IEC 60749-19-2003 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19 Die shear strength test《半导体器件.机械和气候试验方法.第19部分 模剪切强度试验》.pdf

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1、NORMEINTERNATIONALECEIIECINTERNATIONALSTANDARD60749-19Premire ditionFirst edition2003-02Dispositifs semiconducteurs Mthodes dessais mcaniques et climatiques Partie 19:Rsistance de la pastille au cisaillementSemiconductor devices Mechanical and climatic test methods Part 19:Die shear strengthNumro de

2、 rfrenceReference numberCEI/IEC 60749-19:2003Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-Numrotation des publicationsDepuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEIso

3、nt numrotes partir de 60000. Ainsi, la CEI 34-1devient la CEI 60034-1.Editions consolidesLes versions consolides de certaines publications de laCEI incorporant les amendements sont disponibles. Parexemple, les numros ddition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquentrespectivement la publication de base, la publicat

4、ion debase incorporant lamendement 1, et la publication debase incorporant les amendements 1 et 2.Informations supplmentairessur les publications de la CEILe contenu technique des publications de la CEI estconstamment revu par la CEI afin quil reflte ltatactuel de la technique. Des renseignements re

5、latifs cette publication, y compris sa validit, sont dispo-nibles dans le Catalogue des publications de la CEI(voir ci-dessous) en plus des nouvelles ditions,amendements et corrigenda. Des informations sur lessujets ltude et lavancement des travaux entreprispar le comit dtudes qui a labor cette publ

6、ication,ainsi que la liste des publications parues, sontgalement disponibles par lintermdiaire de: Site web de la CEI (www.iec.ch) Catalogue des publications de la CEILe catalogue en ligne sur le site web de la CEI(www.iec.ch/catlg-f.htm) vous permet de faire desrecherches en utilisant de nombreux c

7、ritres,comprenant des recherches textuelles, par comitdtudes ou date de publication. Des informationsen ligne sont galement disponibles sur lesnouvelles publications, les publications rempla-ces ou retires, ainsi que sur les corrigenda. IEC Just PublishedCe rsum des dernires publications parues(www.

8、iec.ch/JP.htm) est aussi disponible parcourrier lectronique. Veuillez prendre contactavec le Service client (voir ci-dessous) pour plusdinformations. Service clientsSi vous avez des questions au sujet de cettepublication ou avez besoin de renseignementssupplmentaires, prenez contact avec le Servicec

9、lients:Email: custserviec.chTl: +41 22 919 02 11Fax: +41 22 919 03 00Publication numberingAs from 1 January 1997 all IEC publications areissued with a designation in the 60000 series. Forexample, IEC 34-1 is now referred to as IEC 60034-1.Consolidated editionsThe IEC is now publishing consolidated v

10、ersions of itspublications. For example, edition numbers 1.0, 1.1and 1.2 refer, respectively, to the base publication,the base publication incorporating amendment 1 andthe base publication incorporating amendments 1and 2.Further information on IEC publicationsThe technical content of IEC publication

11、s is keptunder constant review by the IEC, thus ensuring thatthe content reflects current technology. Informationrelating to this publication, including its validity, isavailable in the IEC Catalogue of publications(see below) in addition to new editions, amendmentsand corrigenda. Information on the

12、 subjects underconsideration and work in progress undertaken by thetechnical committee which has prepared thispublication, as well as the list of publications issued,is also available from the following: IEC Web Site (www.iec.ch) Catalogue of IEC publicationsThe on-line catalogue on the IEC web site

13、(www.iec.ch/catlg-e.htm) enables you to searchby a variety of criteria including text searches,technical committees and date of publication. On-line information is also available on recentlyissued publications, withdrawn and replacedpublications, as well as corrigenda. IEC Just PublishedThis summary

14、 of recently issued publications(www.iec.ch/JP.htm) is also available by email.Please contact the Customer Service Centre (seebelow) for further information. Customer Service CentreIf you have any questions regarding thispublication or need further assistance, pleasecontact the Customer Service Cent

15、re:Email: custserviec.chTel: +41 22 919 02 11Fax: +41 22 919 03 00.Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-NORMEINTERNATIONALECEIIECINTERNATIONALSTANDARD60749-19Premire

16、ditionFirst edition2003-02Dispositifs semiconducteurs Mthodes dessais mcaniques et climatiques Partie 19:Rsistance de la pastille au cisaillementSemiconductor devices Mechanical and climatic test methods Part 19:Die shear strengthPour prix, voir catalogue en vigueurFor price, see current catalogue I

