GB T 12604.10-2011 无损检测 术语 磁记忆检测.pdf

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1、ICS 19. 100 J 04 中华人民无损检测S昌和国国家标准11: /、GB/T 12604.10-2011 术语磁记忆检测Non-destructive testing-Terminology-Terms used in magnetic memory testing 2011-06-16发布飞、童n.马防f)j中华人民共和国国家质量监督检验检茂总局中国国家标准化管理委员会2012-03-01实施发布GB/T 12604.10-2011 目U百本标准按照GB/T1. 1一2009给出的规则起草。本标准由全国无损检测标准化技术委员会(SAC/TC56)归口。本标准起草单位:爱德森(厦门)

2、电子有限公司、中国特种设备检测研究院、北京航空材料研究院、北京航空航天大学、华北电力科学研究院、装甲兵工程学院、上海泰司检测科技有限公司。本标准主要起草人:林俊明、陈钢、徐可北、沈功田、雷银照、胡先龙、董世运、胡斌。I 无损检测术语磁记忆检测1 范围本标准界定了金属磁记忆检测的术语和定义。本标准适用于磁记忆检测和无损检测及其他相关领域。2 术语和定义2. 1 金属磁记忆metal magnetic memory MMM GB/T 12604.10-20门在环境磁场中，铁磁性金属材料或焊缝由于制造、冷却或工作载荷形成的应力集中或损伤产生不可逆的残余磁性现象。2.2 注2环境磁场包括地磁场和其他外

3、部磁场。自有漏磁场self-magnetic leakage field SMLF 由于工作应力或者残余应力的作用产生于铁磁性金属材料或焊缝表面的位错滑移稳定带或组织最大不均匀区域的磁场。2.3 磁记忆检测magnetic memory testing MMT 以对铁磁性金属材料或焊缝表面的自有漏磁场进行分析为基础，确定金属和焊缝的应力集中或损伤区域为目的的一种无损检测方法。2.4 2.5 2.6 2. 7 2.8 注:自有漏磁场为磁记忆检测的表征。磁记忆显示圄magnetic memory t臼tingdisplay; MMT display 磁记忆信号幅值与扫查时间或位移变化之间的轨迹图形

4、。磁记忆异常信号abnormal magnetic memory signal 磁记忆检测仪在被检件表面扫查获取的随时间或空间突变的信号。磁记忆检测通道MMT channel 磁记忆检测仪器采集、处理磁记忆信号的物理通道。多通道磁记忆检测仪multichannelmagnetic memory testing instrument 具有多个检测通道的磁记忆检测仪器。磁记忆传感器MMT sensor 具有拾取磁记忆信号并转化为电信号的检测元件或单元组件。1 GB/T 12604.10-2011 2.9 磁记忆阵列传感器MMTaay sensor 按直线、矩阵等方式规则排布的多单元集成的传感器。2

5、. 10 2. 11 nent 2. 12 2. 13 2. 14 磁位错磁滞回线magneto-dislocation hysteresis 在弱磁环境中，由于位错团在磁畴壁的钉扎引起的磁滞回线。局部稳定性破环区的临界值critical size of the local zones of instability of the shell of a compo-铁磁性金属工件在载荷作用下丧失稳定性而产生的金属层两个最近滑移稳定带之间的最小距离。注:金属工件的临界值由两个最近的自有漏磁场极值之间的距离表示，该极值与壳体尺寸成倍数关系。自有漏磁场的强度SMLF intensity 用磁记忆检测方

6、法在铁磁性金属材料或焊缝表面测得的漏磁场强度的参数。自有漏磁场的梯度SMLF gradient 在两个检测点测得的法向漏磁场强度的差值与两点间的距离之比的绝对值。梯度因子factor of SMLF gradient 自有漏磁场的最大梯度值与其平均值之比。2. 15 强屈评价因子evaluating factor of the material deformation capability 相应于金属强度极限的自有漏磁场最大梯度值与相应于金属屈服极限的自有漏磁场平均梯度值之比。2.15 2. 17 2.18 两个检测通道之间的基准距离base distance between two MMT

7、channels tL 调整传感器时设定的两个测量通道之间的距离。磁记忆信号的记录间距distanee between two adjacent MMT signal recording points 记录磁记忆信号时两个相邻测量点之间的距离。磁记忆检测仪的标定calibration of the equipment used to measure the metal ma伊eticmemory 磁记忆检测仪的标定包括对磁场强度测量的标定和测量距离的标定，对磁场强度的标定是在参考磁场中调整磁记忆仪器和传感器，使仪器显示与参考磁场一致的过程;对测量距离的标定是在参考长度上调整长度测量传感器使磁记

