SJ Z 9010.24-1987 电子管电性能的测试 第24部分：阴极射线电荷存储管的测试方法.pdf

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1、中华人民共和国电子工业性部标准电管电2 4部分z阴极射线电荷存试方法Meas urernent 5 of t he el ect ri cal propert i es of electronic tubes Part 24: Methods of measurernent of cathode-ray charye-storage tubes 1 范围S1/Z 9010.24 87 IEC 151 24(1971) 本标准提供了阴被射线电荷存储臂的名词术语、定义、基本理论和测试方法。2 定义2. 1 啻型2. 1. 1 存储管在棚定时划引人信息，而在以后阅读或再现的一种电子田。注，输出信息可

2、以是电信号或可见图象.2. 1. 2 电葡存储以电荷圈象的形式将信息保留在存储表面上的一种存储营。2. 1. 3 电信号存储管电，输出存储啻以电信号形式引进信息并在以后也以电信号的形式来再现的一种存储田。2. 1. 4 壶示存储能以电信号形式引进信息并在以后用国象的形式来再现的一种存储营。2. 1. 5 凋极射线存储果用电子束记录信息的一种存储营。2. 1. 6 阴极措线屯荷存错果用电子束i己录信息的一种电荷存储管.注，暗i韭啻和天余辉的;1月极射线管都是阴撮射线存储营的例子，但不是电荷存沾宵。大多数电视摄象啻是电荷存储营，但不是阴极射线存阳田。2. 2 营子元件2. 2. 1 存储部件由靶、

3、控制iFF储用的电极、收集输出信号的电辑部作结构支撑!有的其它零件组成的一种电极包括栅阔)组件。一中华人是共和国电子工业部198709 14批昏1oi骨棚S.J /Z9010.24 87 一一2. 2. 2 存储单元在存储表面上能够保留信息的最小区域，其上的信息与相邻区域的信患可以分辨。2. 2. 3 序储哀!型能存储电荷阁象，并能从它上面取出信息的一种绝缘启齿半导体思。2. 2. 4靶存储表面有1JL应支!誓巨的结构。2. 2. 5 阻鸪?主罩非常靠进存请表面或者位于这个表面上的一种扭扭，它对束自靶面上的次摄电子建L平衡电势位).并减小已经啡列在存储表面上的电荷分布的变化。2. 2. 6 准

4、直透萌在年I诸如作附近用来校亘电子束的一种电子透镜。2. 3 工作条件2. 3. 1 轰击感生电导在半导体或绝缘体中由于电子轰击而得到的载流子数目的增加。2. 3. 2 透射调制当i可读电子束通过存储表面网孔叶的电流幅虔调制，其L胃制变受该衰竭存储的电荷图形听控制.2. 3. 3 反射调和j与存储电荷:在关的坤电场使反射的阅读电子束特性发生变化。采E;-一个收集电子的合适系统从臣射电子来中取出信息。2. 3. 4 光栅扫描电子束以垣定速率偏转对靶扫描，产生均匀间隔线也l!而争p住矩形图形的轨迹。2. 3. 5 棋盘格子扫!简电F束阵列)电子束的偏在专电压以阶梯形式对电扫描，并得到i贯正方形排列

5、的点阵轨埠。L L 8 电平确立的信号幅度。2. 3. 7 有放电平一个输出电平，它与每个不同的输人信息在关，无ittyfj、iJ存J;22!币的位置如何，都能互相区分，控，有效电平数一般受到输出信号的暗影和干扰的限2. 3. 8 烟如电平一个输出Eg平，在这个电平以上，当记录电流记录饱和)或高读电流阅读饱和再增大时，不会引起输出信息的增加.注，饱和这个词常常单强使用，在这种情况下它可代替饱和电平.2. 3. 9 现电平工作善2i骨SJ/Z9010. 24 87 二-一一甲存储营的输i封信息限于两个电平之一的工作状态.2. 3.、10;现穰态工作存储营的每个存储单元在受到电子轰击时，保持在两个

6、不同的平衡电势位之一的工作状态。2. 3. 1 1 再也恢复因静态或动态衰减的结果而贵失的存储信;102. 3. 1 2 信号的累ff储茬面j节网点上记录的信号依次相加。2. 3. 1 3 泛射具有大的横截面而不包含局部分布信息的电子流维持电子柬直接射向存部件。2. 3. 1 4 量攻变泛射束申电子的轨迹戎扫描束中各种射线的轨迹，以便使电子束接近存储部件时更近于平行.2. 3. 1 5 次级发射交叉点电压次级发射系数为1时.次级发射表面对阴摄的电涩。随着电j玉增加交叉点连续编号见圈12) 0 注.限寇词次级发射，习惯上往往省去2. 3. 1 6 存储单元平衡电压在初级电子轰击和次级发射作用下，