17、EC 2003 Droits de reproduction rservs Copyright - all rights reservedAucune partie de cette publication ne peut tre reproduite niutilise sous quelque forme que ce soit et par aucun procd,lectronique ou mcanique, y compris la photocopie et lesmicrofilms, sans laccord crit de lditeur.No part of this p

18、ublication may be reproduced or utilized in anyform or by any means, electronic or mechanical, includingphotocopying and microfilm, without permission in writing fromthe publisher.International Electrotechnical Commission, 3, rue de Varemb, PO Box 131, CH-1211 Geneva 20, SwitzerlandTelephone: +41 22

19、 919 02 11 Telefax: +41 22 919 03 00 E-mail: inmailiec.ch Web: www.iec.chCODE PRIXPRICE CODE FCommission Electrotechnique InternationaleInternational Electrotechnical Commission Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or

20、 networking permitted without license from IHS-,- 2 60749-19 CEI:2003COMMISSION LECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE_DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS MTHODES DESSAIS MCANIQUES ET CLIMATIQUES Partie 19: Rsistance de la pastilleau cisaillementAVANT-PROPOS1) La CEI (Commission Electrotechnique Internationale) est

21、 une organisation mondiale de normalisationcompose de lensemble des comits lectrotechniques nationaux (Comits nationaux de la CEI). La CEI apour objet de favoriser la coopration internationale pour toutes les questions de normalisation dans lesdomaines de llectricit et de llectronique. A cet effet,

22、la CEI, entre autres activits, publie des Normesinternationales. Leur laboration est confie des comits dtudes, aux travaux desquels tout Comit nationalintress par le sujet trait peut participer. Les organisations internationales, gouvernementales et nongouvernementales, en liaison avec la CEI, parti

23、cipent galement aux travaux. La CEI collabore troitementavec lOrganisation Internationale de Normalisation (ISO), selon des conditions fixes par accord entre lesdeux organisations.2) Les dcisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques reprsentent, dans la mesuredu possibl

24、e un accord international sur les sujets tudis, tant donn que les Comits nationaux intressssont reprsents dans chaque comit dtudes.3) Les documents produits se prsentent sous la forme de recommandations internationales. Ils sont publiscomme normes, spcifications techniques, rapports techniques ou gu

25、ides et agrs comme tels par lesComits nationaux.4) Dans le but dencourager lunification internationale, les Comits nationaux de la CEI sengagent appliquer defaon transparente, dans toute la mesure possible, les Normes internationales de la CEI dans leurs normesnationales et rgionales. Toute divergen

26、ce entre la norme de la CEI et la norme nationale ou rgionalecorrespondante doit tre indique en termes clairs dans cette dernire.5) La CEI na fix aucune procdure concernant le marquage comme indication dapprobation et sa responsabilitnest pas engage quand un matriel est dclar conforme lune de ses no

27、rmes.6) Lattention est attire sur le fait que certains des lments de la prsente Norme internationale peuvent fairelobjet de droits de proprit intellectuelle ou de droits analogues. La CEI ne saurait tre tenue pourresponsable de ne pas avoir identifi de tels droits de proprit et de ne pas avoir signa

28、l leur existence.La Norme internationale CEI 60749-19 a t tablie par le comit dtudes 47 de la CEI:Dispositifs semiconducteurs.Le texte de cette norme est issu des documents suivants:FDIS Rapport de vote47/1664/FDIS 47/1684/RVDLe rapport de vote indiqu dans le tableau ci-dessus donne toute informatio

29、n sur le vote ayantabouti lapprobation de cette norme.Cette publication a t rdige selon les directives ISO/CEI, Partie 2.Cette mthode dessais mcaniques et climatiques, relative lessai de rsistance de lapastille au cisaillement, est le rsultat de la rcriture complte de lessai contenu danslArticle 7,

30、Chapitre 2 de la CEI 60749.Le comit a dcid que le contenu de cette publication ne sera pas modifi avant 2007.A cette date, la publication sera reconduite; supprime; remplace par une dition rvise, ou amende.Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot

31、for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-60749-19 IEC:2003 3 INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION_SEMICONDUCTOR DEVICES MECHANICAL AND CLIMATIC TEST METHODS Part 19: Die shear strengthFOREWORD1) The IEC (International Electrotechnical Commission) is a worldwi

