GB T 13151-2005 半导体器件分立器件第6部分：晶闸管 第3篇电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范.pdf

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1、ICS 31.080.20K46沥黔中华人民共和国国家标准GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3:1993代替GB/T 13151-1991半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三篇电流大于100 A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范Semiconductor devices-Discrete devices-Part 6 : thyristors-Section three-Blank detail specification for reverse blocking triodethyristors,ambient and case-rated,for cu

2、rrents greater than 100 A(IEC 60747-6-3/QC 750113:1993，IDT)2005-03-23发布2005-10-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3:1993前言本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一，这一系列国家标准现包括: GB/T 6352半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇100 A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 GB/T 659。半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇100 A以下环境或管壳额定的双向三极

3、闸流晶体管空白详细规范 GB/T 13150半导体器件分立器件电流大于100 A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 GB/T 13151半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三篇电流大于100 A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 GB/T 13153 5A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范本标准等同采用IEC 60747-6-3:1993半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三篇:电流大于100 A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范(英文版)。本标准代替GB/T 13151-19918100 A以上环境或管壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范。本标准

4、等同翻译IEC 60747-6-3:1993.为便于使用，本标准作了下列编辑性修改:a)“本国际标准”一词改为“本标准，;b)引用的IEC标准一律改为等同或等效采用国际标准的国家标准;c)为与本国“前言”区别，IEC的“前言”称，IEC前言”;d)在极限值表中补充了安装力矩和安装力的符号M和F;e)按照IEC标准中方括号的用法，将原文中“where appropriat”加不加括号和加圆括号、方括号的不统一，统一成加方括号，即为“适用时”。本标准(本版)与前版(GB/T 13151-1991)相比，主要变化如下:标准名称中增加了引导要素文字:“半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三篇”并作了个

5、别文字修改(前版的封面和首页;本版的封面和首页);增加了“前言”和，IEC前言”，删去了“附加说明，(前版的“附加说明”;本版的“前言”和“IEC前言，);删去了第8章各表中的抽样方案及附录A追加抽样表，增加了对A,B,C,D组抽样要求的文字说明(前版第8章各表和附录A;本版第8章方括号中的文字);在极限值参数表中，符号VR,VD,IT,di/dt分别修改为VRD, VDD , ITD, (d27 /dt ),(前版第4章;本版第4章);在电特性参数表中，增加了t-Q, IRM和四个特性参数;符号dv/dt修改为(dv./dt)o IRR.和IDRM分别修改为IRRMI , IRRM:和IDR

6、M1 , IDRM2 I(前版第5章;本版第5章);-A4分组中删去“t了项目、C2c分组中删去了di/dt项目;C4分组中增加了“耐焊接热”项目;B5分组和C7分组修改为均按空腔、非空腔器件分别规定检验项目(前版第8章;本版第8章)。本标准中引用的国家标准如下:GB/T 2423. 23-1995电工电子产品环境试验试验Q:密封GB/T 4589. 1-1989半导体器件分立器件和集成电路总规范(idt IEC 60747-10:1984)GB/T 4937-1995半导体器件机械和气候试验方法(idt IEC 60749:1984)IGB/T 13151-2005/IEC 60747-6-

7、3:1993GB/T 7581-1987半导体分立器件外形尺寸(neq IEC 60191-2;1974)GB/T 12560-1999半导体器件分立器件分规范(idt IEC 60747-11:1985)GB/T 15291-1994半导体器件第6部分晶闸管(eqv IEC 60747-6:1983)本标准由中国电器工业协会提出。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本标准起草单位:中国南车集团株洲电力机车研究所半导体厂、北京金自天正智能控制股份有限公司半导体部、北京变压器有限公司、天津市整流器厂、中国北车集团永济电机厂元件分厂、襄樊台基半导体有限公司、西安电力电子技术研究所。本标准主