7、存储唱元充电趋向的极限电压。2. 3. 1 7 维持电子轰击使存储单元维持于平衡电势CI.)。2. 4 记录2. 4. 1 记录将与信息相对应的输入信号以j钟形式存储起荣。2. 4. 2 !-已录速度在记录时，电子束在存储表面上的直线扫描速度。2. 4. 3 费大街效;己术应哎在规定工作条件下，能将占崽记录到规定电平的最大速度。注，当不会发生混淆时，限定词最大有效酌习惯上往往省去.2. 4. 4 记录时间记录信息的时间2. 4. 5 最短有强记录时间在规定的工作条件下，记录自息听霜的最适时注s当不会发生混淆时，限定词最短有效的习惯I往往省去.2. 4. 6 ，动态记录范ij噩* 3 . 昏s.

8、r /;? 9 0 1 O. 24 8 7 一-在境扫j苗条件下，能够记录的输入电平的范围，即从饱和电平下记录把输入信息坦到在最小有效信号下记录的输入信息止。注，最小有效信号大体上受记录电子束的噪声、存储袤丽特性和电子枪转换特性的限制.2. 4. 7 过记录记录电平高于产生记录饱和的电平。2. 5 阅读2. 5. 1 阅读产生与夺储信息相对应的输出信息。2. 5. 2 阅读次数不用重新记录，阅读一个存储单元、存储行或存储表面的次数。2. 5. 3 最多有效明读次数在规定的条件和没有重新记录的情况f，达到规定的衰浦以前，能够:理渎存储单元、存储行或存储表面的最多次数.注z当不会发生混淆时，限定词

9、最多有效的习惯上往往省去.2. 5. 4 r喝读时读存储信息的时间。2. 5. 5 最长有效阉读时间在规定的条件阳没苟重新记录的情况f，达到规定的衰减以前，能够阑读存储单元、存储行或存储表面的最长时阁。注I1.此时间可能受到静态衰减，动态衰减或两者组合的限制.2 .当不会发生混淆时，限iiz词最长有效的习惯上往往省去.2. 5. S 阅读速度阅读时，电子束在存储表面k的直线扫描速度。2. 5. 7 景小有妓阅读速度在现寇的工作条件下，达到规定的衰减时的最小阅读速度。注2当不会发生混淆时，限定词最小有钱的习惯上往往省去.2. 5. 8 动态阅读范围从输出信号的饱和电平起逐渐变到可察觉的最小电平止

10、，能够it司读的输出电平的范围。2. 5. 9 J萄娼阅读次数对;fH邻存储惶元信息的损失不超过规定值时，与任何存储单元相邻的存储单元上完成的阅读次数。2. 5. 1 0 破坏性阅读在阅读时部分地或全部擦除存储信息的阅读。孔5. 1 1 现架时间存恪苛提供Lf4i洁信息相对j边的可见输出信息的时间。传4* SJ/Z9010.24 87 2. 5. 1 2 最长有效观察时间在规定的条件和没有重新记录的情况下，达的输出信息的最快时间.定的衰减以前，能够君出司见注，当不会发生混淆时，限定词最大有效的习惯上往往省去.2. 6 2. 6. 1 用受控的方法来减竭戎消除仔储的俏息。2. 6. 2 擦除时间

11、存储信息的时问。2. 6. 3 最短有效擦除时间在规定的工作条件和没有重新记录的情况下，将存储信息从某另一规定电平昕需的最短时!同。注，当不会发生混淆时，限定词最小有敛的习惯上往往省去.2. 6. 4 祟除速度擦除期间电子束在存储表面上的直线扫描速度。2.6.5 ji; 定电平减小在不影响邻近存储单元研存信息的条件下，来擦除存储在某些存储单元上的信息。2. 6. 6 擦除率将存储单元或存储区域的电平从某一规定值攘除到另一个规定值研需时间的倒敦。2. 6. 7 晶录使在储惨元充电到适于记录的电势位。2. 6. 8 备录速度在备录期间，电子束在存储表面上的直线扫2. 6. 9 备录将存储守主元或存

12、储区域从一个规定的电平备录到另一个电平的时间的倒数。2. 7 备种特性相各种缺陷2. 7. 1分吁以记录进存储管并在其后读出的信息量的一种量度。泼I1.分辨率可以用比特(bt)、点、线或ijJ噩数来表示.2.因为输出信息的相对幅度可以精信息量变化，管子分辨率酌理想表示法是相对幅度作为信息每隔敦的曲线图见图5) 8.当存储管的分辨率用电视线表示时，即为横过狞储表面直径听Jl:q到的黑线和自线数的总和.实际上，对于电视而言，分辨率是在具有囚比三长宽比的光街跑垂直方向上测量-4 .英语中，术语分辨能力有时用作分辨率的同义词.* 5畴S J / Z 9 0 1 O. 2 4: 8 7 2. 7. 2

