SJ 50033 30-1994 半导体分立器件.3DD155型功率晶体管详细规范.pdf

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1、中FL 5961 1994-09-30发布国电SJ 50033/30 94 Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DD155 power transistor 1994-12-01 中华人民共和国电子工业批 中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件如D155型功率晶体详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DD155 power transistor 1 范围1. 1 内容本规范规定了3DD155型功率晶体管(以下简称

2、器件)的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级SJ 50033/30 94 按GJB33b1 1. 52 1bz 0.9 1. 1 1D 15.0 d 3.0 F 3.0 L 3. 5 10.5 LI 1.5 1P 4.0 4.2 q 32.8 23.2 R! 9. 5 R2 4. 3 S 13. 1 U1 31. 4 U2 19.0 RI 2-;P R主U工w电可份1o.l l一基极2一发射极电极接外壳图1外形图3.3 最大额定值和主要电特性3. 3. 1 最大额定值, pu VCBo VCE

3、O VE面Ic T , Tti ot 型号Tc=25C (W) (V) (V) (V) (A) (C) (C) 3DD155B 150 100 3DD155C 200 150 3DD155D 30 250 200 5 2 175 一551753DD155E 300 250 3DD155F 350 300 -注:l)Tc25C时按200mW;-C的速率线性地降酬。3.3.2 主要电特性(TA250C) -2一, SJ 50033/30 94 . hFE VOE恼。VES( . tl j , R曲。-c)极限值VoE=5V lc=lA Ic=lA VOE= 12V VoE=lOV lc=lA Is

4、=O.lA Is=O.lA IC=0.5A/ Ic =0.5A j=0.3MHz 25CTc75C (V) (V) (MHz) (C/飞的型号最最小值最大值黄:40803DD155BF 绿:60120 1. 0 1. 5 1. 0 5 蓝:1001803.4 电测试要求电视试应符合GB4587及本规范的规定。3. 5 标志标志应符合GJB33和本规范的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检揣样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT)级筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器

5、件应予剔除。筛选(见GJB汩的表2)7.中间试8.功率老化9.最后测试lc回1和hFE1功率老化条件如下:T，=162士12.5C VCE=25V Ptot20W 按本规范表l的A2分组试或试验:JCB01初始值的100%或100pA，hFE1初始值的士20%4.4 量一致性检验一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规施表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。一3一SJ 50033/30 94 4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定:

6、4. 5. 1 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3. 2. 1的规定。表1A组GB 4587 I I I 极限A1分组外观及机械检验B2分组集电极一击穿电压300155B 30Dl55C 3001550 300155E 30Dl55F 发射极一基极击穿电压电极-基极电流电极发射极电流电极一发射极饱和电压基极一发射极饱和电压正向电比A3分组高作电极一基极截止电流作正向电流传输比一4一方法GJB 128 2071 本规范附录A2. 9. 2. 2 2. 1 2. 1. 4 2.3 I 2. 5 2.8 2. 1 LTPOI符号is !单位条件5 I 5 发射极一基极开路;1c=1. Om

7、A 100 V 150 V 200 V 250 V 300 V 集电极一基极开路sVRRlEBO 5 V h=0.3mA 发射极一基极开 I 1 CBOl I I 0.3 I mA VCB=VC皿发射极一基极开路sI 1CEO I I 0.4 I mA VCE=0.5VCEO 1c=1A 1 1B=0. 1A Iv CEC., I I 1. 0 I v I 1c=1A IVBE归0)I I 1. 5 I V I 1B=0. 1A VCE=5V I hFE1 I 40 I 80 Ic =1A I 60 I 120 脉冲法(免4.5. 1) I 100 I 160 I 5 a TA=125士5C发

8、射极一基极开路;I IcBo2 I 2 I mA Vcs=0.7Vc国I TA=一55CI VCE=5V I hFEO I 20 I 1c=1. OA 脉冲法见4.5.1) B1分组可焊性标志耐久性B2分组热冲击(温度循环密封a.细b.粗检最后测试:B3分组稳态工作寿命最试; 方方法2026 1022 1051 1071 1027 法SJ 50033/30 94 续表1GB 4587 条件表2B组检验GJB 128 H 件F条见表4步骤l和3T，=162.5士12.5C VcE=25V Ptot注20W见表4步骤2和4极限值LTPDI符号单位LlPD 件15 10 5 一5一SJ 50033/

9、30 94 如一旦条方法牛LTPD B4 仅对GCT级)开帽内部目检(设计核实)键合强度2075 每批10失效, 2037 A 20(C=0) B6分组7 1032 TA=175.C (非工作状态)最后测试见表4步骤2和4表3C组检验检GJB 128 符号最，立m士.中单位LTPD 方法条件C 15 外形尺寸2066 见图1C2分组10 热冲击1056 (玻璃应力引出端强度2036 |试验条件A密封1071 a.细H b. F 综合/湿度1021 外最后测试2071 见表4步骤1和3C3分组10 冲击2016 变频振动2056 恒定加速度2006 最后试z|见表41和3、aC4分组15 适用时

10、)盐气(侵蚀)1041 C6分组态工作寿命1026 I T ,= 162.5士12.5.C|=10 VGE=25V Ptot关20W最后试见表4步2和4C8分组热阻15 GB 4587 I VCE=10V 2.10 I IE=O. 5A 25.CTc75.C Rth(J-c) 5 .C/W 一6一SJ 50033/30 94 表4A组、B组和C组最后测试GB 4587 步检验方法条件1 电极电流2.1 一基极开VCB=VC勘2 电极一止电流2.1 发一基极开VCB=VG剧3 |正向电流比2.8 VcE=5V Ic=lA 脉冲法见4.5.1)4 |正向电流比2. 8 VcE=5V Ic =1A

11、脉冲法(见4.5. 1) 注，1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后6. 2 订货资合同或订单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号;b. 等级(见1.3. 1) C. 数茧;d. 需要时，其他要求。符号最I ICB01 I 0.3 I ICB01 I O. 6 hFE1 40 80 60 120 100 180 6hFEl 1) 初始值的士25% 。6.3 对引

12、出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2. 1)。6.4 如需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6. 5 直流安全工作区见国2。单位I mA I mA 一7一SJ 50033/30 94 0.002 1. 0 10 2.0 1. 0 F飞、JA 蜒o.1 -f:!l 然0.01 4 -8一 uu-户lvpa-Ed kd-RJV 嘈 咽， D D-俯dm10 lQJ 300 103 电极一发射极电压VCE(V) 图2300155的值流安全工作区吨坷噜 A1 目的SJ 50033/30 94 附录A电极一发射极击穿电压测试方法补充件试的目的是为了在规定的条件下，确定晶

13、体管的击穿电压是否大于规定的A2 电路8 R, + 1电压也Va 一A 一.图Al集电极一发射击穿电压测试电路 注s在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对巴压表读数作因电流表压降的校正.A3 测试步限流电阻Rl应足够大，以避免过授的电流流过晶体管和电流表。加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大天V(BR)CEO最低极限，晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。A4 规定条件a. 环境温度TA;b. 测试电流Ic附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规市由中国电子技术标准化研究所负本规范主要起草人:蔡仁明、张演、周志坤、罗项目代号;Bll034.。炎、欧阳映和。一9一