SJ 50033 127-1997 半导体分立器件 2DK14型硅肖特基开关整流二极管详细规范.pdf

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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/12797 半导体分立器件2DK14型硅肖特基开关整流二极管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2DK 14 SCHOTTKY silicon s、vitchingrectifier diode 1997-06-17发布1997-10幽01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件2DK14型硅肖特基开关整流二极管详细规范Semiconductor discrete devices Det

2、ail specification for type 2DK14 SCHOTTKY silicon switching rectifier diode 1. 1 主题内容SJ 50033/ 127 甲97本规范规定了2DK14础硅肖特基开关整流二极管（以下简称器件）的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3 分类本规施根据器件质最保证等级进行分类。1. 3. 1 樱件的等级按GJB33（华导体分立器件总规范）1.3的规定，提供的质最保证等级为普军、特容和相持榕三级，分别用学母GP1GT和GCT表示。2 引用文件GB 4023一86半导体分立器件第2部分按流二极管GB

3、 6571-86 小功事情号二极管、稳应及基准电压二极管测试方法GB 758187 半导体分立器件外形尺寸GB 33-85 半睁体分立器件总规？也GB 128 86 半得体分立器件试验方法3 I.求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本册商的规定。3.2 设计和结构器件的设计和结构应按GJB33和本规班回1的规定。3.2. 1 引出端材料和涂展中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施SJ 50033/127 97 引出端材料应为柯伐烛，引出端表面镀锦或段锡03.2.2 器件结构由二个芯片装配，井和底盘、引出端之间采用高阻冶金键合结构。器件2DK14C.D.

4、 E. F 各档和2DK13C.D. E. F档为结构相似锦件，在日组，C组试验中可以用2DK14替代2DK13（但不包括出和C6分割）。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应付itGB 7581的时一01日及如下规定。见图lo2 1一正极，2正极，负极接外壳图1外形图3.3 最大额定值和i:要电特性3.3. 1 最大额定值I。型号T0=75 A 2DK14C 2DK14D 10 2DK14E 2DK14F 2 R1 叫1。VRRM VRWM v v 50 40 60 50 70 60 80 70 口1盯lB2OlB mm nom 口iaxA 9.8 bl 1.52 b2 0.9 1.1 D 15.0

5、 d 3.0份F 3.0 L 8.5 10.5 L1 1.5 P 4.0 4.2 q 22.8 23.2 R1 9.5 Ri 4.3 s 13.1钊U1 31.4 Uz 19.2 IFSM T 叩A 200 叩55150150 Tsta -55 175 SJ 50033/ 127-97 3.3.2 主要电特性（TA=25） VFMl VFM2 VF阳IRI FM: lOA(pk IFM= lA IFM=lOA YR嚣VRw型号(pk) (pk) Ti= -55 Ti=25 v v v mA 最大值最大值最大值最大值2DK14C 0.65 0.50 0.85 2DK14D 2 2DK14E 0.

6、75 o.ss 0.95 2DK14F 3.4 电测试要求电测试应符合GB6571及本规范的规定。3.5 标志标志应符合GJB33和本规甜的规烧。4质量保证规定4. 1 抽样和检验IR2 MiVR=Q.8VRWI Ti口125mA 最大值45 55 Rc1hi “ C clot trr IH出4Af= lMHz IF= O.SA tH= 50s VR=5.0V K/W pF 饥S最大值最大值最大值15 2400 100 抽样和检验应按GJB33和本规施的规定，当批量小于500时，抽样采用小批量的LTPD抽样和固定抽样相结合的抽样方案。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选（

7、适用于GT和GC丁级）。筛选应符合GJB汩的我2和本规甜的规定。下列测试应按本规市中表1的规定进行。超过本规范表1极限值的器件应剔除。筛选试磁方法测试或试验质量保（见GJB33载2)(GJB 128) 证等级1.内部自检2073 G丁、GCT2.商也寿命1032 试验件：175t =48h GT、GCT3.热冲击（嗣皮循环）1051 试验条件：申55150循环20次GT、GCT4.假定加速皮2006 98000m/s2 (lOOOOg) 20s 电密2.1.3 VR=5.0V C101 一2400 pF f= lMHz 反向恢复2.1.4 IF=O.SA t rr 100 ns 时问AS分组（

