SJ 50033 86-1995 半导体分立器件.CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf

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1、中2、汀，日FL 5961 SJ 50033/86 1995 、，、d 。，晶Semiconductor discrete device Detail specification for type CS5114., , CS5116 silicon P-channel deplition mode field-effect transistor 1995-05-25发布1995-12-01实中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件CS5114. .CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体详细规范-Semiconductor discrete device

2、Detail speci fica tion f or type CS5114，.5116 silicon P-channel deplition mode field-effect transistor 1. 1 主题内容臼50033/86一1995本规范规定了CS5114-CS5116型硅P沟道起尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和。1.3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1 .3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP，GT和GT表示。

3、2 引用文件3 GB 4586 86 场效应晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实1一臼50033/861995 3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见6.3)。3.2.2 器件结构采用硅P沟道耗尽型

4、结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸按GB7581的A3-01B型及如下规定，见图1。3.3 3.3. 1 PII 阳tTA =25C (mW) 500 2一值和定值- 10. ;DI 1bz 电特性VGS21 (V) 30 吨h斗图1外形尺寸Vns Vrx:2:飞(V) (V) 30 30 浸锡。对引出端材料和涂层要吃号A3 -01B 、符、最小标称最大A 4.32 5.33 非a2.54 b 1 1. 01 b 2 0.401 0.508 ;D 5.31 5.84 ;1 4.53 4.95 0.92 1.04 1. 16 J K 0.51 1. 21 L 12.5 25.0 L1 1.21

5、引出2 2. 3. IG Ti和T啕(mA) (C ) 50 -65- +200 SJ 56033/86 1995 注:1)TA25C时，按3mW/C的速率线性怦棚。2)几何图形对称，允许源与漏引线互相对换工作。3.3.2 主要电特性(TA=25C) 参数符号(单位)测试条件V(陆=- 18V. V GS = 0 10ss 1) (mA) Vns= -15V. VGS=O 110= -15mA. VGs=O Vns(on) (V) 110= -7mA. VGs=O 0= - 3mA. V GS = 0 Vns= -15V V GS(off) (V) 110= -1nA Iv GS = 0 r由

6、(00)(0) 0=0 1kHz 注:1)脉冲法(见4、5、1)。3.4 电测试要求电测试应符合GB4586及本规范的3.5 标志器件的标志应按GJB33的规定。4 定4. 1 抽样和检验型号CS5114 CS5115 CS5116 CS5114 CS5 115 CS5116 CS5114 CS5115. CS5 116 CS5 114 CS5115 CS5116 。抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)极值最最大值-30 -90 -15 -60 -5 -25 -1. 3 -0.8 -0.6 5 10 3 6 1

7、 4 75 100 175 按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。3一SJ 50033/86 1995 选试或试(GJB 33表2)5、密封不要求6、高反偏不要求7、中间参数测试CSSl、IDSSO(oIf川和f甜叫8、功率老化TA=150t:, Vos=OV, VGs=24V 本规范表1的A2分组:9、最试IHcss=士0.1nA或初始的土100%，取较大者: O(oIf)l和rf= 1kHz 75 。100 。175 Q 4 V陆=-15V 1 D(aIf)l VGS= 12V 一2nA VGS=7V -2 nA VGs=5V -2

8、nA 4 Vos= -15V I以aIf)lVGS= 12V -5 nA VGS=7V -5 nA VGS=5V -5 nA 16 VGS=O.ID=O 也(00)f= 1kHz 90 。120 。210 。臼50033/861995 5.1 包装要求要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求求应按GJB33的规定。5.3运运输要求应按GJB33的规定。6说明6. , 预定用途符合本规艳的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号:b. 等级(见1.3.1);C. d. 需要时，6.3 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)，如使用单位需要时，特性曲线等可在合同或订货单中规定。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和七四六厂共同本规范主要起草人:王长福、张宗国、阀、邵阳。项目代号:B21015。9一