GB T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求.pdf

除GB 13539. 1-2008规定外，补充下列要求。 半导体设备保护用的熔断体应符合GB 13539. 1-2008的所有要求，下文中没有另外指明的，也应符合本部分规定的补充要求。 本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1000 V或直流1 500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。 本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此，本部分中特别规定了: a)熔断体的下列特性: 1)额定值；2)正常工作时的温升；3)耗散功率； 4)时间-电流特性；5)分断能力； 6)截断电流特性和It特性；7)电弧电压极限值。 b)验证熔断体特性的型式试验；c)熔断体标志；d)应提供的技术数据(见附录B)。