GB T 13397-2008 合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件.pdf
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1、ICS 2912099K 14 a雪中华人民共和国国家标准GBT 1 3397-2008代替GBT 13397-1992合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件Technical specification for silver-metaloxide electrical contacts by alloy internaloxidation method2008-04-23发布 2008-12-01实施宰瞀髁鬻瓣警糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会“1”刚 置GBT 13397-2008本标准代替GBT 133971992(合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件。本标准与GBT 13397 1
2、992相比主要变化如下:删除了有关银氧化锡的内容;增加了术语和定义;修改了部分技术指标;检验规则按GBT l-1 2000的要求作了较大修改,抽检样品数量有所减少;增加了附录B。本标准的附录A为规范性附录、附录B为资料性附录。本标准由中国电器工业协会提出。本标准由全国电工合金标准化技术委员会归口。本标准负责起草单位:桂林电器科学研究所、中希合金有限公司、温州宏丰电工合金有限公司、绍兴县宏峰化学金属制品厂。本标准参加起草单位:上海电科电工材料有限公司、桂林金格电工电子材料科技有限公司、佛山精密电工合金有限公司、福达合金材料股份有限公司、广州市银玑电工合金有限公司。本标准主要起草人:谢永忠、郑元龙
3、、陈晓、陈达峰、陈京生、吴宇烨、刘辉、霍志文、王永根、王长明。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:GBT 133971992。合金内氧化法银金属氧化物电触头技术条件GBT 13397-20081范围本标准规定了合金内氧化工艺制造的银氧化镉、银氧化锌、银氧化铜等银金属氧化物电触头(以下简称电触头)的要求、检测方法、检验规则、标志、包装与贮运等内容。本标准适用于合金内氧化工艺制造的银氧化镉、银氧化锌、银氧化铜等银金属氧化物电触头,这些产品主要应用于各种低压开关电器。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修
4、订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。GBT 282812003计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划(iclt ISO 28591:1999)GBT 29004电工术语电工合金(GBT 290041994,neq IEC 51)GBT 5586 电触头材料基本性能试验方法GBT 5587银基电触头基本形状、尺寸、符号及标注JBT 7774银氧化锌电触头材料化学分析方法JBT 7776银氧化镉电触头材料化学分析方法JBT 8753 电触头材料金相图谱JBT 898
5、5 电触头材料金相检验方法3术语和定义本标准除采用GBT 29004规定的术语外,还采用下列术语和定义。31添加物additives除主成分外,在制造过程中为改善电触头材料的力学或电气等性能而添加的物质,其添加量(质量分数)不超过1。32连续晶界沉淀物continuous grain boundary sedimentation在晶界连续沉积的金属氧化物。33贫氧化物亮带un-oxidated meml bright area在合金内氧化过程中,因溶质元素的扩散而形成的贫氧化物区域,称为贫氧化物亮带。34未氧化合金夹层un-oxidated alloy interlayer在合金内氧化过程中,
6、因溶质元素未氧化而形成的合金层。1GBT 13397-20084要求41外观电触头产品表面应无裂纹、鼓泡、缺边、缺角与明显凹陷及斑点,触头产品厚度小于或等于1 mm其边缘毛刺高度不应超过005 mm,触头产品厚度大于1 mm者毛刺高度不应超过01 mm。42尺寸公差、标注电触头的尺寸公差、标注应符合GBT 5587规定,或由供需双方协商决定。43化学成分电触头的化学成分应符合表1规定,或由供需双方商定。表1 电触头的化学成分(不含焊接层) 单位为质量分数,添加物总量电触头产品名称 代表符号 Ag CdO ZnO CuO内氧化银氧化镉(8) Ag-CdO(8)(IO) 余量 8土1内氧化银氧化镉
7、(8)T Ag_CdO(8)一T(Io) 余量 8土1 1_5内氧化银氧化镉(10) Ag-CdO(10)(I0) 余量 10士1内氧化银氧化镉(10)一T AgCdO(10)一T(L O) 余量 10士1 15内氧化银氧化镉(12) Ag-CdO(12)(Io) 余量 12士1内氧化银氧化镉(1Z)一T Ag-CdO(12)一T(IO) 余量 12土l 15内氧化银氧化镉(13) Ag-CdO(13)(L O) 余量 13土】内氧化银氧化镉(13)一T Ag_CdO(13)一T(IO) 余量 13士1 15内氧化银氧化镉(15) AgCDO(15)(IO) 余量 15土1内氧化银氧化镉(15
8、)一T Ag-CdO(15)一T(IO) 余量 15士1 15内氧化银氧化锌(8) ACZnO(8)(L o) 余量 8士1内氧化银氧化锌(8)一T AgZnO(8)一T(Io) 余量 8士1 10内氧化银氧化锌(10) Ag-ZnO(10)(IO) 余量 10士1内氧化银氧化锌(10)T Ag-ZnO(10)T(IO) 余量 10土1 10内氧化银氧化铜(10) Ag-CuO(10)(IO) 余量 10士1内氧化银氧化铜(10)一T Ag_CuO(10)一T(I0) 余量 10士1 1044物理、力学性能电触头的物理、力学性能应符合表2规定。表2电触头的物理、力学性能密度 电阻率 硬度电触头
9、产品名称 代表符号 gcm3 州1cm HB HV内氧化银氧化镉(8) Ag-CdO(8)(IO) 1005 200 65 68内氧化银氧化镉(8)一T Ag-CdO(8)(IO)一T 1005 300 67 70内氧化银氧化镉(10) Ag-CdO(10)(Io) 1000 210 65 68内氧化银氧化镉(10)一T Ag_CdO(10)(IO)一T 1000 320 69 722表2(续)GBT 13397-2008密度 电阻率 硬度电触头产品名称 代表符号 gcm3 “1cm HB HV内氧化银氧化镉(12) Ag-CdO(1Z)(Io) 990 230 67 70内氧化银氧化镉(12
10、)一T Ag_CdO(12)(IO)一T 990 340 69 72内氧化银氧化镉(13) Ag_CdO(13)(IO) 980 250 70 73内氧化银氧化镉(13)一T Ag_CdO(13)(IO)一T 980 350 74 77内氧化银氧化镉(15) Ag CdO(15)(IO) 975 270 70 73内氧化银氧化镉(15)一T Ag_Cd0(15)(IO)一T 975 350 74 77内氧化银氧化锌(8) AgZn0(8)(IO) 970 320 65 68内氧化银氧化锌(8)一T Ag-ZnO(8)(IO)一T 970 340 69 72内氧化银氧化锌(10) Ag-Zn0(
11、10)(Io) 955 340 71 74内氧化银氧化锌(10)T AgZnO(10)(Io)T 955 350 74 68内氧化银氧化铜(10) Ag-CuO(10)(I0) 960 250 65 68内氧化银氧化铜(10)一T Ag_CuO(10)(IO)一T 960 350 69 7245金相组织451 氧化物质点在银基体中应分布均匀(金相组织图例见JBT 8753)。452晶界中不应出现长度大于或等于150 pm、宽度大于或等于6 pm的连续晶界沉积物。453在试样磨片的整个观察面上,不允许有长度大于或等于30xm的气孔、100 pm长的夹杂物或i00 pm长的聚集氧化物。在任一视场内
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