32、de organization for standardization comprisingall national electrotechnical committees (IEC National Committees). The object of the IEC is to promoteinternational co-operation on all questions concerning standardization in the electrical and electronic fields. Tothis end and in addition to other act

33、ivities, the IEC publishes International Standards. Their preparation isentrusted to technical committees; any IEC National Committee interested in the subject dealt with mayparticipate in this preparatory work. International, governmental and non-governmental organizations liaisingwith the IEC also

34、 participate in this preparation. The IEC collaborates closely with the InternationalOrganization for Standardization (ISO) in accordance with conditions determined by agreement between thetwo organizations.2) The formal decisions or agreements of the IEC on technical matters express, as nearly as p

35、ossible, aninternational consensus of opinion on the relevant subjects since each technical committee has representationfrom all interested National Committees.3) The documents produced have the form of recommendations for international use and are published in the formof standards, technical specif

36、ications, technical reports or guides and they are accepted by the NationalCommittees in that sense.4) In order to promote international unification, IEC National Committees undertake to apply IEC InternationalStandards transparently to the maximum extent possible in their national and regional stan

37、dards. Anydivergence between the IEC Standard and the corresponding national or regional standard shall be clearlyindicated in the latter.5) The IEC provides no marking procedure to indicate its approval and cannot be rendered responsible for anyequipment declared to be in conformity with one of its

38、 standards.6) Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this International Standard may be the subjectof patent rights. The IEC shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights.International Standard IEC 60749-19 has been prepared by IEC technical

39、committee 47:Semiconductor devices.The text of this standard is based on the following documents:FDIS Report on voting47/1664/FDIS 47/1684/RVDFull information on the voting for the approval of this standard can be found in the report onvoting indicated in the above table.This publication has been dr

40、afted in accordance with the ISO/IEC Directives, Part 2.This mechanical and climatic test method, as it relates to die shear strength, is a rewrite ofthe test method contained in Clause 7, Chapter 2 of IEC 60749.The committee has decided that the contents of this publication will remain unchanged un

41、til2007. At this date, the publication will be reconfirmed; withdrawn; replaced by a revised edition, or amended.Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,- 4 60749-19 CEI:

42、2003DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS MTHODES DESSAIS MCANIQUES ET CLIMATIQUES Partie 19: Rsistance de la pastilleau cisaillement1 Domaine dapplicationLa prsente partie de la CEI 60749 dtermine (voir note) la cohrence des matriaux et desmthodes dessais utilises pour fixer les pastilles semiconducteurs aux

43、 embases debotiers ou autres substrats (le terme pastille semiconducteurs doit tre considr commeincluant les lments passifs pour cette mthode dessais).Cette mthode dessai est gnralement applicable aux seuls botiers cavit ou commemoniteur de processus. Elle nest pas applicable aux surfaces de pastill

44、es suprieures 10 mm2. Elle nest galement pas applicable aux pastilles surpaisseur ni aux substratsflexibles.NOTE Cette dtermination est fonde sur une mesure de la force applique la pastille ou llment et, si unedfaillance apparat, sur le type de dfaillance rsultant de lapplication de cette force ains

45、i que laspect visuel dece qui reste du matriau de fixation de la pastille et de la mtallisation de lembase ou du substrat.2 Description de lappareillage dessaiLappareillage utilis pour cet essai doit comprendre un dispositif dapplication de la chargeoprant par un mouvement rectiligne ou laide dun dy

46、namomtre circulaire levier. Cetappareillage doit en outre possder:a) un outil de contact qui applique une charge uniforme sur le ct de la pastille,perpendiculairement au plan de montage de celle-ci sur le botier ou le substrat (voirFigure 3). Un matriau souple solidaire de loutil de contact peut tre

47、 utilis pour assurerune application uniforme de la charge (voir Figure 1);b) une prcision de 5 % de la pleine chelle ou de 0,5 N, en choisissant la plus leve desdeux tolrances;c) un moyen dindication de la charge applique;d) une installation quipe dune source lumineuse adapte, permettant lobservatio

48、nvisuelle (par exemple avec un grossissement de 10) de la pastille et de loutil de contactau cours des essais;e) une fixation possdant un dispositif capable doprer une rotation par rapport loutilde contact et la fixation maintenant le botier ou le substrat pour permettre le contact deloutil tout le long du bord de la pastille (voir Figure 2).NOTE Beau