SJ 50033 134-1997 半导体分立器件.3DD167型低频大功率晶体管详细规范.pdf

《SJ 50033 134-1997 半导体分立器件.3DD167型低频大功率晶体管详细规范.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《SJ 50033 134-1997 半导体分立器件.3DD167型低频大功率晶体管详细规范.pdf（11页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 8J 50033/13497 半导体分立器件3DD167型低频大功率晶体管详细规范8cmiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD 167 low freq uency and high power transistor 1997.06-17发布1997.10翩。1实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DD167型低频大功率晶体管详细规范1 范围1. 1 主题内容Semicoductor discrete devices

2、Detail specification for type 3DD167 low- frequency and high翩翩powertransistor 时50033/13497本规范规定了3DD167B-F础低颇大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用拖罔本规泡适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规戒根据器件质量保证等级进行分类。1.3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规拖)1.3的规定，提供的产品保证等级为普军、特军和施特草三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587-94 GB 7581-87 GB 12300-90 GJB

3、33-85 GJB 128 86 3 要求3.1 详细要求双版础晶体管半导体分立器件外形尺寸功率晶体管安全工作测试方法半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计和结构器件的设计和结掏应按GJB33和本规泪的规定。3.2.1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐，引出端表面应为锡恩或镣段。3.2.2 器件结构中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997 -10-01实施时50033/134叩97器件采用扩散台商或外延台团结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581中的出01D型及如下规定。见囹10NMM E U1 叫l一基棍2一

4、发射极集电榄接外壳因1外形图3.3 最大翻起值和主要电特性3.3.1 最大额定值mm 飞卖B2-01O mm nom max A 12.0 15.5 份1#2 3 +日33.0 d 9.5侨F 3.70 L 17.0 LI 1嗣5P 5.1 5.3 q 42.7 43.3 R1 18 Rz 5 S 25.0* U1 53.3 U2 36.0 型号PICrt V CIlO VCF.O VEIlO Ic Tj T.回Tc=25C V V V A 3001678 150 100 300167C 200 150 3001670 225 250 200 5 15 175 -55-175 300167E

5、350 250 300167F 400 300 能:lTc25C时，按1.5W/K的速率钱性地降额。 2 创50033/134叩973.3.2 虫耍电特性(TA=2St) hm 1) V侃剧VBEoat 1号(th)j吨C极限值V=5V Ic=7.5A Ic古7.5AVCE= 10V Ic出7.5AIB=O.75A V 型号最大值橙:25-40 3DD167B-F 黄:40-55 绿:55-80 1. 5 蓝:80-120 注:l)hFEl辽40日子其误锺小子士20%;hm 40时，其说盖小于士10%。3.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5 标志器件标志应符合GJB3

6、3及本规班的规定。4 质量保证规定抽样和检验应按GJB33的规定。4. 1 抽样和检验4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)IB=0.75A Ic=2A V K/W 最大值最大值2.0 0.66 筛选应按GJB33表2和本规甜的规定。其测试应按本规施表1的规定进行，超过本规?也表l极限值的器件应予剔除。筛选(见GJB33的褒2)3.热冲击(踊皮循环)7.中间电参数测试8.功率者炼9.最后测试4.4 质盘一致性检脸试验条件:F-l循环:20次槐度:- 55C ICB01和hm测试或试验功率者炼条件如下:Tj 162.5士12.5CVCE = 25V PM

7、二112.5W按本规施表l的A2分组MCBOl初始值的100%或0.5mA取较大者l.hml 初始值的20%一3一时50033/134叩97质最一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规?在我1的规定进行。4.4.2 日组检验B组检验应按GJB33和本规班表2的规定进行。4.4.3 C组位验C细检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验试验方法检验和试验方法应按本规施相应的表和下列规定。4.5.1 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验GB 4587 极限值检验就试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值Al分

8、组GJB 128 5 外观及机械植验2071 A2分组5 V(BR)臼。集电极一发射极本规戒发射极一琪极开路;击穿电压附录AIc = lOmA 3DD167日100 一V 3DDl67C 150 V 3DD167D 200 一v 3DD167E 250 一V 3DDl67F 300 V 发射极基榄2.9.2.2 集电极慕极开路;V(BR)EOO 5 一V 击穿电压IE=5mA 集电极一基极2.1 发射极基极开路;I1 1. 0 mA 截止电流VCB= Vcoo 集电极发射极2.14 发射极慕极开路;抖lCEo一5.0 mA 献止电流V口0.5VCEo集电极一发射极2.3 Ic=7.5A V伪制

