SJ 50033 76-1995 半导体分立器件.3DG218型硅微波低噪声晶体管详细规范.pdf

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1、中FL 5961 电 ! I 1 8J 50033/76一1995口曰日日F 8emiconductor discrete devices Detail specification for type 3DG218 8i1icon microwa,ve low-noise transistor 1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准 中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DG218型硅微波低噪声晶体管详细规范SJ 50033176 1995 Semiconductor discrete devic四Detail specification for t

2、ype 3DG218 Silicon microwave low-noise transistor 1范1. 1 主题内容本规范规定了3DG218型硅微波低噪声晶体管的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3 分类本规范根据器件证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587 84 双极型晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器

3、件试验方法3 要求3. 1 详细要求符合GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和表面涂层引出端材料为可伐合金，引线表面镀金。中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实SJ 50033/76 1995 3.2.2 器件结构采用硅平面外延双极型结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581中E404A及本规范规定，见图10 队也B 中D- 业1 b25t:时，按0.57mW/t:线性2一VCEO VEBO (V) (V) 10 3 。代号A bx by C D D1

4、Hx Hy 电极Ic (mA) 20 口1盯1尺寸最小值标称值最大值2.67 0.78 1. 8 0.48 1. 0 0.05 0.15 6.9 5.6 11.5 11. 5 TJ T咆(t: ) (t: ) 200 臼500331761995 3.3.2 主要电特性(TA=25C) 冉JFT !T G. Fn 到hFE1h FE2 V CEaat V BF.sat C (MHz) (dB) (dB) (V) (V) VCE=6V (pF) V=6V 数V=6V VcE=6V Ic=5mA IB= l mA V=6V Ic=2mA Ic=2mA Ic=2mA Ic=0.5mA IE= lmA

5、Ic=5mA f= lMHz f f=60MHz 600MHz 最小值40 20 3000 10 最大值200 O. 1 1 2 1. 5 注:当f=lGHz时，Fn2.5dB，G.注6dB。3.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33及本规范的规定，型号标志可不限于一行内，制造厂可省略器件上的下列标志:a. 产品保证等级;b. 制造厂厂名、代号或商标;c. 检验批识别代码;4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应符合GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应符合GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB3

6、3的表2和本规范的规定进行。下面测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。选(见GJB33的表2)7 中间电参数8 功率老化9 最后测试4.3. 1 功率老化条件功率老化条件如下:测试或试验ICB01和hFE1见4.3.1按本规范表1的A2分组LlICB01为初100%，或20nA，取较大者。LlhFE1为初始值的士20%TA=25士3C，P ,O, = 100mW, V CE = 10V。4.4 质量一致性检验3一SJ 50033176一1995致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应

7、按GJB33及本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33及本规程表3的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规市相应的表中规定的方法和下列规定进行:4.5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128中3.3.2.1条的规定。表1A组检验GB 4587 值检验或试验LTPD I符号最小|最大单位方法条件Al分组5 外观及机械检验I GJB 128 2071 A2分组5 集电极2.9.2.1 发射极开路V(BR)| 12 V 击穿电压Ic= 10A 发射极基极2.9.2.2 集电开路V(BR)EBOI 3 V 击穿电压IB= 10A 集2.1 发开路I01 80 n

8、A 截止电流V=8V 发射极基极2.2 集开路IEBO 1 A 止电流VEB= 2V 正向电流传比I 2.8 I VcE=6V.lc=2mA I hFE1 40 200 脉冲法(见4.5.1)正向电流传比2.8 V= 6V. Ic= O. 5mA I IhF也Z20 脉冲法(见4.5.1)集电极发射极2.3 Ic=5mA Vt 0.1 V 饱和电压IB= lmA 基极发射极Al Ic=O I VBEF 1 V 正向电压IB= 5mA A3分组5 作、E集电极2.1 TA = 150C 8 A 截止电流发射极开路V=8V 低温工作正向电流传输比2.8 TA= -55C Ihm 20 V=6V.l

9、c=2mA 4一臼50033/761995 续表1GB 4587 极限值LTPD 符号单位方法条件最小最大脉冲法(见4.5.1)A4分组5 出电容2.11.3 f= 1MHz Cobo 1. 5 pF V=6V 特征频率2.11. 2 VcE=6V h 3000 MHz IC=2mA f=600MHz 噪卢系数A2 VcE=6V Fn 2 dB Ic=2mA f=600如1Hz相关功率增益A2 VcE=6V G. 10 dB Ic=2mA f=600MHz 表2B组检验GJB 128 和试验LTPD 方法条件B1分组15 可焊性2026 标志的耐久性1022 B2分组10 冲击1051 ( 度

10、循环)密封1071 a 细检试验条件Hb. 粗检试验条件C最后测试见表4，步骤1、3和4B3分组5 稳态二作寿命1027 T A = 25t , 340h V= 10V;Ptot= 100mW 最后测试见表4，步骤2和5B4分组开帽内部自检(设汁验证)2075 目检标准按鉴定时的设计每批个器件。失效键合强度2037 可用电参数不合格的器件20(C= 0) B5分组热阻5一SJ 50033/76 1995 续表2GJB 128 检验和试验LTPD 方法条f牛(不适用)B6分组高温寿命(不工作)1032 T A = 200t , 340h 7 最后测试见表4，步骤2和5表3C组检验GJB 128

11、检验和试验LTPD 方法条件Cl分组15 外形尺寸2066 见图1C2分组10 热冲击(玻璃应力)1056 试验条件B引出端强度2036 试验条件A.5N.I0s密封1071 a. 细检试验条件Hb. 粗检漏条件C综合温度J度1021 期试验外观及机械检2071 最后测试见表4.步骤1、3、和4C3分组10 冲击2016 变频振动2056 亘定加速度2006 196000m/s2 最后测试见表4.步骤1、3和4c4分组15 盐气(适用时)1041 C5分组低气压(不适用)C6分组=10 稳态工作寿命1026 TA=25t V=10V;P.ot=100mW 最后测试见表4，步2和56一臼5003

12、3176一1995表4B组和C组测试GB 4587 极限步条件符号单位检验方法最小1 集电极2.1 发开路I到)180 nA 截止电流VCB=8V 2 集电极基极2.1 发开路ICB01 160 nA 截电流V=8V 寸3 发射极A1 IB=5mA; V附F1. 0 V 正向压降Ic=O 4 正向电比2.8 VCE= 6V;Ic= 2mA hFE1 40 200 5 正向电流比变化量2.8 V cr= 6V;Ic=2mA L!.hFE1 1) 初始的土30%注:1)对于本测试hFE1超过A组极限值的。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应符合GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求按GJB

13、33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同和订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号;b. 等级(见1.3.1条); c. 数亘:d. 需要时，其它要求。6.3 如对引出端涂层有特殊要求时，可在订货单中规定(见3.2.1条)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。一7一，时50033/761995 6.4 型号对照3DG218的原企业标准型号是CG392。附加说明:本规范由电子技术标准化研究所归口。本规范由电子部第十三研究所负责起草。本规范主要起草人:张嘉萍、雷学祺、李戌德、王长福。计划项目代号:B21067。8一