13、最长保留时从信息:己人储存管的时刻起出电平尚能阅读为止的最长持续时叫2. 7. 3 不是由于擦除或记录而引起的存储信息的 注，褒减可能是由于存储电衡的增加、减少或扩散引起的.2. 7. 4 i挣态仅决定于靶面性质例如横向漏电的衰减。2. 7. 5 动态由阅读电子束，维持电子束，电子友射或离子电流作用研引起的衰佩。2. 7. 6 异常衰减反复记录若干次累职的信号的动态衰减。它的总输出幅度变化，在速率上显著地不同于只记录一次而有相同幅度的信号的变化。2. 7. 7 衰减时存储信息减到真起始值的规定百分数研需时闻。2. 7. 8 缺陷引起不应有输出信息的存储2日件的局部不完暑性。2. 7. 9 暗影

14、输出信号的戎本底的在管内发生的一种不需要的信号形式，它使输出信号幅度或本底幅度显现逐渐变化或少量逐渐变化。这些变化在靶面上的位置是固定的。注s黯.影和干扰t见2.7. 1 0 )之阅没有严格界珉，它们必须由变化的数量或变化形式或两者一起来区分.每条直径或对角线最多有2或S处输出的逐渐变化称为暗影，一处或多处突然变化或大量逐渐变化称为干扰.2. 7. 1 0 子扰输出信号的或本底的在管内发生的一种不需要的信号形式。它使输出信号幅宜去尔j自l幅度呈现突然变化或大量逐渐变化。这些变化在靶面上的位置是国定的。tt. 1.在输出信息申出现的缺陷，栅饲图形或莫尔条纹是干扰的形式.随机噪声不是干扰的形式.2

15、.见2.7. 9条的注.2. 7. 1 1 费尔条纹在两组周期性结均阅，或两个扫描图形间，或在一个周期性结均朝一个扫描图形间，由于干勘差拍而形成的波纹图形.r-t: .在存储管中，莫尔条纹可能是由记录一条可分辨的平行线扫描图形而同川一条平行纯扫描图形阅读时产生.因为栅网元件通常具有周期性结构，莫尔条纹也可能在栅网剧形和tJ捕ij形之间或阅个栅网图形间产生.2. 7. 1 2 再分布束自存储表面任何其它部分上的次级电子引，包存储学元或存储区域电荷图形的铸6铸S ,T /Z901 0.24 87 变5 一般本标准涉及电输入信号的阴极射线电荷存储管.这一大类管子由两种类型酌子组成.(1)在输出端提供

16、电信号的富于(2) 在输出端显示图象的管子.根据预定的应用，电输出的管子能经受先栅扫描或棋盘格扫描或两种扫描制F的试验.存储智的某些试验与普通阴极射线管相间，如亮度、束电流、灵敏度等的测辰，这些不在这里重复.本标准中研述的是存储管特布的问晶。阴极射线电荷存储管是基于这样的原理z在一个薄的绝缘存储面靶)的一面上镀上金属艘，构成镶嵌电容，该电容借助于电子束充电和放电。用于本标准的测量方法的各类电荷存储营包括多种结构的电荷存储营。但是，为了更好地理解本标准，对以下各种音型用单例的方法作简短说明g供记录和!用读两者用的单枪电输出管z阻挡栅型s透射调制型.一一一只记录枪和一只阅读怆拍双抢电输出啻z轰击感

17、生电导型，透射调制型.显示3. 1 单枪电输出3. 1. 1 且揭。单抢阻挡栅雷的结构如图1a研示。在这种营型中，连续完成记录相阅读。对于记录，将电子束直接射到靶上9使靶上储积电荷，其电荷量自直被记录和储岸的信息变化。由电子束轰击靶研产生的一些次级电子破电子收集嵌收集，另一些电子返回到靶上。返回电子的空间分布主要决定于电极形成和已存在于绝攘衬料表面上的电荷。因此，返回的电子将改变邻近电苟的分布。将一块很细密的网相高透过率的阻挡榻放置在离介质表面百分之几毫米处来尚除这个缺陷。次级电子由于受到栅极拒斥场的作用被迫返回到撞幸点是邻近的地方可用栅彼调制的束电摊琪恒i茸的来电流进行记录，在后一种情况下，

18、把要记录的信号加在阻陪栅阳靶的金属层之间。在1泪i卖期!司，保持恒定束流的电子束将再分解靶并引起电荷的睐冲谓剖，该电荷的脉冲i周础相应于由记录昕产生拍电苟壤。* 7 * s.r / z 9 0 1 O. 24一付7-，卢俨，时一一一电荷的脉冲调制将在靶和电子收集极电路中产生电流变化。于是既可在靶电中也可在电子收集极电路中放置的负载电阻的端头上收集输出信亏。3. 1. 2 透射调制啻单枪枪透射调制曹的结构如圈1b研示.与阻挡栅管-样，连续完成记录和阅读.这类管子的工作基本上包括四种方式E备录、记录、阅读和擦除.对于上述j式可使用任何形式的扫描(TV、PPI或其它)0 对于备录，让靶在低于第一交叉

