SJ 50033 58-1995 半导体光电子器件GF413型绿色发光二极管详细规范.pdf
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1、FL 5961 J、SJ 50033/58一1995、Semiconductor optoelectronic device Detail specification for green light emitting diode for type GF413 自1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电子器体GF413型绿色发光二极管详细规范1 范围1. 1 主题内容Semiconductor Optoelectronic device Detail specification for green light emitt
2、ing diode for type GF413 本规范规定了GF413型绿色发光二极管的详细要求。1. 2 适用范围SJ 50033/58 1995 本规范适用于军用GF413型绿色发光二极管(以下简称器件)的研制、生产和采购。1. 3 分类1 .3. 1 器件的等级按照GJB33(半导体分立器件总规范的规定,提供的质量保证等级为普军和特军两级,分别用字母GP和GT表示。2 引用文件GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法GJB 2355 83 半导体发光器件测试方法SJ/Z9014.2 87 半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件3 要
3、求3. 1 各条要求应按照GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构应按照GJB33中3.5.1、3.5.3、3.5.4、3.5.7条和本规班的规定。外形尺寸符合本规范图1的规定3.2.1 半导体芯片材料芯片材料为磷化3.2.2 引出端排列如图1所示。中华人民共和国电子工业部19955-25发布1995-12-01实 、尺寸数值符号最标称A 7.8 B Bl 0.45 C 0.45 D 5.8 m 4.8 3.2.3 封装形式环氧树脂非空腔封装,见图103.2.4 引线长度SJ 50033/58一1995A L F mm 尺寸数值最大符号最标称最大8.2 e 2.5
4、4 0.7 F 0.8 1.2 + 0.55 L 24 0.55 Ll 1.0 6.0 L2 22.5 5.0 M 5.3 5.5 图1可按合同的规定(见本规市6.2条)提供引线民度不同于本规范图1规定的器件。3.3 引线材料和引线涂层引线材料为铁合金或铜合金,引线涂层镀银或镀金,也可按照合同规定(见本规范第6.2条)。3.4 3.4. 1 额定值和主电特性定值(除另有规定,T.mb = 25t ) IF IFM VR (mA) (mA) (V) 30 100 6 注:1)脉冲宽度O.lms,占空比1/100一2一PM T . 也T啕(mW) (C ) (C ) 90 -40-85 -40-1
5、00 SJ 50033/58一19953.4.2 光电特性(TA=25t) Iv Iv VF F C.,. I (mcd) (mcd) (V) (nm) (PF) (A) (IF= 10mA, IF= 10mA, (IF= 10mA) (IF= 10mA) (V=o, (VR =6V) 。=0.)。=30.) f= lMHz) 最小值最大值最最最小值最最小值最大值最小值最大值最小值|最大值5 2.5 2.5 560 570 50 5 3.5标志根据器件特点,省略GJB33中器件上的标志,其余按GJB33的规定。4质定4. 1 抽样和检检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 筛选(仅对GT级)
6、筛选按GJB33和本规范表1的规定。表1筛选步骤和条件(仅对GT级)捡或GJB 128 极限值序号符号单位试方法条件最最大值内目检t,.JPF且L1YdE, 放大30倍、1 2073 (封装前:Y但垒i:寿命T= 100(; 2 1032 t =24h 除最高T= 100t 冲击最-40t, 3 1051 度环)10次外,其余按试验条件A。4 恒定加速度(不要求)密封5 (不要求) 高6 (不适用)中电参数测SJ/Z 9014.2 试IF= 10mA, 8=0 Iv 5 mcd 发光强度4. 1. 1 7 IF= 10mA VF 2.5 v SJ 2355.2 正向电压5 A VR=6V IR
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