ITU-T V 12 FRENCH-1995 ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR BALANCED DOUBLE-CURRENT INTERCHANGE CIRCUITS FOR INTERFACES WITH DATA SIGNALLING RATES UP TO 52 Mbit s《接口数据信号速率高达52 Mbit s的平衡双.pdf
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1、UNION INTERNATIONALE DES TLCOMMUNICATIONS5)4 4 6 SECTEUR DE LA NORMALISATION (08/95)DES TLCOMMUNICATIONSDE LUIT#/-5.)#!4)/. $% $/ %3352 ,% 2 3%!5 4 , 0(/.)15%#!2!#4 2)34)15%3 ,%#42)15%3$%3 #)2#5)43 $% */.#4)/. 39- 42)15%3$/5“,% #/52!.4 0/52 ).4%2 son utilisation est spcifie pour assurer une communic
2、ation srie designaux binaires entre un quipement terminal de traitement de donnes (ETTD) et un quipement de terminaison decircuit de donnes (ETCD) ou dans une interconnexion point point quelconque dchange de signaux binaires srieentre quipements de traitement de donnes.Le circuit de jonction compren
3、d un gnrateur, connect par une paire symtrique une charge constitue dun rcepteuret dun dispositif de terminaison. Les caractristiques lectriques du circuit sont spcifies en termes de tension requise etde valeurs de lintensit tablies par des mesures directes effectues au niveau du gnrateur et du rcep
4、teur aux pointsde jonction. La prsente Recommandation ne dfinit pas la fonction logique du gnrateur ni celle du rcepteur, puisquecette fonction est tributaire de lapplication. Les caractristiques lectriques minimales du cble dinterconnexion sontindiques.Les dispositions de la prsente Recommandation
5、sont applicables aux circuits utiliss la jonction entre quipementslorsque les informations sont transmises sous la forme de signaux binaires.La Figure 1 reprsente des cas typiques dapplication de la prsente Recommandation.T1401070-94/d01ETTDETCDETTD Equipement terminal de traitement de donnesETCD Eq
6、uipement de terminaison de circuit de donnesGnrateur dinterfaceRcepteur dinterfaceCircuit dinterface symtriqueFIGURE 1/V.12Applications des circuits de jonction numriques symtriquesFIGURE 1/V.12.D01 = 8cmLes circuits de jonction numriques symtriques seront normalement utiliss pour des circuits de do
7、nnes et de base detemps ou pour des circuits de commande fonctionnant des dbits binaires pouvant aller jusqu 52 Mbit/s.2 Recommandation V.12 (08/95)2 RfrencesLes Recommandations et autres rfrences suivantes contiennent des dispositions qui, par suite de la rfrence qui y estfaite, constituent des dis
8、positions valables pour la prsente Recommandation. Au moment de la publication, les ditionsindiques taient en vigueur. Toute Recommandation ou autre rfrence est sujette rvision; tous les utilisateurs de laprsente Recommandation sont donc invits rechercher la possibilit dappliquer les ditions les plu
9、s rcentes desRecommandations et autres rfrences indiques ci-aprs. Une liste des Recommandations UIT-T en vigueur est publiergulirement. Recommandation UIT-T V.11 (1993), Caractristiques lectriques des circuits de jonction symtriques double courant fonctionnant des dbits binaires jusqu 10 Mbit/s.3 Df
10、initionsPour les besoins de la prsente Recommandation, la dfinition suivante est applicable:3.1 toile (*): dsigne ltat logique oppos dun paramtre dentre. Par exemple, si le symbole Q reprsenteltat de sortie du rcepteur correspondant un tat dentre donn, alors Q* reprsente ltat de sortie correspondant
11、 ltat dentre oppos.4 Caractristiques lectriquesLa Figure 2 reprsente un circuit de jonction numrique symtrique. Il est constitu de trois parties: le gnrateur (G), lecble dinterconnexion symtrique et la charge; la charge se compose dun rcepteur (R) et dune terminaison decble/circuit scurit intgre. Le
