YS T 23-1992 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法.pdf

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1、中华人民共和国有色金属行业标准YS/T 23-92硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法主题内容与适用范围本标准规定了根据堆垛层错尺寸测量硅处延层厚度的方法本标准适用于在,tloo和(110)晶向的硅单晶衬底仁生长的硅外延层厚度的测缝外延层中应存在着发育完整的堆垛层错，其大小可用干涉相衬显微镜r:接观察(非破坏性的)，或经化学腐蚀后用金相显微镜观察(破坏性的)。测量范围为275 um2方法原理在和(100)晶向的外延层，使多边形所有的边按6. 4-6. 8条的步骤重复进行测量对C110)向的外延层，仅测量等腰三角形的底边。测量结果计算7.1对于测量的每一边，计算游标尺右边和左边的读数之差Do了.2对于

2、测量的每一边，用公式(1)计算边长l=D只s. (1)式中:1-图形边长，um;1)一游标尺读数差值;S刻度因子，pm/格。7.3刘于每一个位置，除(110)晶向仅测量等腰三角形的底边以外，以图形各边长度的总和除以该图形的边数，计算堆垛层错图形的平均边长2。对于(111)晶向，五一(11+12+ l:,)/3 . (2)对于100)晶向恋=(Z, -la+Za -l,) /(3)对于110)晶向，L=1(4)7. 4在第一个位置上，应用关系式(5),(6),(7)中相应的公式计算外延层厚度:对(111)品向，T=。.816L,(5)对110)晶向，T二。.577I, (6)对(100)晶向，T

3、,=0. 7072,，(7)式中:.t.在第一个位置上的外延层厚度值tcm ;I,在第一个位置上的堆垛层错图形边长的平均值, km7. 5按照7.1-7. 4条，对试样的第二个、第二个等顺序位置测量，计算T,.T, 7.6应用公式(8)计算外延层厚度的平均值:rs/r 23一92了=(7，+T,+T+T,) / .(s)式中，测量的位置数。7.7由公式(9),(10)确定外延层厚度:了.7门对于非破坏性测量:7-T。二”(9)了.7.2对于破坏性测量:T =T +W，.(LO)(9),(10)式中:W为被腐蚀的外延层厚度.tern7. 7. 3 u由式(11)计算:W二Yt .(11)式中，腐

4、蚀速率，pm/S ;t腐蚀时IHj , s注:若不知道腐蚀速率，则必须在一块与所研究的试样具有相同导电类f,电阻率和晶向的外延材料I_另做实验oil定8精密度本方法对于厚度为2-75 pm的硅外延片，多个实验室测量精密度为士(0. 177士。.51 pm)(R3S)9试验报告报告应包括下列内容:a.样品编号;b.衬底晶向;c.外延层厚度;d.当材料验收需要时，可报出测量位置及分布和以微米表示的刻度因子S;。.本标准编号;f.检验单位、检验者和检验日期附加说明本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所提出。本标准由上海市有色金属总公司半导体材料i一负贵起草。本标准主要起草人吴耀芬、姚保纲、周康权