SJ 50033 146-2000 半导体分立器件.3DA601型C波段硅双极型功率晶体管详细规范.pdf

《SJ 50033 146-2000 半导体分立器件.3DA601型C波段硅双极型功率晶体管详细规范.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《SJ 50033 146-2000 半导体分立器件.3DA601型C波段硅双极型功率晶体管详细规范.pdf（12页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/146 2000 半导体分立器件3DA601型C波段硅双极型功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DA601 C band silicon bipolar power transistor 200010-20发布2000仆。20实施中华人民共和国倍息产业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DA601型C波段础双极型功率晶体管详细规范1 范围1. 1 主题内容Semiconductor discrete d

2、evices Detail specification for type 3DA601 C band silicon bipolar power transistor SJ 50033/146-2000 本规范规定了3DA601刑C波段时:现极月1功率晶体管(以F简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和l采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级披GJB33A 97 250C时报55.5mWIK线性降额。3.3.2 才:电特性(几=250C)委$hFE I(BO IEBO R(白)j-cPOSC Po Gp 数JJ mA m

3、A KIW dBm dBm dB % 条Ic=400 mA 10=4.2 GHz 件VCE5 V VCB=30 V VEB=2 V 10=4.2 GHz 极IC=200 mA IE=O i俨。VcE2 V Vce=20V VE=20 V 已(H=1 s 非270mA最小最大最大最大最大最小典型最小典型战小敏小典型值值值值值值值值值值值值3DA601 15 150 0.1 0.1 18 29.2 30 31.8 33 8 15 20 3嗣4测试要求电测试应符合GJB33A及本规范的规定。3.5 标志器件引出端识别向符合剧1规定。器n创装上的抓jsm符合GJB33A的规定。4 质量保证规定4.1

4、抽样和l检验抽样和l检验按GJB33A和l本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验按GJB33A及本规范A、B、C和E细检验的规定。4.3 筛选(仅对JT和JCT级)筛选问按本规范的规定。其测试问按本规范表1的规定进行，跑过本规范表1极限值的器fI:同剔除。情d筛选i内部国柿2. I句i晶寿命3.温度椭环(吧气一喷气)4.恒定加速度9.中间也测试10. I句副反偏门.PDA的中间L测试12.功率t;炼13.终点测试14.密封(a)蚓柿漏(b)精l枪漏4.4 质量一致性检验4.4.1 A组检验GJB 128A 方itIJ 2070 1032 1051 2006 1039 1039 1071 SJ

5、50033/146-一2000筛选要或条件和要求JT和JCT级仪对JCT级器件。2000C. 48 h。试验条件C.20次。196000 m1s2. Y 1方向，不要求保持1min. t安本规Ri表l的A2分组几叫50吧，VcB=32 V. t=48 h hFE1 IcBo，和IEBO吁187.5士12.50C.VcE=10 V, Ptot注2.5W, 160 h 报本规览表l的A2分组:!:. hPE为初始值的士20%;VcB=30 V时，IcBo:O; O.l mA; VEB=2 V时，IEBo:O; O.lmA 试验条件HlP=517kPa, t=2h, Rl=5mPa.cm3/s 试验

6、条件CA细检验应按GJB33A矛11本规范表1的规定进行。4.4.2 B细检验日细检验应按GJB33A和l本规范表2的规定进行。4.4.3 C细检验C细检验所按GJB33A革u本规范农3的规定进行。4.5 检验和!试验方法检验和l试验方法用技本规范相间的表中规定的方法进行。4.5.1 直流参数测试按GB厅4587相间方法测试。4.5.2 振jj输山功事的测试按附求A(补充fI:)的规定进行。4.5.3 输山功率、增益和l集电极放率的测试技GJB128A方法3320条nB进行，器I:L作TC类。4 -SJ 50033/146一2000表1A组检验除非另有规定，几嚣250C极限值抽样方案1)检验成

7、试验GB厅4587符号单位LTPD 方出条件mm max l分组GJB 128A 外圳和机械榆验2071 2分组116(c胆的集电极基极IV. 1.2 IE=O. VcB=30 V ICBOI 0.1 mA 截止电流发射极一某极IV. 1.2 IC=O , VEB=2 V IEBOI 0.1 mA 甜止电流正向电流传输比IV, 2.7 VCE=5 V.=200mA hFE1 15 150 3分组116(俨0)向描1工作TA=150 oC 集电极-4盖板IV. 1.2 VcB=30V. IE=O ICB02 mA 战止电流低勘工作TA=-550C 正向电流传输比IV , 2.7 VcE=5 V.

8、儿=200mAhFE2 10 4分组116(俨0)#民葫输111功i牛二规部VcE=20 V，如4.2GHz POSC 29.2 dBm 成附录AIC=270 mA 放大输白功率GJB 128A VcE=20 V.儿币4.2GHzPo 31.8 dBm 功率增益方法3320Gp 8 dB 集电极效率条件日u. 15 % - -沌:1)小批最质量蚊t-t:枪验时的A组检验ilJ100%进行。，、J检验戚试验方法l分组可焊性2026 耐附剂性(不适用)2分组制度循环1051 (叹气一贯气)密封1071 (a)细柿漏(b)粗枪桶最后测试3分组稳态工作寿命1027 i最后测试4分组开|阳内部口检207

