SJ 50033.50-1994 半导体分立器件.QL73型硅三相桥式整流器详细规范.pdf

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1、中FL 5961 国7 1 I 、电3去 IJIL SJ 50033.50 94 Semiconductor discrete device Detail specification for type QL73 siJicon three phase full wave bridge rectifier 1994-09-30发布1994斗2-01实中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件QL73型硅三相桥式整流器详细规范ST 50033.50 94 Semiconductor discrete device Detail specification for ty

2、pe QL73 silicon three ph描efull wave bridge rectifier 1 范围1. 1 主题内容本规范规定了QL73型硅三相桥式整流器(以下简1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采刑。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级)的详细要求。按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证别用字母GP和GT表示。2 引用文件GJB 4023 86半导体分立器件第2部分:整流二级管GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB3

3、3和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为铜材，引出端表面3.2.2 器件结构。器件采用二极管管芯直接烧结在基片上装入外壳，用环中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布，利用、特军，分1995-12-01 1一SJ 50033.50 94 3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合本规范图1的规定。q q q q M CI 国.ON。，-z SIla-teav , 。aI I I I I r、J，町、，-60 70 图1QL73型硅三相桥式整流器外形图3.3 最大额走值和主要电特性3.3.

4、1 最大额定VRWM 101) 1FSM TOP T , Tjm低电压型号T = 55t T = 55t tp = 10ms (V) (A) (A) (t) (t) (t) (Pa) QL73D 200 QL73F 400 20 120 -55- + 125 -55- + 130 125 2400 QL73H 600 QL73K 800 注:1) T 55t.按286mA/t线性3.3.2 主要电特性(TA = 2St) 。2一SJ 50033.50 94 唰3.4 电测试要求电测试应符合GB4023和本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样

5、和检抽样和检验按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT级)筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。选测试或试验(见GJB33的表2)3 热冲击为-55C. 10次外，试验条件B。(温环)4 fE定加速度不要求J恳5 密封不要求6 高温反T A = 125C 7 中间参数测试IR1 VFM 8 工作热循环见本规艳4.5.2.环为720次。 , 本市表1的A2分组9 最后测试LJ.I Rl =初始值的100%或1A取较大者;LJ. VFM = :tO.1V。4.4 质量一致性检验质量

6、一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。3一SJ 50033.50 94 4.4.3 C组C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验和试验方法试验方法应按本规范的表1、表2和表3以及下列规定。4.5. 1 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2 工作热循环进行本试验时，器件的交流端输入50Hz三相正弦波电压，保持器件的输出电壳温度为55C。通电时间tl8min，断电时间t2二三2min为一个循环，断电期间降20C后，开始下一

7、个循环。4.5.3 为20A、管下金属外壳接地，所有线端子接到直流电源高压端，在壳和接线端子之间电压2000V， 并保持10s，反向电流不超过10A为合格。表1A组检验, GB 4023 检验或试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值A1分组5 外观及GJB 128 2071 A2分组5 正向电压(单管)N- 1. 2.3 IFM = 20A VFM 1. 5 v tp = 300s 占空因数2%反向电流(单管N- 1. 4.1 VR = VRWM IR2 10 A A3 5 高温工作TA = 100C 反向电流(单管)N- 1. 4.1 VR = VRWM IR2 200 A A6分组10

8、 浪涌电流(单管)见本规范Tc = 55C 附录A施加10/3, IFSM = 120A tp = 10ms 每间隔1min次共10次。最后测试见表4步1和2A8分组见本5 绝缘强度范4.5.3极到外壳加直流电压IR 10 A VR = 2000V 4一或Bl分组可焊性久性B2分组热冲击(温度循环)最后测试g，B3分组工作热循环最后测试gB6分组高温寿命(非工作状态)最后测试:检Cl分组外形尺寸分组引出端拉力 综合温度/湿度周期外械检验最后试:分组冲击变频振动最后c5分组 低气压(适用时)期间测试反向电流SJ 50033.50 94 表2B组捡方法2026 1022 1051 GJB 128

9、条件低温为-55t，循环10次外.其余同试验条件B。见表41和2见本规程4.5.2循环1000次见表4步骤1，2和31032 I TA = 130t 见表41、2和3表3C组方法2066 2036 1021 2071 2016 2056 1001 GB 4023 N- 1. 4.1 GJB 128 条件见图1试验条件A力:20Nt = 105 省略预见表4步1和2见表4步骤1和22400Pa t = 60s VR = VRWM 见表42 LTPD 15 10 10 7 LTPD 15 10 10 15 5一8J 50033.50 94 续表GJB 128 或试验方法条件 环2000次分组工作热

10、循环最后测试:见本规范4.5.2 见表4步骤1，2和3表4A组、B组和C组电测试步GB 4023 检符号方法条件1 正向电压凹-1.2.3IFM = 20A tp = 300s 占空因数2%2 反向电流N- 1. 4.1 VR = VRWM 3 反向电流变化N- 1. 4.1 VR = VRWM 注:1)本测试中1Rl超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明6. 1 预定用途符合本规范的器件提供新设备设计使用和供现有的后勤保6.2 订货资料合同或订

11、单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号;b. 等级(见1.3.1);c. , d. 需要时的其他要求。VFM IR1 .I Rl l) 。LTPD 10 极限单最大值位1. 5 V 10 A 初始值的A 100%或1A，取较大者6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6一Al 目的SJ 50033.50 94 附录A正向不重复浪涌电(补充件)在规定条件下，验证二极管正向(不重复)浪涌电流的额定血。A2 电路图T R1 D 81 R. 图A1正向(不重复)浪勇电流试验A3 电路说明和要求AF一一测试通过被测二极管

12、正向平均电流的仪表;Y一一峰值读数仪表或示波器;D一一被测二极管;R3一一取样电阻;Rl一一-正向平均电流调定电阻;R2一一浪涌电流的调定电阻;T一一控制器;S1一一向被测管提供正向平均电流劫电源;但一一向被测管提供正向浪涌的电侃;R! s z 流过被测二极管提供正向平均电流应与正向浪涌电流相位应一致(见图A2)。一7一SJ 50033.50 94 、I I目IFM 图A2IFSM与IFM的相位示意图图中:I .FSM -一一正向浪涌电流;IFM一一正向峰值电流。A4 测试步骤a. 将SI和S2两电源都调至零;b. 将被测管按其极性标志插入试验台的管座，并检查环境阻皮EC. 调节SI和阳，使A.F=测得的正向平均电流达到规定值;d. 调节S2和R2.从Y上测得的峰值电压观测正向液涌电流达到规定值;e. 开启控制器，按下述规定的条件对被测管施加正向浪涌电流。f. 根据试验后的测试来验证被测管承受E向浪涌电流额定值的能力。A5 规定条件a. 正向浪涌电流的数值;b. 每次浪涌的周波数、琅涌次数和C. 环境温度:d. 试验后测试项目、极限值、测试条件。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第八七七厂起串。 , 本规范主要起草人:陈志芳、张滨、金贵永。计划项目代号:Bll031o 8一