SJ 50033 137-1997 半导体光电子器件.GF216型橙色发光二极管详细规范.pdf

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1、B.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5980 SJ 50033/137 - 97 半导体光电子器件GF216型橙色发光二极管详细规范Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for orange - red light emitting diode for type GF216 1997.06-17发布1997-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电子器件GF216到橙色发光工极管详细规范1 范阁1.1 .:题内容Semiconductor optoel时tronicd

2、evic创Detail specification for orange- red Iight emitting diode for type GF216 SJ 50033/137-97 本规m:规定了军用GF216型橙色发光二极管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用商围本规?自适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类1.3. 1 器件的等级按GJB33-85(半导体分立器件总规施的规定，提供的质量保证等级为普军级(GP)、特翠级(GT)二级。2 引用文件GB 11499-89 半导体分立器件文字符号GJB 33-85 半导体分立器件总规市GJB 128 86 半导体分立器件试验方法

3、SJ 2355-83 半导体发光器件测试方法GB/T 1565195 半导体器件分立器件相集成电路第5部分:光电子器件3 ;:求3. 1 详细要求各条要求应按GJB33和本规施的规定。3.2 设计、结构与外形尺寸器件的设计、结胸应按GJB33中3.5.1.3.5.3.3.5.4和3.5.7条及本规琐的规定。外形尺寸符合本规班回1的规定。3.2.1 管芯材料管芯材料为磷呻化镶。3.2.2 外形尺寸及引出端识别(见罔1)中华人民共和国电子工业部1997-06-17发有1997-10-01实施创50033/13797e 1.正极2.负极问L最标称最A 7.20 一7.65 Ai 4.85 5.25

4、h 0.45 毕-一_.争D5.80 一6.00 Di 4.80 5.00 e 2.40 一2.50 3.2.3 封装形式金属/玻璃避镜空腔封装，见阁103.2.4 引线伏皮A 大达三F K L a 因1最标0.40 24.50 一可按合同的规定(见6.2接)提供引钱长度不问于规范图1规定的器件。3.3 号|线材料和引线镀涂引钱材料为可伐，引线镀金，也曰:按照合同规定(见6.2条)03.4 最大额定僚和主要光电特性3.4.1 最大额定值(见表1)我1IFM IFPM 1) VR (mA) (mA) (V) 30 100 6 注:1)脉冲宽度O.lms，占费比1/1003.4.2 主要光电特性(

5、见寰2.Tamb=25 C) 唰币晶.PM (mW) 80 Tamb (t) 甲55-100单位:mm称最大一0.60 0.80 一0.80 一45 一T stg (t) 睛.55-125 臼50033/13797表2名称符号菇发光强度Iv If嚣10mA，0=0.正向电压VF If= 10mA 峰值发射榄长p IF= 10mA 光谱辅射带宽.:ll IF= 10mA 反向电流IR VR出6V半强度角01/ 2 IF= 10mA 3.5 栋志标志应符合GJB33中3.7杂的规定。4 质量保证规定4.1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规施的规定。件数值单位最小最大10 mcd 2.2 V

6、 610 635 nm 30 nm 10 P.A 5 4. 1. 1 表4人1分组进行检脆利试验的器件可以用于A2，A3，A4分组的检验和试验，通过A翻检验的器件，可以作为B组和C组检验和试验抽样的母体。4. 1. 2 在做C组检验中的寿命试验时，制造厂有权选择已经过340h的日组寿命试验的样品再进行660h的试验，以满足C银寿命试验lOOOh的要求。4. 1. 3 夜GCl分组进行检验的器件，如果光电特性符合A2，A4分组的要求则可以用于C2分组的检验和试验。4.2 筛选(仅对GT银)筛选的步骤利条件应按GJB33和本规部表3的规定。表3筛选的步骤和条件(仅对G丁级)GJB 128 极限值搏

7、一i 蛐初试验符号单位方法条件最小最大内部目检2073 芯片完整(封帽前)电极完整2 高温寿命1032 Tstg= 125t, t: 24h 3 热冲f告1051 除低温T古由55t(泪度循环)循环20吹外，其余按试验条件日4 假定加速度2006 Y1方向，196000mfs2 5 密封1071 细检捅a.试验条件H最大桶率5X lO-3 一阿甲-.叶, 一3创50033/137- 97 续表3G1B 128 极限值步骤检验和试揄符号单位方法条件最小最大Pa. cm3/s b. 粗检捕b.试验条件C，氟泊，125C 6 高由反偏(不适用)7 中间光电参数测试正向电压SJ 2355.2 IF出1

8、0mAVF 2.2 v 反向电流SJ 2355.2 VR=6V IR 10 A 发光强度GB/T 15651 IF且10mA，8=0Iv 10 mcd 8 电老炼1038 IF口30mA，t =96h (正向偏置)9 最后测试(老化后96h内完成全部参数测试)正向电压变化量的SJ 2355.2 IF 10mA I. VFI 50 mV 绝对值发光强度变化量的GB/丁15651IF= 10mA, 8=0 IMvl 20%IVD mcd 地对值10 带封(不要求)11 外观及机械检揄2071 打栋志之插进行无裂坟、无明显锈蚀，无损坏，标志清晰4.3 鉴定检验鉴定检验成按GJB33和本规范表4、表5

