GB T 11094-1989 水平法砷化镓单晶及切割片.pdf
《GB T 11094-1989 水平法砷化镓单晶及切割片.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《GB T 11094-1989 水平法砷化镓单晶及切割片.pdf(9页珍藏版)》请在麦多课文档分享上搜索。
1、一UDC 661. 868. 146-4 5 H 81 共标GB l l 09 4-8 9 石!化鲸单目目目及切害IBoat-grown gallium arsenide single crystals and As cut slices 1989-03-31发布1990-03-01实施国家技术监督局发布. GB 11094-8 9 中华人民共和国国家标准片割切喃及Mm晶叫川单叩阳锦蝉刷刷古法阳平水主题内容与适用范围本标准规定了水平法碑化惊单品及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等本标准适用于水平法制备的耐化惊单晶及其切割片产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用引用标准2
2、 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法化合物半导体单晶晶向X射线衍射测量方法碑化镣单品位错密度测量方法GB 4326 GB 8759 GB 8760 产品分类3 3. 1 导电类型产品按导电类型分为N型和P型,按电阻率分为低阻导电型和高阻半绝缘型以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类,按位错密度分级3. 2牌号单品及切割片的牌号分别表示为2E些单坐早早:aJ拉伯数字与罗马数字组合表示产品等级与等次学元素符号表示掺杂剂有两种掺杂剂时,元素符号之阴用“十”连接水平法硝化惊单晶1990-03-01实施I 中国有色金属工业总公司1989-02-23批准一一一一一一一一一一一二一一一一一一GB 110
3、94-89 阿拉伯数字与罗马数字组合表示产品等级与等次切割片学元素符号表示掺杂剂。有两种掺杂剂时,元素符号之间用“”连接水平法碑化镣单晶若牌号表示不强调产品生产方法,产品不掺杂或不分级,则产品牌号中的相应部分可省略。3. 3示例EHBMGaAs Si-11表示水平法掺硅一级一等呻化综单晶。HBMGaAsTe臼1111表示水平法掺附一级三等碑化惊单晶切割片4 技术要求4. 1 单晶4. 1. 1 水平法呻化综单晶以(110)品带的近(111)或(211)、(311)和(331)等晶向生长。4. 1. 2 低阻导电型单品的导电类型、掺杂剂、载流子浓度、迁移E辑、位错密度和规格尺寸应符合表1的规定2
4、 GB 11094-89 表1导电载流子浓度迁移率位错密度晶键宽度品键长度掺杂剂个cm个cmmm 类型cm/V s m3 不大于不小于IX IO5X 10 I 300 2 500 100 30 38 Si BX IO5XI0 I 300 2 600 500 30 47 N 8 XI O5XI0 I 300 2 600 Te IX IO5X 10 2 000 3 000 2 000 30 47 p Zn IX IOI x 100 40 150 IX IO2X 10 2 000 3 500 Si 8XIO5X10 I 300 2 600 IX IO5 I 0 I 300 2 500 40 IX J
5、O2 10 2 500 3 800 5X IO N 30 56 Te 5 IO2 I 0 2 500 3 200 IX 10 或2X 10 IX IOsx 10 2 000 3 ooo 30 66 4 XI OI x 106 二注4500 5 IO 、,5 X IO4 IO 二三5000 IX IO4XI0 100 280 p Zn 5X IOI X IO 40 100 4. 1.3 高阻单品的掺杂剂、电阻率、位错密度、晶绽宽度和长度应符合表2的规定。表2电阻率位错密度品键宽度品铠t主度掺杂剂个cmmm Q cm 盯lm不大于不小于IX 109X IO 5 IO 30 38 IX 109X I
6、O 1 I 0 30 47 口或Cr十。40 IX 109 IO 2X IO 30 56 IX JO9 10 5X IO 30 66 4. 1. 4 单品按位错密度分为三级,每级分为若干等次,其数值应符合表3的规定3 一GB 11094-89 表3级!Jtl 等位错密度,个cm次不大于100 n 500 I Ill 2 000 IV 5 000 1 IO 2 II 2 10 m 5X 10 3 IX 105 对热稳定性有要求的高阻呻化嫁单品,其退火条件及热稳定性能由供需双方商定。4. 1. 6 单晶截面为D形单品的一端或两端应按所要求的品商切出基面,该面应平整4. 1. 7 单品不得有气孔、裂
- 1.请仔细阅读文档,确保文档完整性,对于不预览、不比对内容而直接下载带来的问题本站不予受理。
- 2.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
- 3、该文档所得收入(下载+内容+预览)归上传者、原创作者;如果您是本文档原作者,请点此认领!既往收益都归您。
下载文档到电脑,查找使用更方便
5000 积分 0人已下载
下载 | 加入VIP,交流精品资源 |
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- GB 11094 1989 水平 法砷化镓单晶 切割
