GB T 13388-1992 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法.pdf
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1、中华人民共和国国家标准硅片参考面结晶学取向X射线测量方法GB/T 13388 92 Method for measuring crystallographic orientation of flats on single crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques 1 主题内容与适用范围本标准规定了用X射线技术测量硅片参考面结晶学取向的方法。本标准适用于硅片参考面结晶学取向与参考面规定取向之间角度偏差的测量c硅片ff径为50125 mm,参考团长度为lO50mm. 本标准不适用予硅片规定取向在与参考固和硅片表面相垂直的平面内的投影
2、与硅片表面法线之间夹角不小f30的硅片的测量。2 引用标准GB 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查J3 方法原理将束单色X射线射到晶体上,在符合布喇格(Bragg)定律2dsin8=n时便产生衍射e时X射线衍射仪测量来自硅片边缘-个晶面簇的衍射,通过洞l角仪读数计算平均角度偏差。4 测量仪器4.1 x射线衍射仪铜靶产生儿辐射,垂直狭缝,测角仪要有度和分的刻度,其精度为30/4.2 样品夹.n4. 2. 1 样品夹具装置见图1、图2、图3。国家技术监督局1992-02-19批准C)门1992-10-01实施GB/T 13388-92 i 2 3 1 l 问日图l样品央具(
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