SJ 50033 126-1997 半导体分立器件.2DK13型硅肖特基开关整流二极管详细规范.pdf

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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/ 12697 半导体分立器件2DK13型硅肖特基开关整流二极管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2DK13 SCHOTTKY ailicon switching rectifier diode 1997-06-17发布1997-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件2DK13型硅肖特基开关整流工极管详细规范Semiconductor discrete devic帽Detai

2、l specification for type 2DK13 SCHOTTKY Silicon switching rectifier diode 1. 1 主题内容SJ 50033/ 126叩97本规范规定了2DK13型硅肖特蒜开关鞍流工极管（以下简称器件）的详细要求。1.2 适用洒罔本规市适用于器件的研制、生产和采购。1.3 分赞本规部根据稽件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33（半导体分立器件总规施）1.3的规定，提供的质最保证等极为普军，特平和路特军三级，分别用字母GP,GT和CCT表示。2 引用文件GB 4023 86 半导体分立器件第2部分整流工极管GB 6

3、571叩86小功率信号二极管、稳定及基准电压二极管测试方法GB 7581-87 半导体分立器件外形尺寸GIB 33-85 半导体分立帮件总规部GIB 128-86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规施的规定。3.2 设计和销构器件的设计相结构应按GJB33和本规范围1的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层中华人民共利国电子工业部19976-17发布1997-101实施“ 50033/12697 引出端材料应为柯伐丝，引出端表面镀镰成搜锡03.2.2 糯件结构由二个芯片蝶配，井和底盘、引出端之间采用高翻冶金键合结构。器件2DK14和2DK13C.D.E.

4、F档为结构相似器件，在日姐，C组试验中可以相互替代（倪日3分组、“分组除外）。3.2.3 外形尺寸外环：F7.寸fir.f合GB7581的日2-01日及如下规定。见回lo盯叫HU， L气I-: 3 卜正极，公正极，负极接外苟罔1外形图3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值/ B2 OlB mm nom max A 9.8 件b11.52 .bi 0.9 1.1 .D 15.0 d 3.0* F 3.0 L 8.5 10.5 L, 1.5 .P 4.0 4.2 q 22.8 23.2 R1 9.5 R2 4.3 s 13.1* u, 31.4 U2 19.0 Io YRRM VR

5、WM IFSM Tor T啕型号T.= 75 A v v A 2DK13C 50 40 2DK13D 60 50 5 100 由55150 55 175 2DK13E 70 60 2DK13F 80 70 一2一町50033/126叩973.3.2 主要电特性（TA=25） VFMI VFM2 VF附RI FM SA FM= lA IFM=SA VR=VRWA 型号(pk) (pk) (pk) Ti昂叫SSTi=25 v v v mA 最大值最大值最大值最大惊2DK13C 0.6S o.so 0.80 2DK13D 2DK13E 0.70 o.ss 0.90 2DK13F 3.4 电测试要求电

6、测试应符合GB6571及本规范的规定。3.5惊志标志应符合GJB怡和本规疮的规定。4质.保证规定4. 1 抽样和检验IR2 VR:0.8VRWJ Ti= 12S mA 最大值3S 4S R伽（ctot trr IH=4A /=1MHz lp:O.SA tH= 50s VR=S.OV K/W pF ns 最大值最大值最大值15 2000 100 抽样和检验应按GJB33和本规范的规定，当批最小于500时，抽样采用小批量的LTPD抽样和固定抽样相结合的抽样方案。4.2 鉴定柿验鉴定检验应投GJB33的规定。4.3 筛选（适用于G丁和GCT级）筛选应符合GJB汩的税2和本规范的规定。下列测试应按本规

7、？在中表1的规定进行。越过本规施表1极限值的器件应剔除。筛选试跪方法测试或试验质量保证（见GJB33表2)(GJB 128) 等级1.内部目检2073 GT、GCT2.高由寿命1032 试验条件：175t =48h GT、GCT3.热冲击（温度循环）1051 试验条件：”55150循环20次GT、GCT4.恒定加速度2006 9800m/s2(10000g) 20s t 60sGT、GCT6.高由反偏1038 VR=O. 7VRWM TA= 12S（GT) Io嚣。t=48h TA: 150（GCT) GT、GCT7.中间电参数测试IR2条件见3.3.2GT、GCT一3一制50033/126”

