SJ 50033.43-1994 半导体分立器件.2CZ104型硅开关整流二极管详细规范.pdf

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1、中FL 5961 F 1994-09-30发布k 电-SJ 50033.43 94 主3去z1)11. Semiconductor discrete device Detail specification for type 2cZ104 silicon switching rectifier diode 1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准1范1. 1 中华人民共和国电子行业军用标准 半导体分立器件2CZ104型硅开关整流二极详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for type 2cZ104 silico

2、n switching rectifier diode 内容SJ 50033.43 94 本规哉规定了2CZ104型硅开关整流二极管以下简称器件的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采用-1.3 分类本规植根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等极按GJB33D G L LI LI 注:1) L.为引线弯曲成直角3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值V阳MVRWM 型号(V) (V) 十2CZ104B 75 50 2CZ104C 150 100 2CZ104D 300 200 2CZ104E 450 300 斗2CZ104F 600 400 2

3、CZ104G 750 500 2CZ104H 900 600 2CZ104J 1050 700 2CZ104K 1200 800 一2一尺寸 口lln0.72 25 12.5 装的最小输向议度。图1外形图101 1FSM TA=80C TA=25C VR=VRWM tp=10ms (A) (A) 0.3 6 D2-10A m且X0.87 3. 5 5.0 1.5 -T op T咆CC) CC) 一55-150-55-175 低气压(Pa) 1066.5 注，1)TA80C时，按4.28mA/C3.3.2 主要电特性(1A25C) VFM1 lFM=0.9A tp=lOms 型号(V) 2CZI

4、04B 2CZI04C 2CZI04D lCZl04E 2CZI04F 1. 8 2CZI04G 2CZI04H 2CZI04J 2CZI04K 3.4 电测试要求SJ 50033. 43 94 。IRl VR=VRWM A)最大值50 电测试要求应符合GB4023、GB6571及本规范的规定。3. 5 标志IR2 tn VR=VRWM h=50mA TA=125C VR=lOV &=750 (A) s)最大值最大值50 2 标志应符合GJB33和本规范的规定。型号标志可不限于一行内，制造厂可省略下列标志zaJ 制造厂的识别pb. 检验批识别代码;C. 型号命名中的2C部分。3. 5. 1 极

5、性标志器件的负极端应采用鲜明的色带标记，以示出器件的极性。4 保证规定4. 1 抽样和检验和检4.2 鉴定检验GJB 33和本规范的规定。定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选仅对GT和GCT级J GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。 一3一 筛选见GJB33表2)、3.热冲击4.恒5.密封SJ 50033. 43 94 不要求不要求一55C外，其余同VFM1和lRl试或试F. 7.中间电8.电老化TA=25 C lo=0.3A VR=V阳Mf=50Hz 正弦半9也最后测试1的A2分组silIR1=初始值的100%或0.3队，取较大者

6、，VFM1=士0.1V 4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33和本规也的规定.4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的4.4.2 B组检验进行。B组检验应按GJB33和本规施表2的规定进行。4.4.3 c组检C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行范表4相应步骤的规定。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规施相应的表和如下规定:4.5.1 稳态工作后测试和变化量(.6)的要求应按本规在器件的反向施加规定的正弦半波峰值电压，接着在正向施加规定的正弦半波平均整流电流，整流电流的正向导通角应不大于180.，不小于150. 4.5.2 脉冲测试冲测试条件应按GJB

7、128的3.3. 2. 1的规定.Al分组A2分组正向电压反向电流-4一方法GJB 128 2071 表1A组GB 4032 条件I JV -1 2 3 I T FM = O. 9A t = 10ms 82% IJV-l4llvR嚣VRWML丁PDI符号5 5 I l R1 最小值单位1.8 I V 5. ,0 |A 检验或试验A3分组高温工作g反向电流2低温工作g正向电压:A4分组反向恢复时间A6分组涌电流 最后试g检验或试B1分组可焊性标志耐久性B2分组热冲击最后测试:B3分组稳态工作寿命试B6分组寿命(非工作状态最后测试g方法N-1.4.1 N-1.2.3 GB 6571 2. 1. 4

8、. 2. 3 N -3.1 SJ 50033.43 94 续表1A组检验GB 4032 极LTPD 符号条件最小值5 TA = 125C VR = VRWM IR2 TA =- 55 C IFM =0. 9A VFM3 tp = 10ms 82% 5 Ir = 50mA t VR = 10V RL = 75!l 脉冲前沿小于O. 1 t 10 TA = 25C VR = VRWM IFSM = 6A tp = 10ms 每间隔1分钟1次浪涌，共10次。见表41和2表2B组检验方法2026 1022 GB 128 条件1051 一55C外，其余同试验条件F-1.见表4步骤1和21027 .1 T

9、 A = 25 C VR = VRWM To = 0.3A 1032 f = 50Hz 正弦半波见表4步骤l、2和3TA=175C 见表4步骤1、2和3限值单位最大5.0 A 2.0 V 2.0 s LTPD 15 10 5 7 -5一SJ 50033. 43 94 表3C组检验GB 128 或检验LTPD 符号方法条件C1分组15 外形尺寸2066 见图lC2分组10 热冲击1056 |试验条件A引出端强度2036 拉力 A F=20N 弯曲综合温度/湿度1021 期试验外观及机2071 最后试:见表4步1和2C5分组15 低气压1001 |试验条件D试验期间试It目60s反向电流GB 40

10、23 IVR = VFWM 1RI 1V -1.41 C6分组= 10 稳态工作寿命1026 ITA = 25 C 10 = O.3A IVR = VRWM 1I = 50Hz |正弦半波最后试z见表4步1、2、和3表4A组、B组和C组的电测试GB 4023 步符号方法条件1 |正向电压1V -1.2.3 I 1FM =川AI VFM1 tp = 10ms 82% 2 |反向电流N-1 4 1 VR = VRWM 1R1 3 |反向电流变化1V -1.4.1 VR = VRWM AIlRl 注:J)本测试中1R1超过A组极f牛不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求 极限值最小值极限寸最小值最

11、大值5.0 1.8 5.0 初始值的100%O. 3A.取较大者.单位A 单位v A A SJ 50033. 43 94 包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5. 3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规班的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6. 2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:8. 本规范的名称和编号;b. 等级见1.3.1);c. 数望; d. 需要时，其它要求。6.3 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如果使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营八七三厂起甲。本规范主要起草人:王继红、刘东才、金贵永。计划项目代号:B21018o 一7一r