19、点电压见圈12)下工作，并让来调制的电子束，在整个表面上扫描以建立均匀的电宿分布.对于记录，使靶在高于第一交叉点电压，即在次级发射系数大于1的电吐下工作.让经调制的电子束在靶上扫描，在介质上产生一个代表被储存信息的电荷国彤，由电子束轰击靶引起的次级电子被减速提收需对于阅读，靶电压调到使介质表面整个区域对电子枪阴极为负锺.让未经调;HU的电子束扫描靶.在电荷圈形电位只稍微为负的地方记录区).电子束以较高百分过电孔到达输出电极.在介质表面有更多负电荷的地方例如部分记录区), 部分电子被斥固，仅极少的电子通过靶孔，产生表征灰色电平的部分输出.在没有记录信号的区域中，电子束被很多负电荷截止，不能取得输

20、出信号电梳.因此，出信号唱应于由记录昕产生的电荷图形.应该注意，在这工作期间坷读电子束并不轰击介质表面的任何位置，因此，阅读过程基本上为非损坏姓的，并且不用重新记录能重复多次.对于擦躁，博靶转接到能产生高的次级发射系数的电压电平典型值与减速极研用拍电平相同)，让未调制的电子束扫描整个靶面，从而除去原来记录的电荷图形.在许多应用中这步工作可以取消。进行备录能够起擦i海作用和建立昕需起始电荷电平的双重作用.上述是常用的工作方式。对于某些用途，其工作方式允i午有破坏性阅读或在记录区!同使用靶电压调制代替电子柬调制.3. 2 现抢电输出3. 2. 1 轰击感生电导曾轰击感生电导营的结掏如图a研示.这樊

21、管型允许同时记录和阅读，尤其是用它将一种扫描制中存在的罔象转换为另一种扫描制，例如，将雷达接收申的PP工扫描昕取得的图象转换成能使信息较易透射相观攘的TV扫描.为了能够理解这种啻子的工作，首先应说明，正是阅读电子束对掏成静电存储的微电容器进行均匀充电.记录枪的电子束其调制与被存储的信号对应战变吧上的电荷.其电荷的空阔分布诀定于记录帧扫描的形式对上述应用PPI扫描)0 这种营子的靶为轰击毒生电导靶，包插足够薄的介质层，该介质层在记录抢拍* 8捧S J /Z 901 O. 2 4: 87 高速电子(10000伏通过期间不会损坏.在电子通过期间，产生大量的次级电子，于是绝缘体立刻变成能够使被轰击的电

22、容器单元迅速放电的导体.在记录以后，电荷分布保持在存储层的襄面，记录的4每豆即己经过电荷变更的那些点再次升到起始平衡电位，于是在存储表面单元电位接近支撑栅电位的情况f，较大比例的收集极电流就出现了.应该指出z比记录抢电子较小加速(1 000伏到1500伏的阅读枪电子不通过绝缘部分，因此它们在存储层的表面上均匀地重新建立收集极电位，在TV扫描的情况下，在收集极电路中恢复pp工扫描记录的存储图象。3. 2. 2 透射调制管(;汉抢双抢透射调制营的结构如图2b所忘如同轰击生电导管一样，这类管型允许同时记录和阅读。除这类管子在控制的速率下允许信息同时记录、阅读和减弱逐渐攘除外，其工作类似于3.1. .

23、2条中所述的单枪营工作.通常是用于将pp工扫描转换为TV扫描，或者从一种TV校准转变到-另一种TV标准。这类管型的工作电位这样建立，使靶相对于记录枪阴板的电位高于交叉点的电压，因此相对于阅读枪阴极的电位仅为稍正的电位.对于备录，收集极电压转接到捆对于阅读抢阴极为负的电位，以致于通过靶孔的阅读束电子由于负电场作用被皮射到介质表面上，它使介质充电，某电位向阅读椅阴极电位方向下降.按3.1. 2条昕述的方法采用记录枪完成记录功能.对于阅读，果用研需扫描幅度偏转阅读电子束。收集极电位泊到相对于阅读枪阴吸为正的电位，其值决定于存储信息听需的衰减速率.介质上电畸型形为正的地方，阅读电子束通过靶孔并在输出电