9、一1. 5 v 饱和电压lB=0.75A 脉冲法(见4.5.1)基极一发射极2.4 Ic= 7.5A VBEtnt 2.0 V 饱和电压IB=0.75A 脉冲法(见4.5.1)正向电流传输比2.8 VcE5V hFE1 25 120 Ic=7.5A 脉冲法(见4.5.1)人3分组5 高掘工作;T A = 125士5t集电极一基极2.1 发射极慕极开路I阳一10 mA 橄止电流VcB=0.7Vcoo 一4SJ 50033/134叩97续表1GB 4587 极限倪检磁或试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值低潮工作;TA口-55tlE向电流传输比2.8 VE=5V hFEQ 15 一一Ic=7

10、.5A 脉冲法(见4.5.1)A5分组10 安全工作区按图2Tc坦25t(直流)GB 12300 t:= 1st单次试验lV嚣15VIc= 15A 试瞌2VcE=25V Ic=9A 试验3300167日VCE = 100V Ic=218mA 300167巳VE= 150V Ic盟72mA300167D V=200V Ic=30mA 300167E VE = 250V lc悍16mA3DD167F =300V Ic= 10mA 最后测试:见袭4步骤l和3表2B组检验GB 128 极限值检验或试验LTPO 符号品位方法条件最小值最大值Bl分组15 可焊性2026 标志耐久性1022 B2分组10

11、热冲击1051 温度:甲55t(榻皮循环)其余为试验条件:F一l密封1071 a)细检漏试验条件Hb)粗幢漏试验条件C最后测试:见我4步骤1和3B3分组5 一5制50033/134时97续表2GB 128 极限值幢幢就试瞌LTPD 符号品位方法条件最小值最大值稳态工作寿命1027 Tj = 162.5士12.5tV=25V p 101;:112. 5W 最后测试:见费4步黯2和4B4分组(仅对GCT级)开帽内部目检2075 每批1个器(设计核实)件.0失效键俞强度2037 试瞌条件A20(C=0) B5分组15 热阻GB 4587, VCE=10V R(甘、)j-oK!W 0.66 2.10

12、Ic出2.0A25tTc:;75t B6分组7 高温寿命1032 TA = 175t (非工作状)最后测试见我4步骗2和4表3C组检验GJB 128 检验或试验LTPD 方法条件Cl分组15 外形尺寸2066 见图1C2分组10 热冲击1056 试验条件B(玻璃股力)引出端强度2036 试验条件A外加力:20N时间:10s受试寻1m端数:2密封1071 a)细检捕试验条件Hb)粗检漏试验条件C综合掘皮/眼皮1021 周期试验外观及机械检磁2071 最后测试1见表4步骤1和36一即50033/134- 97 续表3GJB 128 检验或试揄LTPD 方法条件C3分组10 冲f告2016 变颇振动

13、2056 但定加班皮2006 最后测试:见表4步骤1和3CA分组15 (适用时)盐气(侵蚀)1041 c6分组稳态工作寿命1026 TA=162.5士12.5tk需10V 0;: 25V P tot1l2. 5W 最眉测试:见表4步骤2和4表4A组、日组和C组最后测试GB 4587 极限值步骤测试符号单位方法条件最小值最大值集电极一基极发射极一基极开路:Ic盼1一l. mA 截止电流2.1 Vcs= VCBO 2 集电极一摇概发射极一基极开路ICOOI 响申2.0 mA 截止电流2.1 VlB= VCBO 3 iE向电流传输比2.8 Vcs=5V hFE1 25 120 峭酬Ic=7.5A 脉

14、冲法(见4.5.1)4 正向电流传输比2.8 Vo;= 5V Ic=7.5A |AhmI|1 初始值的25%脉冲法(见.5.1)性:1)本测试跑过A组极限值的器件不应接受。5 交货准备5.1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求一7SJ 50033/134叩97运输要求应按GJB33的规定。说明事项6.1 预定用途符合本规范的器件提供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:a)本规洒的名称或编号;b)等级(见1.3.1);c)数量;d)常要时，其他要求。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时

15、，应在合间或订货单中规定(见3.2.1)6.4 如常要时，典型特性由线等可在合间或订货单中规定。6.5 直流安金工作民见阻206 300 25t 丁巳3DD1678 3lJDIM亿15 10 0.1 A 们UA 1. 0 暖时惊叫将HV峨(A) 200 2 AV 00 1 A -EA V(V) 3DD167的直流安金工作区集电极一发射极电压因2一8一Al 目的创50033/13497附录A集电极m发射极击穿电压测试方法(补充件)本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电f正是否大于规定的最低极限。A2 测试电路S, 出:在测试电梳时，电流载的摇头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流程压降的校正。阁Al集电极一发射极击穿电压测试电路阁A3 测试步骤限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BRlCEO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法用于表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下必须使晶体管的集电极电流及铺温保持在安全值以内。A4 规定条件a.环境描皮TA;b.测试电流Ico一9一时50033/134- 97 附加说明:本规市由中国电子技术标准化研究所归口。本规市由中回电子技术标准化研究所起草。本规范主要起草人:察仁明、五保帧。计划项目代号:B51019o一10一