GB T 18904.3-2002 半导体器件 第12-3部分;光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范.pdf

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1、ICS 31. 260 L 54 f岳2一.I c英文版)而制定的。本部分代替GB/T12561-1990(发光二极管空白详细规范)，与GB/T12561一1990相比主要变化如下1第12-3部分g光电子器件显增加了引言部分，包括按本规范要求放行的产品符合IEC电子元器件质量评定体系而为其他所有参加国同样接受的说明s因为国家标准GB4589. 1一1989(半导体器件分立器件和集成电路总规范及GB12565-1990(半导体器件光电子器件分规范没有完全等同采用相应的IEC标准，所以本部分直接采用了IEC标准;一一本部分对A2a分组的有关规定进行了调整;一一去掉了B6分组和即分组;一-在C7分组

2、中只对非空腔器件进行了规定;对D组试验未规定具体试验项目。本部分引用的国家标准及国际标准如下g一-GB/T4937-1995 半导体器件机械和气候试验方法(idtIEC 60749:1984) 一-GB/T6571-1995半导体器件分立器件第3部分=信号(包括开关)和调整二极管(idt IEC 60747-3:1985及第1次修订(1991) GB/T 15651一1995半导体器件分立器件和集成电路60747-5:1992) GB/T 17573一19981983) IEC 60191-2:1966 半导体器件机械标准化第2部分z尺寸一一IEC60747-10/QC 700000:1991

3、 半导体器件第10部分2分立器件和集成电路总规范一一IEC60747-12/QC 720100:1991 半导体器件第12部分s光电子器件分规范GB/T 18904. 3是有关光电子器件的国家标准的一部分。下面列出了这些国家标准的预计结构z一-GB/T18904. 1 (半导体器件第12-1部分:光电子器件纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范一-GB/T18904.2 (半导体器件第12-2部分s光电子器件的激光二极管槟块空白详细规范一-GB/T18904.3 (半导体器件第12-3部分z光电子器件细规范GB/T 18904.4 (半导体器件第12-4部分z光

4、电子器件带尾纤的pin-FET模块空白详细规范GB/T 18904.5 (半导体器件第12-5部分2光电子器件带尾纤的pln光电二极管空白详细规范本部分的附录A为规范性附录。第5部分2光电子器件(idtIEC 显示用发光二极管空白详纤维光学系统或子系统用带尾纤纤维光学系统或子系统用带/不纤维光学系统或子系统用带/不第1部分2总则(idtIEC 60747-1: 分立器件和集成电路半导体器件I 户一-GB/T 18904. 3-2002/IEC 60747-12-3: 1998 E 本部分由中华人民共和国信息产业部提出.本部分由中国电子技术标准化研究所(CESl)归口.本部分起草单位2华禹光谷股

5、份有限公司半导体厂。本部分主要起草人2陈兰., GB/T 18904. 3-2002/IEC 60747-12-3: 1998 半12-3部分:光电子器件显示用发光二极管空白详细规范引言IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC章程并在IEC授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按相关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受.本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之-，并应与下列IEC标准一起使用.IEC 60747-10/QC 700000: 1991 半导体器件第10部分2分立器件和集成电路总规范IEC 60747-12/QC 720

6、100 ,1991 半导体器件第12部分z光电子器件分规范要求的资料下列所要求的各项内容，应列入规定的相应空栏中。详细规范的识别IJ 授权发布详细规范的国家标准化机构名称。2J IECQ详细规范号。3J 总规范和分规范的版本号和标准号.4J 详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的任何更详细的资料.器件的识别5J 主要功能和型号。6J 典型结构(材料、主要工艺和封装的资料.如果一种器件有几种派生的产品，那些不同点应被指出，例如在对照表中列出特性差异。如果一种器件对静电敏感，应在详细规范中增加警告、小心方面的文字。7J 外形图、引出端识别、标志和(或)参考的相关外形标准。8J 根据总规范

7、中2.6的质量评定类别.9J 参考数据.在整个空白详细规范中，方括号内给出的内容仅供指导制定详细规范时用，而不包括在详细规范中J在极限值和特性的数值栏中，X表示在详细规范中应给出的具体值。l GB/T 18904. 3-2002/IEC 60747-12-3: 1998 授权发布详细规范的国家标准化IJ IECQ详细规范号、发布号和2J 机构的名称(或)发布日期评定电子元器件质量的依据:3J 详细规范的国家编号4J IEC 60747-10: 1991 半导体器件分立器如果国家编号与IECQ编号相同，贝u本栏可不填件和集成电路总规范写IEC 60747-12 :1 991 半导体器件光电子器件

8、分规范详细规范用于2显示用发光二极管5J 相关器件的型号订货资料s见本规范第7章。1 机械说明7J 2 简略说明6J 、外形标准发光二极管gIEC 60191-2如果可行应强制带/不带尾纤国家标准L如果没有IEC外形标准类型g表面/例而发光半导体材料:GaAs/ GaA1As/lnP /InGaA1P /. 外形图z封装z金属/玻璃/树脂/【可以放到第10章并给出更多的详细资料t可以增加某些重要的相关数据引出端识别:画图说明管脚的功能，包括图形、符号标志:文字、符号或图形若有的话，详细规范应规定器件上标志的内3 质量评定类别8J 容见IEC60747-10的2.5和(或)本规范第6按IEC60

