GB T 13387-1992 电子材料晶片参考面长度测量方法.pdf

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1、中华人民共和国国家标准电子材料晶片参考面长度测量方法Test method for measuring flat length 00 slices of eJectronic materials 1 主题内容与适用范围术标准规定了电子材料晶片参考而长度的测量方法。GB/T 1 3387 - 92 本标准适用I测量各种宵径的硅抛光片、研磨片和(!J割片的参考面长度。也).8J+j f 茧僻Jt铭、4汪古石和L嫁石榴石等材料晶片的参考面i主度。2 引用标准C;B 2828 淫批检查计数抽样程序反抽样表(适用于连续批的检查)3 方法提要利用光学投影仪，把晶片参考面投影到显示屏上.使参考面一端与显示屏

2、上的基准点，付准，i己求测做i十读数。然后调节载物台，使参考面另一端与基准点对准，再次记录测微计读敦。两次谈数之YFE!为晶片的参考面长度。4 测量仪器4. 1 光学投影仪，由以下几部分构成。4. 1. 1 光学系统，放大倍数为20倍。4. 1- 2 载物台，X轴行程l旦大于晶片的参考面长度，Y轴行程为O25mm , X轴测1敬t十精度优j25m。4. 1. 3 显示屏，最小直径为254mmo 4. 1. 4 轮廓板，由半透明材料制成.板上有两条相互垂直的基准线相交于中央，在垂育基准线的中心上下，各有10个1mm间隔的主1度，见图L国家技术监督局1992-02-19批准1992 10 - 0

3、1实施斗85G8!T 13387-92 2 罔l轮廓板1、;j(千基准线，2垂直基准线却l度线电每将lmm4.2 测微尺，由透明材料制成，至少长lmm.分刻度为Q.05mmQ4. 3 钢板尺，最小氏度150mm，分刻度为Q.5mm 5试榨从一批产品中按GB2828计数抽样方案或商定的方案抽取试样。6 测量步骤6. 1 校准6. 1. 1 轮廓板水平基准线的校准6. 1. 1.1 在显示屏上放好轮廓板，使水平二基准线大致与地面平行6. 1. 1. 2 在水平基准线附近选择载物台面1-.某-点(【个缺陷或颗灰尘)为参照点，只校tizl主Jj象应不大于轮廓板真IJ度线的二分之A格。然后调节投影仪焦距

4、，在显示际上清晰肴到参照点的投影剧像。6.1.1.3 沿X袖反复移动载物台，并调节轮廓板和XY测角仪.使参照点从显示际的侧移到她侧，当参照点都落在水平基准线上时，便完成了水平校准。6. 1. 2 光学投影仪放大倍数的校准6. 1-2.1 把测微尺放在光学投影仪载物台r:.调节投影仪的焦距，使测橄尺im图像清晰旱现古显示屏中心。6. 1. 2.2 用钢板尺量出显示屏t测橄尺20格以上投影4:J像的长度(rnm).以该长度除以分刽度俏(0.05mm)和所量格数的乘积，测得实际放大倍数。6.1.2.3 实际放大倍数应在19.820. 2之间。6. 1. 3 载物台X轴测微汁的校准6. 1. 3- 1

5、 将测愤计行再调到零附近。6.1.3.2 调节测微计和X-y平面测角仪，使测微尺投影图像和轮廓板水平生在?在线ktIil t j史全部WIJ做尺刻度线移到垂直墓准线的一侧，见图2.记FX轴测微川的读数、18 t) GB!T 1338792 2 3 、书叫/ 4一-图2载物台X轴测微iI的校准l 水平基准线;2 垂直基准线;3载物台测愤J-:草6. 1. 3. 3 调节测微iI ，把显示屏上全部测微尺刻度线移到垂直基准线另侧，旧i!，X制!洲微汁的lE敖6.1.3.4 两次读数之差应与测微尺满刻l度值相符，误差小于25!lIllc6. 2 Qtlti十6. 2. 1 把试样放在载物台t，使参考面

6、投影图像的中心部分落在1恒不屏巾心处。6. 2. 2 调教苔考而投版图像.使其与水平基准线重台。6.2.2.1 调节X轴测做汁，将参考面从端移到另端，使参考面I37k于基准线亟fh且干if、6.2.2.2 如果卷号由1外形呈凸形，调节测角仪和X轴油!J愤计，道主i.6.2.2.1条操作.f世凸形卷号前的自jjlZ与/立于基时t线相m.而两端的低点与基准线等距，见图3，并注明参号面形状。图31叫形参考面的对准6.2.2.3 如果参考面外形呈!可厅2.调节测角仪和X轴测微计，贯复6.2.2.1条操作.j也凹)在参考jlt阿j端的高点与战Iff线相1), I;图1.并注明参考面形状。位J4 IJF参

7、号丽的MIif4、G/I、133B7-926.2.3 调节X铀测懒汁，使参号一面投ij;图像的东端与同基准线交点重台。6. 2. 4 ic下参考面起点的X轴测微i十读数L精确到250106. 2. 5 调节X袖m微计，使参考面投影图像的右端与两基准线交点重台。6.2.6 记下参考面终点的X轴测微计读数L2，精确重IJ25010 6. 2. 7 x士参考由两端边缘不清晰的倒角试样，使用偏移法确定参考面两端点的位置z用显示屏上参考面两端的投影图像与水平基准线相距两个刻度的点.作为参考面长度的起点和终点，lJl.罔5.轮廓板l二恪却i度相当于试样的100m偏移。1 图5参考面边端使用偏移的图例1一轮

8、廓板，2偏移量7 测量结果的计算7. 1 按下式计算晶片参考面民度zL ILj - L21 . . . . . .( 1 ) 式中L晶片参考面长度，mm;L , 参考面起点的测被计读数，mm;L 参考丽终点的测微计读数，mm。8精度本占法单个实验室测量2倍标准偏差为士Q.54mmo9 试验报告9. 1 对于仲裁测量，报传包括以下内容:a. 晶片编号;b 晶片标带:直径1C. 品H边缘状况(是否倒角hd. 参考由形状，e 所时偏移最a188 f. 参考面K:度;自泪IJ坠仪器;h. 本标准编号;1. 测量单位及操作者;川l最H期。G!T 13387-92 9. 2 付常规而l址，只需挺快a. d ，仁h. i和!等六顷。附加说明本标准由中间有色金属I业总公司提出。本标准由itJ;(有色金属研究总院负责起年。本标准主要起草人朱悟新、王顺有。本标准等效采用美国中.j;li ASTM 1-671(电子协料晶片参专面t(;度测量H法入川l只j