9、5 (设计核实)键合强度2037 5分组GB厅4587热阳(EBiF.向法)队门6分组l公j描i寿命(斗斗士作)1032 岛主J1测试7分组l相定力11速度2006 P1ND 2052 lti日测试SJ 50033/146-2000 表2日细检验抽样方祟GJB 128A 鉴定检验和大批小批量的攘的质戴一致性质景一撤检验性检验条件LTPD nJc 15 4/0 10 6/0 试验条件F，25次试验条件H1P=517 kPa. t=2 h, RI=5 mPa.cm3/s 试验条件C表5步骤1，3, 5 7 12/0 斗187.5土12.5oC, 几E=IOV, Pl附注2W.340 h 我5步嚷2

10、，4, 6 目检标准恼鉴定时的f每浮批白响例叫叩叫白啕唰唰喃咄叫.响侧w棚.峭幡刷白设计IlJ用t1.!.参数不合格的LTPD=10，俨l器件Ic=400 mA. 15 6/0 VCB=2 V, tH出1s 7 12/0 凡=200吧，340h 表5步骤2，4, 6 10 6/0 196000 m/s2 试验条件A表5步骤)，3, 5 比1):仪适用于JT和JCT级。一6一极限值最小最大18 KJW 协输戚试验方法1分组外形尺寸2066 2分组热冲击1056 (液体.夜休)引11!端强度2036 密封:1071 (a)细检漏(b)相l价漏1021 耐旧2071 外观检查最后测试3分组冲击201

11、6 1:1颇振动2056 恒J:E加速度2)2006 最后测试6分组稳态丁丁作寿命1026 战后测试SJ 50033/146-2000 表3C组检验1)GJB 128A 条件见回l规定尺寸试验条件A试验条件E，集It.r.段:括3在83:t:9g 发射极:挂草225土15g 试验条件H1P=517 kPa, 1=2 h, R.踹5mPa.cm3/s 试验条件C循环数4，前2个循环进行步骤7表5步骤1，3, 5 14700 mls2 1960mls2 表5步骤1.3, 5 1000 h, IriJ B3分组表5步醺2.4, 6 陀1):A指明的分组不适用。2):如果日组完成f该项试验，在此不要求

12、Ilf进行。抽样方案鉴定检验和大批盘小批璋的质盘的质量一政性枪验致性检验LTPD n/c 15 6/0 10 6/0 10 6/0 =10 12/0 7 精脆方法1分组1)温度循环1051 (空气一才可气)终点测试4分组热阻GB厅4587，即，11 SJ 50033/146 2000 表4E细检验(仅供鉴定)GJB 128A 条件试验条件C，100次见农5步骤1，3, 5 非州时，VcE=2 V, tH黠1s Rllh)i-c18 KJW 注1);可用B2分组试验合格样品接着进行EI分组试验。表5B组、C姐和E姐的最后测试GBIT 4587 步骤检验方法条件正向电流传输比N, 2.7 Vc俨5

13、V，=200mA2 正向电流传输It变化凹，2.7 VCE=5 V，非2mA集电极一基极IE:吨町，1.2 截止1也流VcB=30 V 集rt!极搭极IE=O 4 N, 1.2 截止电流几日=30V发射极提极Ic=O 5 IV , 1.2 截止rl1流VEB=2 V 发射极J在极Ic=O 6 IV , 1.2 IEB=2、4截止电流一一一_L1f.: 1)跑过A组枪验极限值的器件不应接收5 交货准备5. 1 包装要求包装要求所披GJB33A的规定。5.2 贮存要求贮存要求间接GJB33A的规定。5. 3 挝输要求lb:输要求间接GJB33A的规定。6 说明事项6. 1 预定川途符号hFE t:

14、. hfE IcBo ICBO leBo IEBO 抽样方案LTPD嚣20LTPD=10 极限值1)最小值最大值15 150 初始值的士30%0.1 0.2 0.1 0.2 符合本规泊的器件供新设备设计使旧手11供现有设备的民勤保附旧。叫8一单位mA mA mA mA 6.2 订货资料合同1&订单向规定FYu内容:a. 本规范的名称和l编号:b. 等级(1.3.1); C. 数撮;d. 测试posc!日Po、Gp和J710 e. 需要时，其他要求。6.3 刑号对比本器!I:企业原用刑号为WS300SJ 50033/146一2000而9町SJ 50033/146-2000 附录A徽波功率晶体管振

15、荡输出功率也c的测试方法(补充件)A1 目的在规定条件札测量器件在规定的频率F输山的报销功率。A2 测试榷罔因Al测试振萌输出功率概因A3 电路说明及要求测试夹具中的41路必须满足被测器件在规定频率上的报葫条件，产生良好的振荡并我得最大的功率输出。A4 测试步骤测试前校准系统A窒B点的插入损挠。把被测器件安装于测试央具(振荡器)中规定的位置上，保证良好接触和散热，并使E、C引出端.!:j电路接触良好。逐步增加E作也压和电流并获得振荡输出。调节振荡器中频率调谐元件的偏置也应和!振葫器的偏置及输出电路的匹配状态，使器件在规定的作山压手11工作4!流条件下，在所要求的频率上功率计指示最太。功率计指示的功率加上A3?:B点之间损耗的功率即为PoscoA5 规定条件环境温度TA;J:作频率;集电极一发射极山!在VCE;集电极电流时10一SJ 50033/146-2000 附加说明:本规?自由中罔电子技术标准化研究所归口。本规沼由信息产业部电子第于1十丑研究所负责起草。本规范主要起草人:黄玉英、钟志新、柴炳麟。计划项目代号:881008。内11