SJ 51420 2-1998 半导体集成电路F型陶瓷扁平外壳详细规范.pdf
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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准盯.I5962 创51420/21998半导体集成电路F型陶瓷扁平外壳详细规范Detail ”“ti.cation of type F ceramic FP for semiconductor inte阴.tedcircui臼1”18-03唰11发布1998”05翩01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和因电子行业军用标准半导体集成电路F型陶瓷扁平外壳详细规范1 范闺1. 1 主题内容阳ail咽创伽耐onof type F ceramic FP for semiconductor in能阴tedcir倒ts本规范规定了半导体集成电路F型陶烧扁平外壳
2、(以下简称外壳)的详细要求。1.2适用范围本规也适用于外壳的研制、生产和采购02 引用椒准GBn 97- 87 铁锦钻玻封含金4129和4144技术条件GBn 103 87 铁锦锵、恢镰封接合金技术条件GB 118496形状和位置公袭来注公袭的规定GB/1 1804-92一般公差线性尺寸的未注公裳GB 4069 92 电子陶黠零件公差GB“49-86半导体集成电路外壳总规拖GB/T7仰293半导体集成电路外形尺寸GJB 548A96微电子器件试验方法和程序GJB 5叨A96半导体集成电路总规范日1420-92军用集成电路外壳总规范SJ 20129一佣金属镀覆层厚度测量方法SJ 20386- 9
3、3 L级陶瓷电绝缘材料规范3 要求3.1 详细要求外先各项要求ml按日1420和本规范的规定。中华人民共和国电子工业部1998响。3叩门发布臼51420/2一1佣81998叩0501实施“ 51420/2-1”g 3.2外壳型号、结构与尺寸3.2.1 外壳的型号按GJB1420中3.3.1和GB/T7(!)2的规定。3.2.2结构与尺寸外壳底座铺掬如图1所示,底鹿尺寸见表1;盖板如阁2所示,盖板尺寸见表2。所有公整除闺中注明外,掏援部分按GB硝9中的6级计算,金属部分按GB/f18例中m级精度计算,形状和位置公援按GB1194的规定。若无其它规定,需要检查的各部位尺寸,可用满足外壳尺寸公差要求
4、的任何量具测量。表1底座尺寸mm 异:电D1 Ml D2 M2 D3 M3 D M JF14X2 4.8 2.4 7.0 4.1 8.8 5.8 9.0 6.0 JF16X2 5.1 3.4 7.0 5.1 8.8 6.9 10.4 7.4 JF18X2 5.1 3.4 7.0 5.1 8.8 6.9 12.0 7.4 表2蘸板尺寸mm 尺寸型号D3 M3 Cl JF14X2 8.9 5.8 0.10或0.30JF16X2 8.9 6.9 0.10或0.30JFI8X2 8.9 6.9 0.10或0.303.3外壳材料3.3.1 陶资基座陶资基座采用95%氧化铝陶瓷,其成份和性能应符合SJ20
5、386的规定。3.3.2 号钱框架、焊接环及盖板引绒榷架、焊接环及盖板采用4J29快镰钳玻封合金或4J42铁镰含金,其成分和性能应分别符合GBn97的GBnl03的规定。3.4镀层厚度外壳的镀金工艺中所用的金,其纯度至少应为99.7%,并且只用钻作为硬化刑。镀金腥的厚度,应为1.3”5.7闷。3.5外观3.5.1 陶资基座3.5.1.1 不允许存在裂纹。3.5.1.2 拐角处缺口不大于0.76mm x 0. 76mm x 0. 76mm 3.5.1.3边缘缺口不大于2.54mmx 0. 76mm0.76阳,(缺口不能使人或暴露任何金属化区域)。1.27主0.02(_.,) 到EmB的寸。18士
6、1三二国1底座结梅mM回ZNeb妻日51420/2-1唰i R1 阶句吨。3因2盖板3.5.1.4密时丽的缺口不能使密封宽度的减少超过设计宽度的11303.5.1.5 2在包括密封面的顶部平面毛刺和凸舰不大于0.1伽Ullo3.5.1.6在密封面金属化层上方毛刺和凸起不大于0.025mrno3.5.1.7外壳的压焊端面金属化愿上方毛刺和白起不大于0.025mrno3.5.1.8在芯片柑结表商金属化摆上方毛刺和凸起不大于0.025mrno3.5.1.9 陶援基座应平整,其平西皮不大于O.lOmrn/25 .4mmo 3.5.2 金属化3.5.2.1 孔隙a.在密封面宽度的外半侧,最多允许3个直径
7、不大于0.13mm的孔隙;在内半侧,最多允许3个直径不大于0.38mm的孔隙;任何两个孔隙之间的距离不小于0.76mrnob.外先压焊端陋的键舍区内0.却mmx0.25阳区域元孔隙。c.芯片粘结表面的孔隙不超过3个其直径不大于0.25阳,间距不大于0.76阳的孔隙。3.5.2.2外壳压焊瑞丽金属化缺损不大于1/2o3.5.2.3外先压焊端困金属化毛刺不大于设计宽度的11203.5.2.4金属化居偏离a.内部腔体的宿封平面塌陷不超过腔层厚度的1140b.外壳压焊端面键合区回缩不大于0.13删。c.外壳臣焊端面键合区的塌陷不大于陶资厚度的114,或不大于0.13mrno3.5.2.5引线偏离奸焊区
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