SJ 50597.1-1994 半导体集成电路JT54LS85型LS-TTL四位数值比较器详细规范.pdf
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1、中国电丁FL 5962 SJ 50597. 1 94 -Detail specification for type JT54LS85 LS-TTL 4bit magnitude 。fsemiconductor integrated circuit 1994-09-3(发布一中华人民共和国电子工业1994-12-01实批准 中华人民共和子行业军用标半导体集成电路口54LS85型LS TTL四位数值比较器详细规范Detail specification ror type JT54LS85 LS TTL4bit magnitude comparator or semiconductor lntegr
2、ated circuit 1范1.1 主题内容SJ 50597. 1 94 本规范规定了硅单片半导体的详细要求.成电路JT54LS85型LSTTL四位数以下简1.2 适用范围范适用的研制、生产和1.3 本规范给出的器件按器件型号、器件1.3.1 器件编号 、式、值和号应按GJB597(微电路总规范第3.6.2条的规定.1.3.1.1器件型号型号如下z器件型号件名称JT54LS85 四1. 3. 1. 2 器件等级作条件分类.器件等级应为GJB597第3.4条所规定的B级和1. 3. 1. 3 封装形式的Bl级.封装形式按GB7092 (半导封装形式如下:电路外形尺寸的规定。字母封装C I C2
3、0P3(陶瓷无引线片D I D16S3(陶程双列封装F I F16X2(陶鳖平封H I H16X2(陶瓷熔封平封装J I 116S3(陶封双列封装中华人民共和国电子工1994-09-30发布式1994-12-01 一1一SJ 50597.1 94 1.3.2 绝对绝对最大额定值如下z项目符号数单位小最大电电压V 一0.57.0 V 入电压V1 一1.57.0 v 贮存温度Ts -65 150 斗 功耗1)Po 110 mW 号I。08)Tb 300 T1 175 注:1)2)除按GJB548(微电1.3.3 推荐工作条件作条件如下z出流(105 方法5004, 项目.符号单位最小 最大V 4.
4、5 5.5 V 电平电压V田2.0 V + 入低电平电压V且0.7 v 出高电平电流IOH -400 uA 出低电平电流IOL 4 mA 工作环h -55 125 2 引用文件GB 3431. 1 82半导体集成电路文字符号电参数文字符号GB 3431.2 86 半导体集成电路文字符号引出端功能符号GB 3439一82半导体集成电路TTL电路测试宽法的GB 4590 84 半导体集成电路机械和气候试验方法GB 4728. 12 85电气图用图形符号二进制逻羁单元GB 7092 半导体集成电路外形尺寸GJ B548 88 微电子器件试验方法和程序GJB 597 88 微电路总规范GJB 1649
5、 93 电子产品防静电放电控制大纲3 3.1详各项要求应按GJB597和一2一规定.SJ 50597. 1 94 3.2 设计、结构相外形尺寸设计、结构和外形尺寸按GJB579和本规范 3.2.1 逻羁符号、逻羁图租引出号、逻辑图和引出端排列应符合图1的规定.,引出为俯视图.符号(D、F、H,J型83 U 1 lfi U VCC A I 11 13 I 7. fA跑D!1z口t A三Br I 6 tt I 1 IIt , F r 叫AZ 16 t 8 7 15吨I! A= B a 问嘈1119101117.1 :1 国。:r. KB, A. B% BI x AI AI E BI Ao B FA
6、B 20 uA V1=2.7V 入端J60 V=5.5V, AB 100 uA V1=1.0V 其余输300 Vcc=5.5V, AB -0.4 mA Vi=0.4V 其余输一1.2V=5.5V 一20一100mA Vcc=5.5V 20 mA CL=15pF士10,A ,B FAB. FA用42 RL=2kO士5.%c=级门Vcc盟5.0VA.B FA_B 2 42 E四-门AB 25 二级门CL=15pF士10.%AB,A=B , RL=2kO士5.%FAB FAB.A=B FAA=B ,FA_B (-级门36 -的有关分组.各个分组的电3的规定.-5一SJ 50597. 1 94 2电
7、项目分3) B BI 中中间老化后电A1 A1 A11l A11l A2.A3.A7.A9 A1.A2.A3.A7.A9.A10.A11 A2.A3.A7.A9 A一c-c点A1.A2.A3 A1 .A2.A3.A7 .A9 A1.A2.A3 的A10.A11 A1.A2.A3 D组终点电测试A1.A2.A3 注,1)PDA 见4.2条).3 JT54LS85电小分组引用GB 3439 条件.TA=25C) 单位Al Vo M条I v,嚣川V.VI=2. OV .Vu. =O. 7V. I佣=一0.4mA.2.5 v V=4.5V.V田=2.OV .VI=O. 7V. 1(跑回4mA0.4 v
8、 Vo也2.5条VDt 2.1条Iv,酷4.5V.ll1t=-18mA 一-1.5 v 1, 2.11条V=5.5V. V1=7.0V OV. AB.AB.AB.AB. CL=15pF士10%35 RL2kO土5%A.B-FA_B 图236 -门-卜AB.A=B. F 22 ns 二级门A=B FA_B B. FAB.A=B. 2 F 17 ns 二级门A=B FA_B B.A冒B.,F 30 (-级门A=B FA_B 门A岳-FABA=B FAB _n门A=B FA=B 门b 也r2.7V .3V .3V 固 I . 42 :lV 。VVOII VOL 39 28 26 36 4 t P1.
9、 H -一-VOfl , I .3V I . E 曲L6 VOL tPIII 图2负载线路和波形图tw = 500ns I t. 15ns I tp6由If=lMHzl 占空比,q=50%.二级管型号为2CK76.一8一单位ns SJ 50597. 1 94 3.6标志标志应按GJB597 3.7 微电路组的划分本规范所攒及的3.6条的 应11 电路组见GJB597附录E).4 定另日范和问规定时本鉴击,除在4肉,anan, 检验程序应按GJB597和GJB548方法5005的规定.致性检验之刑,件应按GJB548方法5004和本规范表4的规定进 表4若无其他规定,表中采用的方法系指GJB54
10、8的试验方法条件和要求BI 说明自 方法i条件目检2010 2010 条件BB 2001 2001 件F.Y1方向件D.Y1方向目.引线断落、外壳破裂、封盖脱落为失效.中阿老化前电试本规范Al分组本规范Al分级|由选择是否进行.老化1015 I试验条件D度:125-C 时间:160h) 10151试验条件D: 125C 时间:160h) 按本规范图3线路或等效 中间老化后电试Al分组范Al分组-9一 SJ 50597. 1 94 续表4条件和要求筛目B B, 说明方法条件5%本规范A1分组.当不合格品率不超过10%时可重新提交老化,但只允许一次方法条件10% ,本规范A1分组。当不合格品率不超
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