24、极收集极上被收集。电;苟图形稍正的地方，较小百分数的阅读电子束通过孔，这个百分数与记录的信号电平有关.逐渐备录或囊减与阅读同时完成，并由海自收集极上的阅读束次级电子打到分介质表面研引起。备录速率可以控制.如果收集极被调到相对于这个表面的电位正得多，那么很少的次级电子能渡越负的电位梯度，基本上阻止了部分备录效应。由于阅读电子束并不打到介质表面，那么阅读过程基本上为非破坏性的，且存储图形不用重新记最能多次阅读。在降低收集极电位时，较多的次级电子能够到达介质表面并取得较快的逐渐备录速率.必须指出，收集极既从记录束也从阅读束接收信号。用标准的信号分离技术能避免输出中拍串音，例如果用阅读束的射频调制和使

25、用带通放大器，或者通过对收集板和记录减速握选择电压关系，以使收集极琦记录束的次级发射系数实际上为1。对于快速擦除，将输出电极转换到能反射湖读束的电压值，转换阅读!现榄枝i靶之间的电压关系到使靶再高次级发射系数的值，在许多应用中这种方式叮以取精.铃9* 3. 3 电子S J/Z9010.24-87 示存储营刁之营的结构如图8研示.它包括z一只产生大面积低通电子疏的泛射枪.采用一个后位于垂直于栅坡的轨道上。电极系统使此琪的一个准直透镜，通常包括啻壳圆锥部分的石墨涂层戒其它材料)，与壳同心的金属圆筒和收集次级电子的恻12Xo一只装有偏转装琶产生高速聚焦电子束的记录枪，其电流由控制翻按被记录的信息来问

26、酬。一个由高透明度支持栅上涂覆的绝缘薄膜存储表面组成的靶.存储表面在来自电子枪的电子轰击下能够发射次摄电子?因此借助于这种经南作用使得衷面电位得到局部改变。个工作原理如下z假定存储栅和存储表面的初始电位是稍正的电位并等于Vl(见图4a) 0 对着存储栅孔酌泛射枪电子通过这个栅并被加速向荧光搏，使黄光屏发光。乔:11余的哇射枪响予以低于第一交叉点电压见图12 )的低速度打到在堵在面，使存串表面充电，咒电位降到?芝射枪阴极电位，此电位被认为是零电位见图+b)。当存储表面已全?达到这个电位时，将拒斥泛射枪的其它电子.对于备录，给存储棒!加正脉冲Vz。由于电容锅台，存储表面的电位在开始将增加V!值见回

27、4C )。由于泛射枪电子维持作用拍结果，存储表面的电位将迅速恢复到零伏.当V，睐冲结束时，存储栅将恢复旦!它的起始电位Vs.并由于电容搞合，存储表面将到-V，的值。如果使V2足移大，泛射电子将被斥团，因此不能达到费光屏见图4d)。上述过程如图4f研示.对于记录，调整记录枪阴极电子至一电平上，在该电平上电子枪发出的电子以高速度(在第一和第二交叉点电压之间打到存储表面上，使记录电子束的每个初级电子产生一个以上次级电子.被这样轰击的区域升高到较低的负电位与备录期!肖建立的-V:.相比)，泛射枪的电子将通过靶到这荧光屏.通过的泛射枪电子数目将是记录过程中已经储识的电荷量的函数，也是记录束的调制、扫描速

28、率和其它一些因素的困数在黄光屏上观架到的图象与存储表面记录的电荷国影相对应。对于擦除(备录)，存储描薄一次加脉冲到V，值，研起的作用与前面解释相同圈4 C到图4f) 0 记录信息在规定区域的擦除能够利用另一只附加的聚焦和偏辑的电子抢来完成，该电子枪的阴极工作在零伏泛射枪阴摄电位)，或者如轰击感生电导管中，使电子在高于第二交叉点电压下着靶.利用扫描电子束，用这些方法中的任一种进行的称为选 铃10蕃SJ/Z9010.24 87 4 测湾方法4. 1 电输出管4. 1. 1 连续扫描的分辨在规定的工作条件下，记录一次标准光栅，然后垂直阅读.阅读信号的11._ 度在大问隔时与线!可再无关，而随!可隔的

29、线减小而减小。相对于大的钱_ n. .，_出信号，输出憧号峰m峰幅度是横过存储表面的直径或者管子具有垣形的情况F为存储表面对角线昕记录的线数的函数.分辨率特性是相对输出幅度与每直径式每对角钱昕记求的线数伯飞系才11是见圈5)0与O.5相对度分辨率对缸i也每直径琪每对角线昕记录的线数可以用作分辨率的T V线分辨率时，既要计算线数又要计算间隔，所给出的数值为上面告。注度半。当采用的在进行上述测量时，应该注意保证记录速度始终恒定，电子束在靶上尽可能成?臣，并且存储表面始终不达到饱和.4. 1. 2 棋盘格子扫描的分在规定的工作条件下，尤其是包括点的数量，在膏效存储表团内记上由基本方格构成的正方形阵列

