SJ 50033 145-2000 半导体分立器件.3DA503型硅微波脉冲功率晶体管详细规范.pdf
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1、s 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/145-2000 半导体分立器件3DA503型硅微波脉冲功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DA503 silicon microwave pulse power transistor 200010-20发布2000斗O20实施中华人民共和国信息产业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件3DA503型硅微波脉冲功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail
2、specification for type 3DA503 silicon microwave pulse power transistor 1. 1 主题内容SJ 50033/145 2000 本规范规定了3DA503刑旺微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 远用范罔本规范适用于器件的研制、生产和l采购。1. 3 分类本规范根据器件质最保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33A-97半导体分立器件总规范1.3条的规定,提供的质敢保证等级为将军级、特军级革II超特军级。分别用字母JP、JT矛IIJCT表示。2 引用文件GB!f 4587 94 1气导体分立器件
3、和i集成电路第7部分:现极刑晶体管0日厅758187中导体分立器件外形尺寸GJB 33A 97 、飞导体分立器1:总规范GJB 128A-97 中导体分立器11:试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求同按GJB33A手II本规范的规定。3. 2 设计幸纣构器朴的设计和纣构问战GJB33A丰本规范的规定。3. 2. 1 号山端材料和l坡、涂层发射极和集电极引山端材料为可伐合金帘,基极引山端沟伺恫。引山端表面镀金。中华人民共和国情息产业部2000”10-20发布2000叩10叩20实施SJ 50033/145-2000 3. 2.2 器件结构本器件是采用ft外延平面结构的NPN刑晶体管,并且有
4、阻抗匹配网络。3. 2. 3 外形尺寸外形尺寸基本上.!.jGB厅7581日2-09B相间,仅有L、Q、Ui不间,外形尺寸见圄loti;, 只-t) 1叫悴时B l (:). 符A b, by c K L JP Q q u, F E一发射极8一基极C一集电极3. 3 最大额定假和主要也特性3. 3. 1 最大额)J;:在乎可P,o11) Vceo Tc=25 C v w 3DA503 51 65 回l外形阁VEBO le 过撒!曲v A dB 4 1f.: I) Tc25 C时报0.29WIK线件降慨。VSWR2 输tf端3: I 2)食相位抗失配I:540 MHz和610MHz树点拉驻披P0
5、?;?0W)。闷币, mm 尺寸口tinno1 max 一6.0 3.4 3.8 3.4 3.8 0.10 0.15 10.5 2.0 一一3.1 3.4 2.9 3.2 16.5 22.7 23.3 1.5 2.0 飞汇lg 200 65 200 SJ 50033/1452000 3. 3.2 主要电特性(几口25C) h I) FEI VcEsat fceo v mA VcE=5 V lc=2 A Vc9=37 V 2A 儿300mA0 扇小最大段,大最大当王J.I 90 0.6 ft: I)直流法测试。3.4 测试要求也测试应符合GJB33A及本规范的规定。3.5标志器件上应有如F标志:
6、a. 器件月1号:b. 质量保证等级:c. 承制方标志;d. 极性标忐。4 质量保证规定4. 1 抽样平u检验Gp le 顶降dB % dB Vcc=31 V, /: 540610 MHz P1=10W tp=SOO川,D叫5%扇小最大培小敢太8.0 9.5 50 I 0.5 抽样和检验按GJB33A和i本规mA、日、C、E细检验的规定。4. 2 鉴定检验鉴定检验按GJB33A平日本规范的规定。4.3 筛选(仅对JT和JCT级)R 由0-c)I) VSWR KJW 输入端也2ARF士作VcE口17V状态tw=I ms ;最小I 最大3.4 I 2: I 筛选应按本规范的规定。其测试用按本规范表
7、1的规定进行,超过本规范农1极限值的器件由剔除。3 SJ 50033/145-2000 筛选要求GJB 128A 条件和要求筛选方法甘JT和JCT级l内部口枪2070 3.温度循环1051 试验条件c.20次4.相定加速度2006 9800 mls2, YI方向,不要求保持lmin 8蝙序列号见GJB33A 3.7.9 9中间测试l1参数挤车;规范表1的2分组规定10.向掘反偏1039 几叫50C. VcE=37 V, t=48 h I i中间测试hFEI lceo1 12.功率若炼1039 吁187.5士12.s0c.Vc8=12V. P1012ow. I60h 13.终点测试l:!i. l
8、ceo:h初始值的100%成O.SmA取较大者,Il:!i. hFE I乓初始值的20%14.密封1071 (a)纠检漏试验条件HJ,?=51715 kPa 漏斗5mPa.cm3/s (b)有i检漏试验条件C16. !:j悦检查2071 打标点之后进行: 2、5,6、15、16项筛选试验不要求,第7项由第17项完成。4. 4 质撞一致性检验质挝一致性检验Jill按GJB33A和l本规范的规定进行。4. 4. 1 A组检验A细检验应按GJB33A和本规范表1的规定进行。4.4.2 日细检验B细检验网按GJB33A和l本规?在表2的规定进行。4.4.3 C组检验C细检验应按GJB33A手II本规范
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