GB T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求.pdf
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除GB 13539. 1-2008规定外,补充下列要求。 半导体设备保护用的熔断体应符合GB 13539. 1-2008的所有要求,下文中没有另外指明的,也应符合本部分规定的补充要求。 本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不超过交流1000 V或直流1 500 V的电路。如适用,还可用于更高的标称电压的电路。 本部分的目的是确定半导体熔断体的特性,从而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此,本部分中特别规定了: a)熔断体的下列特性: 1)额定值;2)正常工作时的温升;3)耗散功率; 4)时间-电流特性;5)分断能力; 6)截断电流特性和It特性;7)电弧电压极限值。 b)验证熔断体特性的型式试验;c)熔断体标志;d)应提供的技术数据(见附录B)。
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