SJ 50033 163-2003 半导体分立器件3DK457型功率开关晶体管详细规范.pdf
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1、BJ 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/163-2003 半导体分立器件3DK457型功率开关晶体管详细规范吁,、Je43 CVKH -mD盹k3.白山UFm回wihucctn -wuoim dnM VAnun- hMU1 创况W山川叫nu可dLW刀由wm灿onEP -Eu町S由企D 2003-12-15发布2004-03-01实施中华人民共和国信息产业部批准前言本规范是GJB33A-97 25.C时,弦。1wrc的速率线性地降额。3.3.2 主要电特性主要电特性(T,=2S.C)见表20表2主要电特性hFE11 fCEsatl BEsa!1 尺寸符号A 串b、D
2、d L L, 串Pq R, R句S /1 F IB1 A 0.5 f VCE=3 V Ic= 1 A Ic=IA I.,=O.IA Ic= 1 A 1.=0.033 A 1.2=-0.1 A Icc=25 V V s 最小值最大值最大值最大值30 120 0.6 1.2 1. 8 0.8 a分梢z黄,30-75、绿70-120、色点位置在管帽顶端.2 单位为1阜数值摄小标码L!il._k 6.00 1.5 2 0.67 0.80 0.93 11.00 2.17 2.33 9.75 10.00 10.25 1.3 7 1.50 1.63 3.0气3.20 3.3 5 18.85 19.15 7.
3、32 7.50 7.68 2.87 3.00 3.13 10.58 10.80 11.02 :!5.00 15.00 1.00 IAIl TJ., Top T时.C C 175 -55-125 -55-175 f飞R寸Arr王z 极限值单位方法条件最小最大1分组GJB 128A-97 LTPD=5 外观及机械恰验2071 凶l的L1、q、A2分组116 集电极一发射极GJB 128A-97 TA=25C (c=O) l BR CEO 200 V 市穿屯压3011 发射极-;1主极开路1(=2 mA l脉冲法)飞J极一呆板:在l节10.21f1!,极一基fJ开路l BR EBO L !ti穿l扛
4、!全lE= 3 mA 在1f.!,板一幕中皮fcB01 0.2 mJ气战止ilJ1,tif: 11_;,极-f;_q.jt) ;在i节4.2I fc. = 1 !气I(Esal 0.6 飞yI和111J本18 = 0033 A (川、i中;:_t)快松一发I丰l|见本切范附录AIfc二IAlBl:_sat 1 1. 2 飞v(仨F门: 1斗、:在l节9.618=O,033A (IH叫甲;二1i宁可!巳;IT毛: IcE=3V 1c=l:1.仆H;由i三)!hFE1 I 30 120 I .、/J、rlL116 !lJl品了作T气二125C士5C(c=O) 吁i l_;, tJ一句q!;在l节2
5、,1发射极开路I(Bo: 2、m.飞1止l!tCB = 0,7 J CBO Il;品了rrT气=-40C 1:问i红;才d专4JL仁气变化;牛、1,41节9.6II=3V山(I时)|hlflbt|一25% 4 ;-ll 116 开一iill时间第l节121cc =25V lc=IA (c=O) ton 1B1 =-fs:=O.1 A f钊lE时间第l节12l(:c=25 V fc= 1 A 1. 8 5 1B1=-1B2=O,1 A 下段时间;在l节12Jcc =25 V 1c= 1 A If 0.8 5 Jfl1 =-1且二=0.1A !中占J士坷,丰、I节l32ln=10V fc=0.5人
6、h MHz (= 10 MHz LTPD=5 1,;全丁1f=l三GB 12300-90 Tc =25C (直流)1= 1 s单i大试验lICE = 1 0 V 1 C = 1.5 A 试验2I=20V 1c=0.75A 试验3l=200 V lc=4 m.A. 二号点iIJ试仪表8步骤l手n3:马恰验批的批量少于;当ff数时,则100吧。边f丁.气组恰验。6、7分组斗、适用ca hFE1廿归&!:30-75. f:录:匀。120。5 SJ 50033/163-2003 表5B组检验GJB 128A-97 鉴定检验和大批量的质小批量的质量一致性检验检验或试验量致性检验抽样方案n/c 方法条件1
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