8、要起草人:童宗鉴、黎明、王佰升、韩立文、张红卫、颜家圣、秦贤满。本标准首次发布时间:1991年8月29日。GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3:1993IEC前言1)国际电工委员会(IEC)是世界范围的标准化组织，它由各国家电工委员会(IEC国家委员会)组成。IEC的目的是促进在电气、电子领域有关所有标准化问题的国际合作。为此目的并开展了另外一些活动，IEC发布了国际标准。标准的制定委托给各技术委员会，对标准涉及的问题感兴趣的任何IEC国家委员会可以参加有关的制定工作。国际上，政府和非政府组织与IEC联络也可参加有关的制定工作。IEC与ISO(国际标准化组织)按照两个组织

9、一致决定的条件密切协作。2)由各技术委员会制定的技术问题的IEC正式决议或协议，是所有国家委员会特别感兴趣的，并尽可能就涉及的各种问题表示、表达了国际上的一致意见。3)这些决议和协议用标准、技术报告或导则的形式发表，以推荐方式为国际上采用，并在此意义上为各国家委员会所接受。4)为促进国际上的一致，IEC各国家委员会承诺了在本国标准或区域标准中，以最大限度的可能、透明地采用IEC国际标准。IEC标准和国家标准或区域标准的任何分歧之处，应在国家标准或区域标准中清楚地指出。IEC 60747-6-3国际标准由IEC的TC47半导体器件技术委员会制定。本标准是电流大于100 A、环境和管壳额定的反向阻

10、断三极晶闸管空白详细规范。本标准的内容基于如下文件:国际标准草案表决报告47(C0)135047(C0)1347表决赞成本标准的完整投票情况可在上表指出的表决报告中查阅。本标准封面上的QC编号是IEC电子元器件质量评定体系(IECQ)的规范编号。本标准引用了下列IEC标准:IEC 60068-2-17(1978)环境试验第2部分:试验Q密封第4号修订件(1991)IEC 60191-2(1966)半导体器件机械标准化第2部分:尺寸(正在修订中)IEC 60747-6(1983)半导体器件分立器件和集成电路第6部分:晶闸管第1号修订件(1991)IEC 60747-10(1991)半导体器件分立

11、器件和集成电路第10部分:分立器件和集成电路总规范IEC 60747-11(1985)半导体器件分立器件和集成电路第11部分:分立器件分规范第1号修订件(1991)IEC 60749(1984)半导体器件机械和气候试验方法第1号修订件(1991)GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3:1993半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三篇电流大于100 A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范引言国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)遵循国际电工委员会的章程，在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样二种方式确定质量评定程序，即一个成员国按照符合适

12、用规范要求所放行的电子元器件在其他所有成员国无需再试验同样为合格本空白详细规范是半导体器件一系列空白详细规范的一个，应与下列国家标准一起使用。 GB/T 4589.1-1989半导体器件分立器件和集成电路总规范 GB/T 12560-1999半导体器件分立器件分规范要求的资料本页及下页方括号内的数字与下列各项要求的内容相对应，这些内容应填人相应空栏中。详细规范的识别1授权发布详细规范的国家标准化机构名称。2详细规范的IECQ编号。3总规范和分规范的编号和版本号4详细规范的国家编号、发布日期和国家体系要求的任何更多的资料。器件的识别5器件的型号。6典型结构和应用的资料。如果设计一种器件满足几种应

13、用，则应在详细规范中说明。这些应用的特性、极限值和检验要求应予满足。如器件对静电敏感或含有危险材料，如含有氧化被，则应在详细规范中给出注意事项。7外形图和(或)引用有关的外形标准。仁8质量评定类别91能在器件型号之间进行比较的最重要特性参考数据。本标准中所有方括号中给出的内容供制定详细规范时用，而不包括在详细规范内。在本标准中，当特性或额定值适用时，X”表示在详细规范中应填人数值GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3:1993负责发布详细规范的国家机构名称(地址)a1IECQ详细规范号、版本号和(或)日期Jz1QC 750113一XXX评定电子器件质t的依据:31GB/T

