SJ 50033 144-1999 半导体分立器件.2CW50~78型玻璃钝化封装硅电压调整二极管详细规范.pdf
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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/144-1999 半导体分立器件2CW5078型玻璃钝化封装硅电压调整二极管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for types 2CW5078 glass passivation package Silicon voltage-regulator diodes 19991110发布19991201实施中华人民共和国信息产业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CW5078裂玻璃钝化封装硅电压调整二极管详细规范Semiconduct
2、or discrete devices Detail specification for types 2CWSO 78 glass passivation package silicon voltage叩regulatordiodes SJ 50033/144 1999 1 范围1. 1 主题内容本规范规定了2CW5078(原企业型号为BWASO78)型玻璃钝化封装硅电压调整工级管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范阁本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33A半导体分立器件总规范1.3.1的规定,提供的
3、器件质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母JP、JT和JCT表示。2 引用文件GB厅6571-1995半导体器件分立器flj:第3部分:信号(包括开关)和1调整二极管GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33A 97 半导体分立器件总规范GJB 128A-97 半导体分立器件试输方法3 求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33A和本规范的规定。3.2 设计、纣构和l外形尺寸器件的设计和l结构问按GJB33A丰II本规范的规定。中华人民共和国信息产业部1999斗卜10发布1999-12-01实施. SJ 50033/144 1999 3. 2. 1 引出端材料和镀涂引山
4、端材料为无氧铜,引出端表面应镀惕。3.2. 2 器件的结构器件是采用硅台商结构,玻璃钝化实体挝装,芯片和引线之间采用冶金键合。3. 2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581中的D2一lOA型及本规范的规定(见图1)。L G L t负极陈志m口1E这D2 lOA 符号町ltnnom 町iaxb2 0.72 0.87 D 3.5 G 5.0 L 25 L1 1.5 L2 12.5 陀:)Li为引线弯曲成宽角后器件安族的最小轴向长度阁1外形阁3.3 最大额定值和主要电特性3. 3. 1 最大额定值参数| Pio/ lzsM /ZM Top Tst1 TA=25。cw mA mA 。c。c2CW50
5、78 0.25 表6第8栏我6第7栏由55150-55150 注:l)几25C时,按2mW/C钱性地降额句,“SJ 50033/144-1999 3.3.2 主要电特性(TA口25C) :( 几rz rzK /RI vz 出表6第4栏lz t表6第4栏lzK =l mA VR 表6第9栏目表6第4栏v n n v %/oC 最小值最大值最大值最大值最大til:最大值2CW50 78 表6第10栏表6第14栏表6第3栏表6第2栏表6第5栏表6第6栏3. 4 电测试要求电测试内符合GB丁6571及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33A和本规甜的规定。器件标志为极性和型号,型号中省略“2C
6、”字样,如2CW58标志为“W58飞4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33A和本规范的规定。4. 2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33A规定。4. 3 筛选(仅对JT和JCT级)筛选应按GJB33A表2和本规琐的规定,其测试应按本规;在农1的规定进行,超过本规?臣表l极限值的器件应予剔除。筛j在要求步1票和项目试验方法条件要求GJB 128A I.内部目检(不适用)3.温度循环1051 温度:币55王金150C (空气一空气)循环次数:20次极值咀度下试验时间0.5h 4.恼定力速度(不适用)5.粒子碰撞噪声检测(不适用)7.密封(不适用)8.编序列号(不要求)10.高温反
7、偏(不要求)1 I. PDA的中间也参数测试技本剧ill表l的人2分组测Vz和l/RI 和(i.)变化盘12.功率者炼1038 试验条件日几25C 外加PB流zM见表6第7栏时间:至少96h 吗JV步骤和项目13.终点测鼓PD人的中问rt!参敬和A参数14.密封(不适用)15. x射线照相(不要求)16. tl视检it(不;求)4.4 质量一致性检验pb呻试验方法GJB 128A 叫一表U一续nU叩hum AUYM nvm hHU甲条件t在牛;周范表l的A2分细质量一致性检验应按GJB33A和本规范的规定。4.4. 1 A细检验A细检验应按GJB33A平日本规范表1的规定进行。4.4.2 8组
8、检验日组检验应按GJB33A和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C细检验应按GJB33A和本规范表3的规定进行。4.4.4 班组检验E组检验应按GJB33A和本规范表4的规定进行。4. 5 检验和试瞌方怯检验和试验方法应按本规范相应的表和干列规定进行。4. 5. 1 浪涌电流要求IAfR1I:;.初始值的100%1.0 A取较大者。I几1:;初始值的2.5%。在二极管上反向施加表6第8栏中规定的峰值电流,并且这峰值电流应与电流lz(表6第4栏)叠加,每个?良捕时间间隔为lmin,共作5次,波形为50Hz的正张波(或能量相等的方波)。4. 5.2 工作电lli( Vz) 工作电脏的测试,
9、在施加测试电流马(表6第4栏)衍器件热平衡日进行。在进行该项测试中,器件的安装夹具内侧边离管体应在lOmm12mm之间,环境温度25划。c.4. 5.3 工作也应温度系数(vz)在规定的环境温度F,施加工作也流,待器件热平衡后,测出电压值,按下式算出工作电ffi温度系数vz100(V72 Vz1) vz口“(%oC),., (兀一Ii)Vz1 式中:Vz2几温度下的i:作电压,V:几l一一T1温度F的工作山庄,v.4. 5.4 电ffi调整(Vz)保持电流为zM(农6第7栏)的10%,待器11:热平衡后,测试凡的敖值,两把电流增加到fzM(表6第7栏)的50%,保持段时间,待器件热平衡后,测试
10、此时的Vz4一SJ 50033/144-1999 值。这两个电压的变化最不应超过表6第13栏给出的规定值。在该项试验期间,器件的安装夹具内侧边离智体应在IOmm12mm之间,环境泪度25日。Co表lA细检验GB/T 6571;第W章第2节极限值单位检验成试验方洁条件抽样方案符号最小值最大值几25C3 C !分组LTPD=S 自视标志应清晰,破球(PPM3) 无裂纹、针孔气泡,铝自检和机械检验GJB 128A 柱露出不超过0.8mm. 2071 2分组116 (PPM-2) (C=O) 正向电压5 马100mA v. 1.5 v 反向电流4 直流法/R 表6第10栏A VR提6第9栏的值表6第2
11、栏工作山庄1.1 见本规范4.5.2v, 表6第3栏v m表6$自4糕的值3分组116 (PPM2) (C吨)商描1工作几臼125C3 C 反向电流4 直流法/R2 表6第llt A VR表6第9栏的值4分组116 (PPM-2) (C=O) 动态电阻2.l 马z表6第4栏的值rz 表6第5栏。/sig=l0% lz 拐点动态2.1 lz1e=l mA rzK 表6第6栏。电阻l,;2 = l 0% lzK 5分组(不适用)6分组GJB 128A LTPD叶。1良涌电流4066 试验条件A和本规m4.5.I终点测试见表5步骤l、3和47分组LTPD叶。电:调整卒;规?也4.5.4表6第13栏v
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