9、和表6的规定。4.4 质最一致性检验质盘一致性检验应包括A组(见表4)、B组(见表5)和C组(见表的中规定的检验和试验，以及下面的规定。4.4.1 C姐检验应在初始批时开始进行，然后在连续生产过程中每隔6个月进行一次。4.4.2 如果合向中日作规定(见6.2条)，制造厂应将质最一致性检验数据连同产品一起提供。4.5 检验和试验方法检验和试验方法按表4、表5、我6和表7的规定。一4创50033/137 - 97 表4A组检验条件数值拉揄或试磁符号方法除非另有规定:单位L丁PDTamb=25t 撒小最大Al分组无裂妓5 外观及机械GJB 128 无明显锈他检验2071 先损坏A2分组5 E向电压V

10、F SJ 2355.2 IF= 10mA 2.2 v 反向电流IR SJ 2355.3 VR=6V 10 A 发光强度l可GB/T 15651 IF= 10mA. 0 O 10 mcd A3分组5 正向电服Vr 512355.2 Tamb=叩55t2.7 V IF 10mA 反向电流IR 白2355.3了amb=100t 100 A VR=6V A4分组峰值发射被*p GB/丁15651lOmA 15 610 635 nm 光谱辐射带宽.1 GB/T 15651 IF 10mA 30 nm 半强度角BI/2 5J 2355.5 Ir= 10mA 5 表5B细检验GJ8128 LTPD或栓验或试

11、舱n(c) 方法条件B1分组15 可焊性2026 标志耐久性1022 按本规戒3.5条82 分组10 热冲击1051 除低翻T=甲55t.循环20次外，其余撩试(悔皮帽环)验条件8密封1071 a.细检捕a.试验条件日，最大漏率SX lO-3Pa.cm3/s b.粗检漏b.试磁条件C.氟泊，125t最后测试表7步骤lB3 分组5 稳工作寿命1027 1 F: 30mA. t = 340h 最后测试，丧7步骤2一一5一时50033/137叩97续表5GJB 128 LTPD或检验或试揄n(c) 方法条件B4 分组开峭内部现检2075 采用封帽前的样品1(0) (设计验证)键合强度2037 来用封

12、帽前的样品20(c隅。)B5 分组(不适用)四分组7 高混寿命1032 T.回=125t , t = 340h (不工作)最后测试表7步骤2表6日组检验GJB 128 检验或试磁L丁PD方法条件C1 分组15 外形尺寸2066 按本规m阁lC2 分组1 10 热冲击1056 试验条件A(玻璃应力)引出端强度2036 试验条件E密封1071 a.细检楠a.试验条件日，最大漏率口5X1Q -3Pa.cm3/s b.粗检楠b.试验条件C，氟油，125t综合温度/温度1021 省略初始条件周期试脸外现及机械2071 无裂纹，光明显锈蚀，无损坏检验最后测试表7步骤1C3 分组10 冲击2016 不工作，

13、按14700m/s2，O. 5ms 在Y，方向上冲击5次变颇报动2056 值定加速度2006 Y1方向.196000mN.lmin最后测试亵7步骤l一6一时50033/137叫97续表6GJB 128 检磁或试验LTPD 方法条件c4 分组(不适用)C5 分组(不通用)c6 分组 = 10 稳工作寿命1026 1 F: 30mA, t: 1000h 最后测试表7步骤2C7 分组10 高调寿命1037 T.田=125t t = 1000h (不工作)最后测试表l步骤2表7B组和C细的测试数值步骤检验方法条件持号单位最小最大正向电压SJ 2355.2 IF= 10mA VF 2.2 V 反向电榄即

14、2355.3VR口6VlR 10 A 发光强度GB/丁15651IF= 10mA Iv 10 mcd 。=021) 正向电压划2355.2If= lOmA VF 2.5 V 民向电流Sj 2355.3 VR=6V lR 20 A 发光强度GB/T 15651 IF= 10mA Iv 8 mcd 。口ot:注:1)对本试验超过A2分组极限值的器件不能向用户提供。5 交货准备包装应符合GJB汩的要求。6 说明事项6.1 预定用途PJ用于各种军事仪器设备中的显示器，也可用于其它各种民用电子仪器设备中的显示器和指示器。6.2 订货文件内睿a. 本规范的名称与编号;b. 器件的型号和等级;一7臼50033/137- 97 C. 数量;d. 如果引钱不是镀金，应规定镀层(见3.3条); e. 如果引铺怯度不同于回1.应规定引线民度(见3.2.4条)j f. 检验数据(见4.4.2条)。g. 如果订货文件要求，应提供器件的特性曲钱。6.3 定义和符号本规指使用的定义和符号应按GJB33、GB/T15651、GB11499以及下列规烧;e:光电探测器轴线均器件机械轴之间的央角。IVD:单个棉件的初始值。附加说明:本规?自由中国电子技术栋准化研究所归口。本规范由仅春市半导体广负责起草。本规班主要起草人:陈兰、曹德广、石淑华。计划项目代号:B51009o一8