SJ 50033 57-1995 半导体光电子器件 GF115型红色发光二极管详细规范.pdf
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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 时50033/571995半导体光电子器件GF 115型半导体红色发光二级管详细规范Semiconductor optoelectronic device Detail specification for red light emitting diode for type GFl 15 1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和固电子行业军用标准半导体光电子器件GF 115挝半导体红色发光二级管详细规范SJ 50033/57 1995 atv 、4, . 耐!h54E- AHHt 盹叫mmMmn
2、阳叫Mhmm圳、叫4aaJmnr hmO二04Eta, . 叩倒hm臼阳ii buptwAU 时严唱ds-m nit MMMU川un唱mhme oB 1 范围1. 1 主题内容本规范规定了GF115型红色皮光工级管的详细资求。1.2 适用部罔本规疏通用于军用GFUS红色发光二级管(以下简称器件)的研制、生产和采购。1.3 分费1. 3. 1 器件的等级按照GJB33(半导体分立器件总规拖的规定,提供的质最保证等级为曾率和特军两级,分别用字母GP和GT表示。2 引用文件GJB 3385 半导体分立器件总规班GJB 128-86 半导体分立器件试验方法SJ 2355 83 半导体发光器件测试方法创
3、Z9014 .2-87半辱体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件3 要求3. 1 概述各条要求应按照GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构股按照GJB33中3.5.1、3.5.3、3.5.4、3.5.7条和本规范的规定。外形尺寸符合本规浓阁1的规定。 .2. 1 半导体芯片材料芯片材料为磷化嫁。3.2.2 引用端排列中华人民共和国电子工业部1995-055发布1995-12且1实施SJ 50033/57一19臼如图1所示L 盯lffi数值数值尺寸符号尺寸符号最小标称最大最小栋称最大A 7.8 - 8.2 e 2.54 问日由由0.7 F 0.8 一1.2
4、Bl 0.45 由0.55 L 24 时c 0.45 - 0.55 L1 叩1.0 m 5.8 由6.0 12 22.5 叩Dl 4.8 喃5.0 M 5.3 - 5.5 因13.2.3 封装形式环氧树脂非空院封棋,见图lo3.2.4 号线伏度可按合间的规定(见本规部6.2条)提供引线长度不同于本规范围1规定的器件。3.3 号纯材料和引线除牍引线材料为铁合金或锅合金,引线揄磁镀银或镀金,也可按照合同规定(见本规班第6.2条)。3.4 最大额定值和主要光电特性3.4. 1 最大额定值(除另有规定,Tamb=25)FA-D Im-3 FM 巧立6hd圳酬bT今1二 40 100100 呻4085放
5、:1)脉冲宽度O.lms,占空比l/lOo3.4.2 主要光电特性(TA=25)f.,币现时F= lOmA, 最小大阳叫叫时时1时时时时时时一旦(IF= lOmA) .l.p tot 一一_illf(V=O,f=lMHz) I nm IF= lOmA (YR出6V)1. 5 0.8 2.5 I 690 I 710 50 5 一2时50033/57一19953.5标志根据器件特点,省略GJB33中器件上的标志,其余按GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和性验抽样和检验应按GJB33和本规拖的规定。4.2 筛选(仅对GT级)筛选按GJB33和本规泪满1的规定。我1筛选步骤柏:条件(仅对
6、GT级)序号检验或试瞌GJB 128 符号方怯条件内部目榆(封鞭2073 放大30倍检验.“ 前)2 商温寿命1032 T耶iooct =24h 除最高祖度T=1ooc. 3 热冲击1051 最低掘股市40C,循环(温度循环)次数10次外,其余叫试验条件A4 度值班(不加要速求)-响-5 密封(不要求) .” 忡6 用高温)反偏(不适时- 中间电参数e测试发光强度划Z9014.2 I= lOmA,0=0 Iv 7 4.1.1 正向电压SJ 2355.2 IF= lOmA VF 反向电流SJ 2355.3 VR=6V VIR 8 电老化I=30mA 叩t =96h 最后测试(者化后72h内9 完
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