SJ 50033 129-1997 半导体分立器件.3DD155型低频大功率晶体管详细规范.pdf
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1、B.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 596J SJ 50033/ 12997 半导体分立器件3DD155型低频大功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD 155 low frequency and high - power transistor 1997啕06嗣17发布1997-10“01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DD155型低频大功率晶体管详细规范1 范围1. 1 主题内容Semiconductor discrete devic
2、es Detail specification for type 3DD 155 low- frequency and high power transistor 时50033/129-97 本规范规定了3DD155AF型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。1.2 适用?在罔本规沾边用于器件的研制、生产和采购。1.3 分类本规范根据器件质最保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33半导体分立器件总规范)1.3的规定,提供的质量等级为普军、特革和坦持平二银,分)JJ日字母GP,GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587-94 双极型晶体管GB 7581-87 半导体分JI
3、器件外形尺寸GJB 33-85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3要求3. 1 详细要求各项要求符合GJ日33和本规班的规定。3.2 设计和1kiI构器件的设计和结构应按GJB汩的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐,引出端表因为锡层或保底。3.2.2 器件结构器件为外延台商或三盘扩散台团结构。中华人民共和阁电子工业部19976-17发布1997-10-01实施SJ 50033/ 12997 3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581中的日2一01日型的要求,见图lo险j挣脱固出了道ll一基极2一发射极外壳集电极因l外形因3.3 最大额定值
4、和主要电特性3.3. 1 最大额定值字卖日2-0lB町unno口1max A 9.8 bi 1.52 2 0.9 1.1 。15.0 d 3.0惕F 3.0 L 8.5 10.5 Li 1. 5 p 4.0 4.2 q 22.8 23.2 R1 9.5 Rz 4.3 s 13.1骨U1 31.4 U2 19.0 l) 型号Ptot Vero Vr.盼le 1、ir啕Tc 25 w v v v 人 3DD155A 80 50 3DD155B 150 100 3DD155C 30 200 150 5 2 175 55 175 3DD155D 250 200 3DD155E 300 250 3DD1
5、55F 350 300 -2一创50033/129-97 注:1) Tc25时,按200mW/K的班率钱性地降额。3.3.2 主要电特性(TA=25) 1) Vcr., VBE副Re出)j-c hFEt le lA le口lAYcr=lOV 极限值V且svIB= 0. lA IB= 0. lA le Z二O.SAle= lA 25 Tc55时,其误差小子土10%03.4 ft!.测试要求rt1,测试成符合GB4587及本规范的规定。3.5 1引志标志服符合GJB33及本规范的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。
6、4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33的表2和本规施的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规戒丧:极限值的器件应予剔除。筛选(见GJB33的表2)测试或试验试州四川一数p参中由M电冲U一问热忧?中qJ句J试验条件:盟度:55150,循环次数:20次;恒温各30mm转换t,01初始值的100%或100.A取较大者I .1hm I初始值的20%一3一时50033/129-97 4.4 质量一致性检验质最一致性检验按GJB33的规定。4. 4. 1 A组检验A组检脸应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 日组检验日组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行04.4.3
7、 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的划定进行。4.5 检监方法检验方法应按本规?也相应的表和下罗1J规定。4. 5. 1 协冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。我lA组检验GB 4587 检验戒试验方法条件Al分组外观及机械检验GJB 128 2071 一?一一一一A2分是1集电极一发射极:本蜿7ff.发射悦荔放If路;击努电压附录Ale工lmA3DD155人3DD155日3D口155C3DD155D 300155瓦3DD155F 发射版基榄2.9.2.2 集电极在极开路;击穿rt!,压h=0.3mA 集电报一荔极2.1 发射极荔极fl:路;戳止电流VcB Vc
8、Bo 集电极发射极2.14 发射极一基极开路;献止电流VcE=0.5Vcrn 集电极一发射极2.3 le= lA 饱和电压Ill=O. IA 脉冲法(见4.5.1)基极一发射极2.4 le= lA 饱和电压Ill=O.lA 脉冲法(见4.5. l) 正向电rm:传输比2.8 YcE= SV le= lA 脉冲法(见4.5.1) 4一LTPD 5 5 极限值符号单位最小值最大值VrnRlCEO 50 一v 100 v 150 一v 200 一飞J250 v 300 v V(BR)EOO 5 v I C1l0! 0.2 mA Icw 0.4 mA V Clltot 1. 0 v V BEtot 1
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