14、4589.1-1989半导体器件分立器件和集成电路总规范GB/T 12560-1999半导体器件分立器件分规范详细规范的国家编号4如国家编号与IECQ编号相同，则本栏可不填写详细规范:s1有关器件的型号定货资料:见本标准第7章1机械说明2简要说明外形标准:川GB/T 7581-1987半导体分立器件外形尺寸外形图:可转到本标准的第10章或在该章给出更多的细节端子识别端子排列图，包括图示符号口标志:字母和图形或色码如要求，详细规范应规定在器件上标志的内容见总规范的2. 5和(或)本标准的第6章极性识别，如采用特殊方法电流大于100 A、环境和管壳额定反向阻断三s1极晶闸管半导体材料:硅封装:空腔

15、或非空腔应用:见本标准的第5章注意:遵守操作静电敏感器件的预防措施事项如适用3质f评定类别仁根据总规范的2.6 81参考数据91质量符合本详细规范的器件生产厂资料，见现行合格产品目录极限值(绝对最大额定值体系)除另有规定外，下列极限值在整个工作温度范围内适用。只重复使用带标题的条号。任何附加值应在适当的地方给出，但不用条号。曲线最好在本标准的第10章给出GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3:1993条号极限值符号数最刁、值一值最大值-4.1工作环境温度或管壳温度T/丁XX4. 2贮存温度兀二XX4.3等效结温如要求T;)X4.4电压应规定条件，如时间、频率、温度、安装方式

16、等4.4.1反向重复峰值电压V四MX4.4.2断态重复峰值电压VnRMX4.4.3反向不重复峰值电压V-X4.4.4断态不重复峰值电压V脚X4.4.5反向工作峰值电压V.MX4.4.6断态工作峰值电压V叫MX4A. 7反向直流电压适用时口VRDX4.4.8断态直流电压适用时V加X4. 5电流应规定条件，如时间、频率、温度、安装方式等4.5.1在规定的几.。时的通态平均电流(见图1)IT-)X4.5.2通态重复峰值电流适用时ITnmX4. 5. 3通态直流电流适用时I_X4.5.4通态浪涌电流应包括是否加反向电压的说明寿，X4.5.5通态电流临界上升率(dT/da)10 USL;或I- 100

17、USL【另有规定除外A26分组通态峰值电压反向重复峰值电流断态重复峰值电流VTMI.-Iuam;T-101T-102T-103见第5章XXXA3分组门极触发电流门极触发电压IGTV-T-109T-109见第5章xxA4分组断态电压临界上升率适用时门极不触发电压(dVo/da)-VG。T-112下110见第5章XXB组逐批(对于1类，按总规范的2.6)LSL=规范下限值USL=规范上限值标有(D)的试验是破坏性试验(3. 6.6)按A组引用标准GB/T 4937-1995条件1面公/几.=25C，另有规定除外(见总规范第4章)检验要求极限检验或试验符号最小值j最大值B1分组尺寸GB/T 4589

18、.1-1989,4.2.2,附录B见本标准第1章GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3:1993续表检验或试验符号引用标准GB/T 4937-1995条件T n/T.=25C，另有规定除外(见总规范第4章)检验要求极限最小值I最大值B3分组端子强度适用时弯曲(D)和(或)转矩(D)n.1.2力=见GB/T 4937-1995,R.1.艺不损坏n.1.B4分组可焊性仁适用时n.2.1按规定，最好用焊槽法润湿良好BS分组快速温度变化a)空腔器件继之:电测试密封，细检漏和密封，粗检漏b非空腔和环氧密封空腔器件继之:外部目检m1.110个循环m.7. 3或m.7.按规定GB/T 2