8、不适用）A6分组10 搜捕电流GB 4023 时间问阳为！minN-3.1 脉宽为！Om脉冲搜捕10次 6 时50033/127-97旗号是1GB 6571 极限值检验或试瞌LTPD 符号单位方法条件最小值最大值2DK14C IFSM=200A 2DK14D IFSM=200A 2DK14E IFSM且lSOA2DK14F IFSM= lSOA 最盾测试t见我4步骤1和2我28组检验GJB 128 小批量质检验或试磁LTPD 量致性方法条仲检验”leBl分组15 6(C=O) 可焊性2026 焊接停留时间5立ls,T出235士5标志的耐久性1022 B2分组10 6( C = O) 热冲击（温

9、度循环）1051 除低晦为55外其余问试验条件Fl密封1071 a.细检捕试验条件H5i。”2Pa.cm3/sb.粗检漏试验条件C最后测试且表4步珊l和2阳分组5 12( c嚣。）稳态工作寿命1026 Tc目600/=SO日zI0= lOA, .iE半用导il!1角大于110Va=0.8VawM，负学周导通角大于1so最后测试：见我4步辄1和2B4分组开帽内部目检2075 自检标准按鉴定设计n= 1 c口。l(C=O) 钝合强皮2037 . 试瞌条件C饱含力3000mN（内n瑞6c捕。6( c = 0) 引钱铜片）至少三个器件芯片剪切强度2017 n=6 c=O 6(C=O) （适用时）部分割

10、15 S(C=O) 热阻GB 4023 IH=4A tH=SOs IM=lOmA IV 2.2.2 Rc1hli “ e. = 10 12(C=O) 稳态工作寿命1026 Tc=6o：o f =SO Hz t = lOOOh I0= lOA, lE半用导）iii角大于170VR = 0.8VRWM(pk），负半用导通角大于150最后测试：且表4步骤l和2表4A组、日组和C钮电测试GB 6571 极限值步骤检验就试磁符号单位方法条件最小值最大假1 IE向电压本规洒附录8I FM= lOA( pk) VFMl v B 图示仪法2DK14C 0.65 2DK14D 0.75 2DK14E 0.75

11、一8一SJ 50033/ 12797 续表4GB 6571 步骤检瞌躏试验符号方法条仲2DK14F 2DK14C IFM出lA(pk)VFM2 2DK14D 因仪出2DK14E 2DK14F 2 反向电流2.1.1 YR= VRWM IR 5 3(货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明事项6. 1 对引出端除愿有特殊要求时，应在合间或订货单中规定。6.2 订货资料a.本规陆的名称和铺号；b.等级（见1.3.1);c.数量；d.需要时其它要求。极限值单位最小m最大债0,75 0.50

12、 0.55 0.55 0.55 一2.0 mA 一9一SJ 50033/ 127-97 附录A晶体智的外观及机械检验（补充件）在正常照明和正常视力条件下，进行外部日检，检资项目如下：a.标志的清晰度；型号、商标、检验批代码、质最等级标志。b.引出端识别。c.机械缺陷、外观：不得出现引绒断裂、玻璃绝缘珠炸裂、空洞、缺损及外壳缺损、管帽变形等现象。Bl 测试目的附录n图示仪法；mVFM （补充件）在规定的条件下，用图示仪测试工极管的正向电压瞬时值。n2 电原理图D_ IYV飞RJ. R, 闹剧正向电压测试电路B3 测最要求。为被测二极管R l；回仪Y轴取样电阻R2：因示仪X轴取梓电阻目3.1 将图

13、示仪正向扫描电压施加到二极管阳极上，并将Y轴电流限制在详细规范的IF额定值内，观现1图示仪扫描披形测出正向压降VFon3.2 将测试系统的正极和负极短路，测出整个测试系统在规定电流IF条件下，职联电阻上压降V串。B3.3 按下式计算肖恃基二极管的正向电压降VFM= VF= v扇10一/F ￥幽刊, IF且VFM特性曲线SJ 50033/127-97 / / . y Ii . 自/ I/ I , L尘I/ v111 , vF o.1vn宽阔日2肖；u占工极背附录C特性曲线拉验（补充件）反向特性由钱显示和检查采用Y轴，lOmA楠，X轴lOV格作为电流电压选择，调节扫描也压使击穿白流达到40600mA，观察扫描放形。不得出现曲线抖动，蠕变，双线，用阴性的充放电，曲线问断，不连续拘捕拐角段服声和击穿血，试验持烧时间至少为Sso本试验是筛选后回仪检验最后一个项目，必须100%进行。附加说明：本规泡出中国电子技术部准化研究所归口。本舰也由济南半导体冗件实验所负责1点。本规部主要起草人：朱志光、贺黠帮。计划项目代号：B51056。11一