30、，以形成棋盘格子图形.在此图形中相邻的单元有相反的特性见图6)0电子束开始扫描这个网络，记最脉冲的持续时间应该使被轰击点子在单强暴露在电子束中的情况F达到90%饱和.电子束再次扫描i漳州并在所有点上进行油渎。当阵列的点子有钱宽阔隔时，即认为被记录的和未记录的两种点子的阅读信号是处于它们各自的参考电平下.重复削制叙述的测量程序，增加存储表面每单位面识上点子的密度减小阵列的尺寸直到两种阅读信号之差与它们各自的、考电平之差相差一给定百分数。分辨率用降低到这种条件下的点子的密度来规定。然后可以计算在初始表面上可以记录的，可分开点子的总数.这就提供了表示管子分辨率的单一数回注.在每次记录以前，必须用阅读

31、工作或用分隔的镰除周期来完全擦除表团-4. 1. 3 连续扫描的记录速度在规定的工作条件下，记录一次标准光橱，然后垂直地阅读。如果线的问黯足以允许分开要记录的线时，则:淘读信号峰一峰幅度在低速度下与记录速度无关，但是，当记录速度增大时，阅读信号峰-峰幅度就随之减小。开始时用产生饱和的记录速度，在较高的记录扫描速度F连续擦除和重新记、录光楠，阅读速度保持值定，信号幅度被减小到饱和值的规定分数为止.记是速度的全特性用记录速度与出电平的函数关系曲线来表示如果希望规定曲线上单烛点的记录速度昕采用的电平为饱相电平的90%。备11.昏S.T / Z 90 1 O. 24一87W俞一4. 1. 4 棋在格子

32、扫描的记录时间在记录期间，当电子底指句各断续位速度的概念.，每!I.元记录时间的慨念应记录与测量分辨率(4.1.2条研规定的条件和采用的程序完全捆商，将每个试垃点记录到饱和。在细读工作时阁，记下从i已是点中产生的平均每号幅度。然后采用规定的束电流值擦E幸存储衰面持准备重新诏录.确、寇在饱朝电平捕魏$百分数，例:tzn9 0 %相应的电平下记录一个点研需电子束增强电形脉冲的持续时间，认为这个电子束增强脉冲的持续时间郎泊在规定的束电流下每单元的记录盹阔见回7)。4. 1. 5 连续扫描的阅读在单独记录工作之后，进行存储啻阅读次数的叫凰.在规定的工作条件下，在与饱和电平的规寇百分数相对应的电平下记录

33、一次标准光棚。然后用垂直取冉的标准光栅重复进行阅读，由存储在面中心在离子斑点充气失真的区域附近的相对输出幅度的变化与阅读扫描次数的曲线圈，在任何规定的存储图形幅度变化下的明读次数。要采用单值时，推荐在规定的束电流下，相对输出幅度变化到它的起始值50%时的通读次数。注z对于观电平工你，选择高于90%的饱鞠值s对于降低的灰度标尺工作，选择在饱和值的40%和60%:Z.叫4. 1. 6 棋盘格子扫描的阅读次数在规定工作条件下(4.1.2条), 数的棋盘格于自晤，试验胡其余部分与述相i司.4. 1. 7 棋盘格子扫描的阅读时间只加一夜扫扫记录包含规定E个点平(4.1. 5条研在规患白宫作象件下，在整个

34、在敛，存锚国上记录正方形点阵或短形点阵.交锚的模列阳纵列仅由，锢豆配合的点子掏成，除试瞌因的边攘外，所有其v它的点代表被记录的点子见图8)。因此阵列中任何被记录点子都被八个相互配合的点子-:!亩。在高于90%的饱和电平下记录试验点予。在第次阅峡工作期阔，i己F从说.5.iji可可用与阅读特性(4.1.5，4.1.6，4.1.7和4.1. 8条同样的方法4. 1. 1 7 动态衰减时间动态衰减叶阔的测量与阅读特性的测量(4. 1. 5 , 4. 1. 6 , 4. 1. 7和4. 1. 8条相同-应该在相对输出幅度规定的衰落F用每单元的阅读持续时间表示结果。每党栅者效扫描时间x阅读次数动态衰减时

35、间=一光栅区域中萌包含的存储禧元数目 光栅区域中听包含的单元敬目是由分嘴率或周围阅读次数和使用的存储区域部分确定。4. 2 圈象输出营4. 2. 1 分辨率记录一次标准光栅，然后在规定的工作条件和观事条件等下用视觉阔隅。记录的光栅线对于宽阔隅易于辨别，但是随着阅隔的减小就耀成比较均匀的色。采用标准光跚连续地进行营子的阅读、擦!在相再记录，并逐渐减小线阔的问睛，到不能用肉眼分清记录图形的各条单独的纯为止。于是就达到了管子的极限分辨率。管子的极限分辨率用每单位妖度的线敬表示，等于饲/h 式中，n为光栅的钱数，h为极限分辨率条件下的光栅高度。为了全面地确定管子的分辨率，应保持智子的工作条件不变，在垂