8、97续表筛选试磁方梅测试成试验质最保证（见GJB33褒2)(GJB 128) 等级8.电者炼1026 Tc目600，！50日zIo=SA，正半周导通角大于110GT、GCTYR=O.SVRWM，负半周导通角大于1sot =96h 9.最脂测试MRM产初始值的100%或0.8时，取较大者GT、GCTAYFMI = lOOmV 10.槽封1071 粗检试验条件C细检试揄条件H漏率510喻2Pa.cm3/sGT、GC丁11.脉冲反向能量试跪试验方法见4.5.2GT、GCT12.特性曲钱检查见4.5.3G丁、GCT13.外观及机械愤验2071 打标称之盾进行，见附录AGT、GCT4.4 质量一致性检验

9、质最一致性检脸庞符合GJB33和本规范的规定。4. 4. 1 A细检验A组检验应按GJB33和本规览表1的规定进行。4.4.2 8组检瞌B组检验应按GJB33和本规范褒2的规定进行。4.4.3 C细检验C组检验应按GJB33和本规？臣表3的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应符合相应的表和下述的规定。4. 5. 1 图示仪法测VFM Vi:M的测量见附件B的规定。4.5.2 脉冲反向能量检验脉冲反向能最试验应按阁2所示电路实施，利用电感线围的反向电动势，向肖特蒜二极管注入脉冲反向能量，其数值和脉冲被形见罔2及试脆程序。4.5.3 特性曲线检查特性曲线的检查应符合附录C的规定。4.5

10、.4 热阻热阻测最按GB4023中2.2.3方法执行，所加功率引起亮植变化范围控制在2070范围内，并能用热电偶测最执行下列试验条件。加热电流：IH=SAtH=SOs 测量电流：IM=lOmA4.5.5 检验条件：除非GJB128和本规范另有规定，所荷试验和检验翻度均为TA=25土3。一4一创50033/126-97L TA H川UhHU 矶几 Vee 输出脉冲VM A叶，oA输入陈冲：脉冲tp=2.s占盘比1:1 脉宽幅度：13V脉冲个散：10个S：脉冲输入开关Vee电、踉lOV吁调DUT被视lj肖特基二极管L:lmH电感Rs0.10 lW Rin口son1w Rl,R2三极管基极分压电阻了

11、：大功率二二极管耐压soov以上A：电流袭试验程序：1.调节茹极分压电阻，使三极管T工作电流达到lAo2.关闭S输入脉冲情号，脉冲借号个数为10个。3.观察脉冲输入被影，服符合要求。4.检测被测肖特藕工极管VFM和IR应符合要求。因2脉冲反向能量试验电路表lA细检验GB 6571 极限值检验或试揄LTPD 符号单位方法条牛最小值最大值Al分组5 外观及机GJB 128中械检验2071 和附录AA2分组5 正向电压规7ii:FM= SA( pk) VFMI 附录防醋示仪法2DK13C 0.65 v 2DK13D 0.70 2DK13E 一0.70 2DK13F 0.70 2DK13C /FM=

12、lA(pk) VFM2 0.50 2DK13D 因示仪法0.55 2DK13E 0.55 2DK13F 0.55 院向电流2.1. l VR= VRWA /RI 1.0 mA 一5时50033/126叫97续我1A组检验GB 6571 极限值检磁或试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值A3分组5 高晦工作TA目125反向电流2.1. l VR口VRwMX0.8mA 2DK13C 35 2DK13D 35 2DK13E 45 2DK13F 45 低温工作TA= -SS 正向电压本规范图示仪法附录日IF= SA( pk) VF附v 2DK13C 0.80 2DK13D 0.90 2DK13E

13、一0.90 2DK13F 0.90 皮肉电流2.1. l VR= VRWM 0.8 f R3 30 mA A4分组5 脉冲反向本规市10个脉冲宽度2sIR 1.0 A 能最试验4.S.2 1，盹且V(BR)电t细、f, 2.1. 3 VR=S.OV C刷2000 pF f= lMHz 皮肉恢复2.1.4 IF=O.SA t,., 100 ns 时间A6分组10 搜捕电流GB 4023 时间间隔为lminIV-3.1 脉宽为！Oms脉冲愤涌10次2DK13C hsM= lOOA 2DK13D IFSM= lOOA 2DK13E I FSM = lOOA 2DK13F IFsM = lOOA 最脂