9、747-10的2.6J 章参考数据z9J 按本规范鉴定合格的器件的有关制造单位的资料，可在现行合格产品一览表中查到。2 4 5 6 7 GB/T 18904. 3-2002/IEC 60747-12-3: 1998 极限值(绝对最大额定值体系)除非另有规定，这些值适用于整个工作温度范围。仅重复使用带标题的条号。任何附加值应在适当地方给出，但没有条号。曲线应在本规范第10章中给出。要求条号极限值符号最小4. 1 贮存温度T吨 4.2 工作环境温度Tamb 4. 3 焊接温度(规定最长焊接时间和距管究的Ts1d 最小距离 4. 4 反向电压VR 4.5 环境温度为25t下的直流正向电流IF 4.6

10、 环境温度为25t下的峰值正向电流规定IcM 的脉冲条件下(适用时4.7 耗散功率P 101 光电特性检验要求见本规范第8章。最大 X 仅重复使用带标题的条号.任何附加的特性应在适当的地方给出，但没有条号。单位.C s mm V mA A w 当在相同的详细规范中规定数个器件时，相关数值应以连续方式给出，避免相同数值的重复。特性曲线最好在本规范第10章中给出。条件要求条号特性符号除非另有规定z单位T=b或T将=25C最小最大，中5. 1 正向电压VF Ic按规定 V 5.2 反向电流1. VR按规定 A 5.3 发光强度Iv IF按规定 mcd 附加条件按规定5.4 半强度角。1/2Ic按规定

11、 deg (适用时)(适用时)5.5 峰值发射波长, IF按规定 n口15.6 光谱辐射带宽t. IF按规定 nm 标志任何详细资料(除第1章7J栏中和(或)lEC60747-10的2.5给出的之外)应在此给出J订货资料除非另有规定，订购一种具体器件至少需要以下内容s一一准确的型号(如果要求，标称的电压值h试验分组A2b A2b A2b C2a A4 C2a 3 G/T 18904. 3-2002/IEC 60747-12-3: 1998 8 一一-有版本号或日期的IECQ详细规范号，一一按分规范的3.7规定的质量评定类别及如果要求时3.6中规定的筛选顺序，任何其他细节.试验条件和检验要求C在

12、以下各表中给出的试验条件和检验要求，其所有数值和确切的试验条件应按照给定型号的要求和相关标准中规定的有关试验予以规定。当在同一详细规范中包含若干规格的器件时，有关的试验条件和(或)数值应以连续的方式给出，避免相同的条件和(或)数值重复出现oJ当制定详细规范时，如果检验或检验方法有二种以上的选择应确定一种oJ除非另有规定，下列文本中引用的条号对应于总规范的条号。测试方法引自分规范的3.40关于抽样要求，应依据适用的质量评定类别引用或参照分规范3.7的规定.对于A组检验，制定详细规范时应选定AQL或LTPD抽样方案。A组逐批试验LSL=规范下限值;根据本规范第5章USL=规范上限值所有试验是非破坏

13、性的(3.6.6)条件检验或试验符号引用标准除非另有规定，T.mb或T.=2S.C见总规范第4章Al分组外部目检总规范4.2.1.1A2a分组不能工作器件E极性发光强度lv GB/T 15651.凹，1.1 1，按规定，附加条件按规定正向电压V, GB/T 6571.N 1，按规定反向电流1, GB/T 6571.目V，按规定A2b分组光电特性发光强度Iv GB/T 15651.町，1.1 1，按规定，附加条件按规定正向电压V, GB/T 6571.凹1，按规定反向电流1, GB/T 6571.凹V，按规定A4分组峰值发射波长!., GB/T 15651.凹，1.4 1，按规定4 检验或试验要

14、求/极限值最小最大极性颠倒lv或T.25C(见总规范第4章)最小最大C8分组电耐久性本规范附录A工作寿命.I，按本规范4.5条规定，至少1000h 终点测试g按B8分组C9分组高温贮存GBjT 4937.皿.2至少1000 h , T= TK ,max 终点测试=按B8分组CRRL分组提供C3、C4和C8分组的属性资料.提供C7、C8和C9分组前后的测试数据9 D组鉴定批准试验当要求时，这些试验应在详细规范中规定。10 附加资料(不作为检验用)只有规范和器件应用需要时给出，例如g与极限值有关的温度降额曲线g继之以或发光通量与温度的典型关系曲线或发光通量随温度变化的系数和发光通量与正向电流的典型

15、关系曲线(直流或脉冲按规定)I 一一发光强度与温度的典型关系曲线或变化系数和发光强度与正向电流的典型关系曲线(直流或脉冲条件按规定h一一峰值发射波长随温度变化的典型特性曲线或变化系数g典型辐射图F结和管完之间的热阻g一一-测量电路或补充方法的完整说明;一一详细的外形图。, 叫OF的lNFlh寸hohv凶【NOON-伺叮OFFH筒。/ / D 附录(规范性附录电耐久性试验A R. G/T 18904. 3-2002/IEC 60747-12-3: 1998 J, 试验电路A. 1 说明zR. 限流电阻gD 被测二极管.工作条件A.2 侵权必究书号，155066.)-)9453 峰版权专有1.*本规范4.5条的规定pT.mb =2SC。