8、忆仪器显示与参考长度一致的过程。2. 19 2 干扰因素interfere factors 使被检测对象的磁记忆信号失真的因素。注:干扰因素主要包括:1) 检测对象附近存在的强磁场源和不均匀磁场源;2) 检测对象上存在外来的铁磁制品;GBjT 12604.10-20门3) 检测对象上存在的外部磁场和来自电焊的磁场;4) 存在人工磁化等。2.20 磁记忆信号平面显示图MMT signal planar display 以被检对象表面xc或Y或Z)轴方向磁场强度为横坐标，YC或Z或X)轴方向磁场强度为纵坐标显示磁记忆信号随时间或位移变化的二维轨迹图形。如图10图1平面显示圈(与时基扫描同屏显示)2

9、.21 磁记忆信号时基显示图MMT signal time-base display 在仪器屏幕水平方向上连续标出随时间变化的磁记忆信号图形。如图20PO舍jiion经S8lS1m !二5寻a)阴影显示模式圄2磁记忆信号时基显示圄3 GB/T 12604.10一-2011b)曲线显示模式图2(续)2.22 磁记忆信号A扫描显示图MMT signal A-scan display 用带有定位功能的磁传感器进行检测，并在仪器屏幕相应标尺上连续标出磁记忆信号的图形。如图30了;二二400.0 800.0 1200.01600.0 2000.0 2400.0 2800.0 3200.0 3600.0

10、200. 0 600. 0 1000.0 1400.0 1800.0 2200.0 2600.0 3000.0 3400.0 3800.0 a)阴影显示模式图3磁记忆信号A扫描显示图4 2.23 7500 7000 65001 6000t-5500 5000 4500 4000 3500130001引j250011一20001Jf 15001川;J户10001千/500t 在-/0示二GB/T 12604.10-2011 1 000.0 1400.0 1 800.0 2200.0 2600.0 3000.0 3400.0 3800.0 b)曲线显示模式图3(续)磁记忆信号极坐标显示图MMT s

11、ignal polar coordinates display 用带有定位功能的磁传感器进行周向检测时，在仪器屏幕相应极坐标上标出自有漏磁场强度值的闭合曲线。如图40量a)阴影显示模式图4磁记忆信号极坐标显示图5 GB/T 12604.10-2011 自900 b)曲线显示模式圄4C续)2.24 磁记忆信号色斑显示图MMT signal color and splash display 用带有定位功能的，同一方向的阵列磁传感器进行检测时，在仪器屏幕相应位置上连续标出以不同颜色代表的自有漏磁场强度值图形。2.25 副需寄:阳时2融市蓝侬蝶喃赣赣黯擦擦激磁毅川!tPt篇文件己编键在2留浓重a歪着工

12、具包窗口(埠。帮助旺li)li3且.自JCB罢j ElEl 11比卒令盲。可位士;十灭围B 6 5 3 2 -Iol.!l 斗副主j15 30 4吉凶7号90105 120 135 1寻01651801部210 225 240 255 27日部5331533日345380l二维i 图5磁记忆信号色斑显示圄磁记忆信号三维显示圄MMT signal three dimensions display 用阵列磁传感器单次扫查或单个磁传感器多次扫查自有漏磁场强度值时，在空间平面CX-Y)上形成的关于自有漏磁场强度CBx或By或Bz)的图像。6 阳司.:fI，(7l1t，1嘟嘟嘟胞可川啤附嚼蜡辍韶藤总该做

13、坝阶段S立件怪擦边i;Jl11%(!)变吾(jj工111I露茧，遍2届母GB/T 12604.10一2011斗回到斗副主jj军位百:离了古l，o巴比呻T!舍、王、E圄6磁记忆信号三维显示圄FFON|2.gNFH阁。华人民共和国家标准无损检测术语磁记忆检测GB/T 12604. 10-2011 国由祷中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销争e印张O.75 字数15千字2011年12月第一次印刷开本880X12301/16 2011年12月第一版* 书号:155066. 1-43681 16.00 7G 如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533足价GB/T 12604. 10-2011 打印日期:2011年12月28日F002