 6条一224一SJ/T 10086-91B组逐批(续

10、)检验或试脸引用标准条件若无其他规定，7b=25 *C(见GB 4589.1第4.1条)检验要求规范值B5分组沮度快速交化a.空封器件随后进行:电侧t密封:细检汤粗检漪b.非空封和环暇封的空封器件随后进行:外部目检称态泣热电侧tGB 4590,3.1条GB 4590,3. 11条或3.12条GB 4590.3.13条GB 4590.3.1条GB 4589.1.4. 2. 1. 1条GB 4590.3. 7条温度按本规范第4.2条规定循环次数10次t, = 5min同人2、人3分组恢复2h按规定按规定温度按本规范第4.2条规定循环次数:30次t二5min按规定严格度A时间:24h同A2,A3分组

11、同A乙A3分组同A1分组同人2、A3分组B8分组电耐久性(168h)最后侧t(同A2,A3和A4分组)GB 4590.4.7条7;.b按本规范4.1条规定的最大值.其他按本规范10.3条同A2,A3和A4分组同A2,A3和A4分组B21分组高压燕汽(D)(非空封器件)最后侧t(同A2和A3分组)GB 4590,4.5条严格度C时间:2411同A2和A3分组同A2和A3分组CRRL分组就B4,B5,B8和B21分组提供计数检查结果。C组周期标有(D)的试验是破坏性的(见GB 4589. 1第3. 6. 6条)检脸或试脸引用标准条件若无其他规定，Temb=25C(见GB 4589. 1第4.1条)

12、检验要求规范值C1分组尺寸GB 4589.1,4.2.2条及附录B按本规范第1章225SJ/T 10086-91C组周期(续)226sUT 10086-91C组周期(续)检验或试验引用标准条件若无其他规定，Tsmb=25C(见GB 4589. 1第4.1条)检验要求规范值C8分组电耐久性(1000h)最后测t(同B8分组)GB 4590,4.7条同B8分组同B8分组同B8分组C9分组商温贮存最后测奋(同B8分组)GB 4590,3.3条温度按7二。(max)时间:1000h同B8分组同B8分组CIl分组标志耐久性GB 4590,4. 3条按方法2,溶液,A型按GB 4590.4. 3. 2条C

13、23分组抗溶性(D)(非空封器件)GB 4590.4.4条按GB 4590.4. 4. 2条按GB 4590.4. 4. 2条C24分组易燎性(D)(非空封器件)GB 4590,4.1条按GB 4590,4.1.2条按GB 4590,4.1.2条CRRL分组就C2b,C3,C4,C5,CG,C7,C8,C9.C11,C23和C24分组提供计数检查结果.注:1)连续三次通过后，周期可放宽为一年一次.9 D组D组检验应在鉴定批准之后立即开始进行，其后每年进行一次检验或试验弓I用标准条件若无其他规定.7;mb=25C( T. GB 4589. 1第4.1备)检验要求规范值D8分组电耐久性(D)GB

14、4590第4. 7条最后侧t(同B8分组).类:20001,.类:30001,其他同B8分组同B8分组同BS分组附加资料静态特性的测量nUlll月月227SJ/T 10086-9110.210.210.2静态特性的测童按GB 3439半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理.动态特性的测量1动态特性的测量按GB 3439,2负载线路性目试点290Q-甲!1F10.3电耐久性试验线路V.二3V f，二l00kHz f,=50kHz f,二25kHz V二二5V R二28011了伙丁vcc228s7/T 10086-91型号说明1逻辑符号11I9ICI.Co,2A28zC t,Co.11.211

15、.3逻辑图(1/2)co功能表输入输出Ch A BF CO-一书一229SJ /r 10086-9111.4引出端符号名称引出端符号名称1A,1B,2A,2B运算输入湍1CI,2CI进位输入端1C0.+, , 2C0.+,进位输出端1F,2F和输出端230SJ/T 10086-91附录A筛选(补充件).类器件:生产厂自行规定筛选条件。，类器件:筛选项目和条件如下:等级A等级B等级C.|日习|!|一|习检一弘|一一1一一1一1!量品万16:!懂品目胭组格二匕咧组书.犯电尔合一化卯静电分冶部45t条渝L3不一恨条浦.垢门环州叭化A除一一妇?耐一化A除内北侧剖同驯二老肥妇踢勿同圳一一L|J一一一内部GB 45904.6条目检高温稳定GB 45903.3条150C: .4811一。度快速变了“GB 4590“sjt一65C-150C 110次L-F-=一一稳态加速度”GB 45902.10条密封”GB 45903.12条和3.13条老化前电测量同A3分组剔除不合格品注:1)不适用于非空封器件.231S.I /r 10086-91附加说明:本标准由全国集成电路标准化分技术委员会提出。本标准由北京八七八厂负责起草。本标准主要起草人孙人杰。232