36、直方向进行。为能分析偏转散焦和1象茬，分静率口j在下夕lJ条件下测量E(a) 中心处的分辨率掬量，电子束在中心聚焦。(b) 沿着直径或对角线在从中心到边娃的9/10距离的一点处分辨真较响，电子束在巾!心罪?菜。(C) 在(b)中规定的点处测量分辨率，电子束在该点聚焦注s记录束电流、光栅尺寸、扫捺速度和输出亮度的健应包括在要规定的工作条件中-4. 2. 2 记录速度记录速度从4.2. 1条申既述的11:lh剧泣的相同。面职记录速率为Wh/t. 式中zh一一)Y;栅高度，W一一咒;1栅理度s* 15铸的过程中取条件相程序导读S.T/Z9010.24 87 t一一每光栅的时记录速度hW/t能够由面积

37、记录速率被线的宽度h/n除计算出来， 为光掘的线数。记录速度由记录速度与发射光的曲线全面地确定。如果希望规定曲线上单一点的记录速度，昕果用拍电平为饱和电平的90%。4. 2. 3 记录时间某些图象输出的存储管用于记录字符。在这种情况下，记录时间的到量应代替记录速度的叫且。存储表面并在包括束电流值的规定工作条件下确定记录字符，符号或二进位数昕需的电子束增强脉冲的持续时阁。这个脉冲的持续时间作为规走的电子束电流下每数字、每符号式每二进位数的记录时间。对于能够存储灰度色的管子，应该给出记录字样明能达到的饱和电平的百分数，例如190 %。4. 2. 4 观察时用重叠线记录标准光栅到饱和亮度，然后靠近屏

38、中心测量乎在度电平对于这种由于只要求相对的亮度读数，因此测量仪表的光灌响应并不重要)0之后将光栅擦除到起始亮度电平的规定百分数，并再测量亮度.连续地观察营子，并测量亮度电平规定百分数引趣的亮度电平变化通常采用增加昕需的时间!可隔。此持续时间称为听用阅读束电流相对应的观事ihf闷。应该察时阅听用的任何手段.国职擦除率仅适用于果用选择擦除的显示管。条件，尤其是为增加观4. 2. 5 术语为了位置使得此必须使构成面职擦除率，扫描擦除电子束以构戒标准光棚，调节读光栅的尺寸和在记录光栅的范围内。调节记录条件使达到饱和电平的规定百分数光栅的线重叠到足以给出完全均匀的擦除图形换句话说，每条线是不可区分的)0

39、 在规定工作条件下，在存储麦丽上记录，然后在控制条件下擦除控制擦除之后阅读和最后完全擦睐，增加控制擦除的每光栅的时间或这些光栅的数目直到使已经受控制擦除的面棋的亮度雄小到饱和电平的规定百分数为止.面职擦;津率由公式hW/ t N给出.式中ah-一试验擦除帧的高度，t一一每试验擦除帧的时阔，W一一试验擦除帧的宽度，N一一试验摞除帧的数目.4. 2. 6 擦除速度术速度仅适用于采用选择擦除的 为测量直线想嗓率茹擦珠速度，记录标准光栅并调节记录条件使达到饱和电平* 16 4串S J / Z 90 1 O. 24 87 的规定百分数，用合适间嚼的线擦除此光栅，连续地重复记录，逐渐察除控制除)、阅读和全

40、部擦除。然后增加控制擦除光栅数或每光栅的时间宦到使已经受选挥擦隐的面职的亮度减小到饱和电平的规定百分数为止。除速度为nW/t N，式中侃为控制擦除光栅的线数，其它符号的含义与4. 2. 5条指出的相司。4. 2. 7 维持电子束擦除时在规定的擦除条件下，维持电子束使输出亮度从起始值减小到这个值的规定百分数研需要的时间作为擦除时间。记录类似于4.2. 1条申使用的矩形光栅到规定的亮度。然后擦除此光圳，使管子处于擦珠条件规定时间，重复此程序，并改变擦除时间直到取得研需的擦除程度.4. 2. 8 保留时为测量保留时间，在记录信号的瞬时和阅读戎擦除存储信息。留时间的瞬时之间不应重新记录，如果用维持作用

41、，应该说明这种方法，在规定的工作条件下，在饱和电平的75%到95%下记录标准光栅。绒的间隔应允许100%的输出幅度(4.1.1条)，然后截止管子的全部电子束一规定时间，而其它电极上的电压取合边的待甩筐。在休息一定时间后，再现图象并测量记录面积的亮度。重新开始记景，休息和亮度测量工作直到起始亮度对休息后拍亮度取得规远均比佳为止。于是此休息时阂为保留时间。对于介质的温度显著影响保留时间的管子，应规定翻量期I苟且温度条件。4. 2. 9 信号暗影比在没有存储信号时，调节观察条件使瞥了F最黑暗部分的亮度是在树觉功夫妇界内。采用测最管子存销表面的规定小面$1浅出的强度的光度计?确定本院的最大亮度区域，并