12、s caractristiques lectriques du gnrateur et du rcepteur sont dfinies en termes demesures lectriques directes, tandis que le type de cble dinterconnexion est dtermin par ses caractristiqueslectriques.T1401080-94/d02GC CRABABRgp =332 WRgp =332 WVeeVeeRt =110 WVeeVcpdRrp =1,5 k WRrp =1,5 k WGnrateur Cb
13、le de jonction symtrique ChargeTerminaisonde cble RcepteurG GnrateurRgp Rsistance chutrice du gnrateurR RcepteurRt Rsistance de la terminaisonRrp Rsistance de polarisation du rcepteur(facultative, selon le type de rcepteur)Vcpd Diffrence de potentiel entre circuits de retourVee Alimentation sous ten
14、sion ngativeA, B Points dinterface du gnrateurA, B Points dinterface du rcepteurC Retour commun du gnrateurC Retour commun du rcepteurNOTE Toutes les valeurs de rsistances sont indiques 2%.FIGURE 2/V.12Circuit de jonction numrique symtriqueRecommandation V.12 (08/95) 34.1 Caractristiques du gnrateur
15、Les caractristiques lectriques du gnrateur sont spcifies en accord avec les mesures illustres par les Figures 3 6,et dcrites aux 4.1.1 4.1.4. Un circuit de gnrateur conforme ces exigences constitue une alimentation symtrique faible impdance qui appliquera au cble dinterconnexion une diffrence de pot
16、entiel comprise entre 590 mV et1500 mV.Les polarits des tensions mesures aux extrmits du cble dinterconnexion sont dfinies comme suit:a) La borne A du gnrateur est ngative par rapport la borne B pour un tat binaire 0 (SPACE ou OFF)(repos).b) La borne A du gnrateur est positive par rapport la borne B
17、 pour un tat binaire 1 (MARK ou ON)(travail).NOTE La signification des tats binaires 0 SPACE (repos) et 1 MARK (travail) est inverse par rapport celle qui estindique dans la Recommandation V.11. La fonction logique du gnrateur et du rcepteur ne relve pas de la prsente Recom-mandation et ny est donc
18、pas dfinie.4.1.1 Mesure en circuit ouvert (Figure 3)Dans les deux tats logiques, la valeur absolue de la tension diffrentielle (Voc ou Voc*) mesure aux deux bornes desortie du gnrateur ne devra pas dpasser 1,5 V.T1401090-94/d03Vee332 W332 WGBAVocVeeVoc 590 mV, Vt* 590 mVVt Vt* Vos V, 0 V Vos* Vos Vo
19、s* 100 mV 1,6 1,6 V-ESURE AVEC UNE TERMINAISON D ESSAIEntrelogiqueen rgimepermanent(0 ou 1)Paramtre mesurFIGURE 4/V.12Mesure avec une terminaison dessai54,9 W54,9 WFIGURE 4/V.12.D04 = 94.1.3 Mesure en court-circuit (Figure 5)Les bornes de sortie du gnrateur tant court-circuites, lintensit du courant
20、 (Ios) qui les traverse ne devra pasdpasser 50 mA dans lun ou lautre tat logique.T1401110-94/d05332 W332 WVeeVeeABlos 50 mA, los* 50 mAlosG-ESURE EN COURT CIRCUITEntrelogiqueen rgimepermanent(0 ou 1)Paramtre mesurFIGURE 5/V.12Mesure en court-circuitFIGURE 5/V.12.D05 = 84.1.4 Forme du signal de sorti
21、e (Figure 6)Pendant les transitions du signal de sortie du gnrateur dun tat binaire lautre (un, zro, un, zro, etc.), la tensiondiffrentielle mesure aux bornes de la terminaison dessai de 110 W monte aux bornes de sortie du gnrateur devravarier de faon monotone de 0,2 0,8 Vss entre 0,5 ns et 2,3 ns.
22、Aprs avoir atteint une valeur stationnaire, lamplitudedu signal ne doit pas subir de variations de plus de 10% de Vss autour de cette valeur, jusqu la transition ltat binairesuivant; aucun moment la valeur instantane de Vt ou de Vt* ne doit tre suprieure 1500 mV ou infrieure 590 mV. Vss est dfinie c
23、omme la diffrence de tension entre les deux valeurs stationnaires du signal de sortie dugnrateur.Recommandation V.12 (08/95) 5T1401120-94/D06tbtr tfVeeVeeG332 W332 W110 WABVtVss1,1 Vss0,9 Vss0,8 Vss0,2 Vss0,8 VssDiffrence 0 V0,2 Vss0,9 Vss1,1 Vsst Dure nominale de lintervalle unitaire au dbit binair
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