19、423. 23-1995试验Q按规定稳态湿热电测试GB/T 4589. 1-1989,4.2.1.1班Sc见A2和A3应规定严酷度，24 h按A2b和A3BS分组电耐久性(168 h)GB/T 15291-1994, V高温交流阻断或工作寿命工作寿命时:Irnvl=(80%一100%)IT,gv,m最后测试通态峰值电压反向重复峰值电流断态重复峰值电流VrmIxeM,Io-按Alb按A26按Alb1. 1 USL2 USI2 USLCRRL分组B3, B4, B5和B8的属性资料GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3:1993C组周期LSL=规范下限值USL=规范上限值标有(

20、D)的试验是破坏性试验(3.6.6)按A组检验或试验符号引用标准GB/T 12560-1999条件T,门讼=250C，另有规定除外(见总规范第4章)检验要求极限最小值最大值C1分组尺寸GB/T 4589.1-1989,4二2.2，附录B仁见本标准第1章C2a分组维持电流擎住电流II,T-1071-108见第5章XXXC26分组反向重复峰值电流断态重复峰值电流I-InxMzT-102T-103见第5章，T.-. / T.XxC2分组通态浪涌电流最后测试:通态峰值电压反向重复峰值电流断态重复峰值电流电路换向关断时间(仅对快开关型)1-VTM4-I-,t,T-104T-114按A26按A26按A26

21、见第5章XUSLUSLUSLXC2d分组热阻如适用RXC4分组耐焊接热(D)最后测试通态峰值电压反向重复峰值电流断态重复峰值电流VTMIIDRMIGB/T 4937-1995,R.2.2按规定按A2b按A26按AlbUSLUSLUSLGB/T 13151-2005八EC 60747-6-3:1993续表检验或试验符号引用标准GB/T 12560-1999条件T门盗=250C，另有规定除外(见总规范第4章)检验要求极限最小值最大值C7分组稳态湿热a)空腔器件b)非空腔和环氧密封空腔器件最后测试:通态峰值电压反向重复峰值电流断态重复峰值电流VTMIRRMIIoRMIGB/T 4937-1995,m

22、.5AGB/T 4937-1995,皿.SB严酷度:II类和m类56 dI类21 d严酷度1偏置详细规范应规定持续时间Q类和m类1 000 h工类500 h按A26按A26按A2b1. IUSL2USL2USLC8分组电耐久性(最少1 000 h)最后侧试:通态峰值电压反向重复峰值电流断态重复峰值电流VTMIRRMII.RMIGB/T 15291-1994,V仁高温交流阻断或工作寿命工作寿命时:IT(a; =C80%-100%)Iruvh.按A26按A26按A261. 1USL2USL2USLC9分组高温贮存(D)最后测试:通态峰值电压反向重复峰值电流断态重复峰值电流VT.1RRMI-GB/T

23、 4937-1995扭2在兀，.，时，最少1 000 h按Alb按A2b按AZb1. 1USL2USL2USLCRRL分组C4, C7, C8和C9的属性资料9D组鉴定批准试验当要求时，本试验应在详细规范中规定(仅对鉴定用)。IVD二各个器件的初始值USI二规范上限值按A组GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3:1993符号条件兀mb/T.=25C，另有规定除外(见总规范第4章)检验要求极限检验或试验引用标准最小值I最大值D1分组电耐久性仅对环境额定器件(注2)最后测试:同C8GB/T 15291-1994,V工作寿命:按C8同C8同C8D2分组热循环负载试验仅对管壳额定器件最后测试:通态峰值电压反向重复峰值电流断态重复峰值电流GB/T 15291-1994,1V.4循环次数:C应规定按A2b按A2b按A2b1. 1USL2USL2USL蝙鲡InasoD3分组恒定加速度仅对空腔器件最后测试通态峰值电压反向重复峰值电流断态重复峰值电流GB/T 4937-1995,n.5按规定按A2b按A2b按A2b1. 1USL2USL2USL蝙鲡鲡注2:如此试验在C8已完成，则在此不再要求.10附加资料(不作检验用)只要器件规范和应用需要，就应给出附加资料，例如:有关极限值的温度降额曲线;测量电路或附加方法的完整说明;详细的外形图。