42、拥量这个亮度B在见9)。在吨二将屏住i提个表面记录到使得某些部分刚好达到最大在度，而没有任何点的电平饱和。果理却样的光度计，哥哥注:最大和最小亮度的区域，并翻它的亮度Smax和Smin存储信号的平均亮度由A押对本底的最大亮度B的比值即为信号本底暗影比野萝存储j言号的平均亮度 A 可存恪信号峰一峰变电量(Smax-Smin)的比值即为存储信号对信号暗影比。当进行这种拥盘时，恕端不计局部i攻陷.4. 2. 1 0 信号干扰比工件条件与4.2. 1条中研述的相罚。在没有存储信号时，调节观事条件使得雷子最暗部分的亮度刚好在视觉消失的界眼内。果j吾有效孔径不跑过线宽的光度计，沿着几个直径检查表面。测量本

43、照亮度韵母一晦变化量D剪见阁11)。然后把整个表面记录到使得最大乎在点;轮好低于拙和的电平。再用同样的光度计:位若相同的直径检市在面并翻过存储信号的乎均亮度A 以及这个白皮的路甲盹变化普17公S.J/Z9010.1伫巴一一一一一一一一一 C ，平均亮度A 对亮度的峰-峰变化量C的比值即为存储信号对信号干扰比。平均亮度A对没有存储信号时背景亮度的峰-峰变化量D 的比值即是信号对本底干扰比。当进行这种测量时，忽略不计暗影和局部缺陷。馅!tre 偏转系统金属化表D o 靶输出电子枪收集极输出阻挡栅输出图1a 阻挡栅啻Il!. r l). * 1.1.; Il!. r丁k成tl且-揣一4放-BJ -z

44、d 一出二酬aqaqaq到U11tt 输!iitUI且的比悦)ilIT :1八飞，. 锦4tf 11;1 jrjALiai 4、Iifl冽的变化也IJ.h革己国1b 单枪透射调制存储管* 18 * 靶* m问NCOH。MWAM-斗k:法怆输入信UL:;杨f- 飞D转系统口口电生电导管击出信号收集悦图2a偏转系统阅读枪* i i:l -支偏将阅读侃付出击可, .-输入信亏。1 嘈 l浏王闰4 制+。.庐。唰刷+. D4T圈-25。-dwdT圈枪-屠214骨2 4: 87 SJ /Z9 010. + V2 V1 飞2ill-、1。. , . sl- , . . 飞，、vgi 、h。存靶* -V2

45、串22l1ii 申的电子!iil 4 S J/Z9010.24-87 存储线阅读，tJ锚Ji向If.储.lJIIj50% Jn ll% 1 , 咂l飞相对输出成旅形w输对r.帕在分辩嘟出制锻，%) 1 4 00 1 :.00 300 每条ti古里也对角线的钱戴圈5分辨率的串23蕃SJ / Z 9 0 1 O. 2 4 8 7 x。vh。xox。MAOX。u，。x。x。dn。VAOV，。x。XOUAOX。x。vp。x。x。只。xox。反。1。反。xox。x。JF。兴。x。XOJA。JA。vp。x。XOMA。Jz。dA。x。xox。JX。x。vhoxoxeuA。XOU户。dA。XOXOVA。KdA

46、OX。MAOVAX一记录点。-A记求点100 90 50 。图6采用棋盘格子扫描时的分辨率的电3f 饱和南平录时间屯子束增强脉冲的持续时间图7记录时间的曲线* 24蕾m问NC。闷。MWhmit4 x-记褒点。-相互作用点t来记录点知j* 。ua。x。x。汰。熬。aox。x。只。xo。oxox。ROKOX。06。xox。反。户ex。KOX。K。dA。MA。围阅阁8N 巳刀* Sma翼A A一-平均输出B一一路-蜂本S一一输出馆号S侧n8 习飞彰的圈9F S .T / Z 90 1 O. 2 4 8 7 图11&没有存储图11 A-平均输出馆号幅度C一脉冲顶部的峰一峰变化D-本底干扰的峰-峰幅度.10 电输出扰图示饱和咆平。电平A l1b 有存储信号A-量高亮度电下的平均回111C一-馆号子拢的峰一路变化D 2尔底干扰的一饰变化.出扰的图示A 串26 mhN。同。MWAFt-4 第二交叉点一一一一一一一一一一交叉点 一一一、，-次极发射系数* N _, * 对阴极的电压发射表J欠典型的次级发射曲线图12