SJ 50033.47-1994 半导体分立器件.2CZ117型硅整流二极管详细规范.pdf

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1、中FL 5961 , 1994-09-30发布 ，、电SJ 50033.47 94 3全军1)1(, Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ 117 siIicon rectifier diode 1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准IF华人民央和国电子行业军用标准1 浩田1. 1 主题内容半导体分立器件2CZ117型硅整流二极详细规范SemCzmductor iscrete device Detail specification for type 2CZ117 silicon rectif

2、ier diode 本规范规定了2CZ117型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等极SJ 50033.47 94 按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GPGT和GCT表示。2 引用文件GB 4023 86半导体分立器件第，部分整流二极管GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求

3、应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端涂层引出端表面应镀锡。对引出端涂层另有要求时，在合同或订货单中规定(见6.3条)。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实一1一SJ 50033.47 94 3.2.2 器件结构在芯片的两面和引出端之间采用高温冶金键合，外形封装为玻璃钝化封装。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合图1的规定。L G L L1 L、是1 2 尺寸口un符号q必11. 4 rpD 4.0 G L 25 LI L2 16 注:1) L2为引线弯曲成直角后器件

4、安装的最小轴向长度。图1外形图3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值VRSM VRWM (V) (V) 2CZ117B 75 50 2CZ117C 150 100 2CZ117D 300 200 2CZ117E 450 300 2CZl17F 600 400 I01) T L = 25t: (A) 5 注:1) T A25t:时.按40mA/t:的速率线性降棚。TL应为i管体10mm处的引线温度。2一FSM TA =25t: VR= VRWM tp= 10ms (A) 100 D max 1.6 5.5 6.5 31 1.5 Top Tstg (t: ) (t: ) -55-1

5、50 -55-175 低气压(Pa) 1066.5 SJ 50033.47 94 一一一一一黯3.3.2 主要电特性(TA=25C) .,_ ,., -古区、.1l(孟VFM1 IR1 IFM= 15A VR= VRWM VR = 1V，叩MTA = 100(; 型号(V) 工丛i叫Al-咽气- 最大值最大值最2CZl17B 2CZl17C 2CZl17D 1. 60 3.0 50 2CZ117E 2CZ117F 呻E3.4 电测试要求电测试应符合GB4023及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规班的规定。型号标志可不限于一行内，制造厂可省略下列际志:a. 制造厂的识别;b.

6、检验批识别代码;c. 型号命名中的2C部分。3.5. 1 极性器件的负极端应采用鲜明的色带标记，以示出的极性。4 4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)qB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行。(见GJB33表2)3.热冲击4.恒定加速度5.密封7.中间电参数测试8.电老化3一SJ 50033.47 94 一一一一表一一一一一一筛选(见。J1333裴2.)试或试一431s 最后测试本汉市表1的A2分组;LlI Rl =初始值的100%或0.3，.A.取较大者:LI VFM1 =士

7、0.1V。一4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行04.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变规范表4相应步骤的规定。4.4.3 C组检验C绍:金验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量(. )的要求应按本甥提襄4相应步骤均切!定。( . )的要求应按本4.巴拉Htfl拭验I法检验和的验71了注132投本规范相应的表和下列规定:4.5. 1 稳态工作寿命:在器件的反向施加规定的正弦半搜峰值电压，接着在正向施加规定的正弦半波平均整流电流，整流电流的正向导通角应不

8、大于180.，不小于150.。4.5.2 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3，321的规定。表1A组检验一中LGB 4032 极值检验或试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值分组5 观及机械检GJB 128 2071 -叮，-分织5 句也压W咱1，2. 3 TFM = 15A VFM1 1.60 v t p 300s S运二2%句电流N-l 4 . 1 VR = VRWM IRl 3.0 ,.A -+ 分组5 湿工作:TA = 100C 内电流:N-l 4 1 VR = VRWM I R2 50 A 阻工作:TA = 55C 向电压;N-l 2 . 3 IFM =15A VFM3 1

9、. 75 v tp = 300ms A 心正反A3 !苦苦反低正4一SJ 50033.47 94 续表1GB 4032 极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条件最小值值在运二2%A6分组浪涌电流N- 3.1 TA = 25 C VR = VRWM IFSM =100A tp = lOms 每间隔1min1次浪涌，共10次。最后测试:按表4步骤1和2表2B组检验GB 128 检验或试验LTPD 方法条f牛B1分组15 可焊性2026 标志耐久性1022 四分组10 热冲击1051 除-55C外，其余条件条件F-1。最试:按表4步1和2B3分组5 稳态工作寿命1027 TL = 25C Io =

10、 5A VR = VRWM f = 50Hz 正弦半波最后测试按表4步1、2和3B6分组7 高温寿命(非工作状态)1032 TA = 175C 最后测试:按表4步1、2和3表3C组检验GB 128 极限检验或检验LTPD 符号单位方法条件最最大C1分组15 外形尺寸2066 见图1分组10 5一、SJ 50033.47 94 GB 128 限值检验或检验LTPD 符号单位方法条件最最大值热冲击1056 试验条件A引出度2036 拉力|试验条件AF = 40N 弯曲!试验条件EF = 20N 度/湿度1021 省略预处周外观及机械检2071 最后测试:按表41和2C5分组15 低气压1001 试

11、件D试验期间测试t = 60s 反向电流GB 4024 VR = VFWM IR1 3.0 A c6分组A = 10 稳态工作寿命1026 TA = 25t 10 = 0.5A VR = VRWM f = 50Hz 正弦半波最后试:按表41-2、和3 表4A组、B组和C组的电测试GB 4023 极检验或检符号单位方法条件最1 l正向电压N-123 I/FM = 1.5A I V;阳11.60 V tp = 300s 2% 2 !反向电流N-141 I VR = VRWM I IR1 3.0 A 3 I反向电流变化N-141 VR = VRWM .61 Rll) I初始值的100%A 。.3.取

12、较大者。 注:1)本测试中1Rl A组极限值的器件不应接收。5 交货5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。6一 时50033.4794 5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容z8. 本规范的名称和编号:b. C. (见131); , d. 需要时，其官要求。 。6.3 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。中规定(见321)。如使用单位加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营八七三厂础甲。范主要起草人:程勇、刘东才、金贵永。计划项目代号:B21027。 一7一