14、测试：见褒4:!Ji:紫l和2-6一创50033/126刷的我2日组检验GJB 128 小批量质最检瞌或试验LTPD 一致性检验Ii法条件旷c日1分组115 6(C帘。）可焊性2026 焊接停留时间5土ls,T=235丈5标志的耐久性1022 82分组10 6(C=O) 热冲齿（温度循环）1051 除低撮为咱55外，其余间试验条件F-1噎封1071 a.细检揣试聪条件H5 x l0-2Pa. cm3 /s b.粗检漏试验条件C最后测试见司是4步骤l和2B3分组5 12(C= 0) 稳工作寿命1026 Tc出60：0f出50日zI0=5A，正半周导迎角大于110VR = 0.8VRWM负半周导涌

15、角大于tso最后测试：见衰4步鞭1和2B4分组开帽内部日检2075 日栓标准按鉴定设计n=l c=O l(C罩。）髓合强度2037 试验条件C键合力3000mN”出6c=O 6(C口。）（内引钱铜片）至少二三个器件芯片剪切强度2017 n=6 c=O 6(C口。）（适用时）B5分组15 8(C=O) 热阻GB 4023 IH=4A t=50s IM=lOmA N 2.2.2 Re伽）j-e 15K/WB6分组7 12(C嚣。）高温寿命1032 TA= 175t = 340h （非工作状态）最盾测试：见装4步璐l和2一7一时50033/126-97 表3C组检验GJB 128 小批量质最被战或试

16、验LTPD 一激性检验方法条件旷cCl分组15 6(C= O) 外形尺寸2066 见图lC2分组10 6(C=O) 热冲击（玻璃服力）1056 试瞌条件A,0100，循环5次引出端强度2036 拉力试验条件A,W币25Nt=15s ！封a.细检漏1071 罔B2分组b.粗检捕肉B2分组综合撒皮眼皮1021 免做预处理循环10次周期试验外观及机械检验2071 同Al分组最后测试：见费4步辄1和2C3分组10 6(C目。）冲击2016 非工作状态，按14700m/s2O.Sm趴在X1、Y1、z.三个方向各冲击5次变频报动2056 假定加速度2006 非工作状态在凡、Y1,Z1每个方向各lmin98

17、000m/s2 最后测试：见表4步聪1和2C4分组15 6(C=O) 盐气（适用时）1041 C6分组1) A= 10 12(C=O) 稳态工作寿命1026 Tc=6oio f = 50Hz t = lOOOh Io= SA，正半周导通角大于110VR=O.SYRwM(pk），负半周导通角大于150最后测试：见费4步骤1和2一8一队J50033/ 126一97我4A组、B舰和C组电测试GB 6571 步鞭幢验或试验符号方法条件iE向电压本规施附录日FM出5A(pk)VFMI 回示仪措2DK13C 2DK13D 2DK13E 2DK13F 2DK13C FM= lA(pk) VFM2 2DK13

18、D 因仪法2DK13E 2DK13万2 反向电流2.1.1 YR VRWM IR 5 3C货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB汩的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明事项6. 1 对引出端渝底有特殊要求时，应在合间或订货单中规定。6.2 订货资料a. 本规范的名称和编号b. 等级（见1.3.1)c. 数量d. 需要时其它要求。极限值单位最小值最大值v 0.65 0.70 0.70 0.70 0.50 0.55 0.55 0.55 1.0 mA 一9一SJ 50033/ 12697 附录A晶体管的外观及机械检验（补充件）在

19、正常照明和正常视力条件下，进行外部目检，检班项目如下：a. 标志的清晰度：型号i商标、检验批代码、质量等级标志；b. 引出端识别：c. 机械缺陷、外观：不得出现引线断裂、玻璃绝缘珠炸裂、空洞、缺损及外壳缺损、管帽变形等现象。Bl 测试自的附录B图示仪法测VFM（补充件）在规定的条件下，用阁示仪测试二极管的正向电压瞬时值。B2 电原理因D R飞图Bl正向电lli测试电路83测量求D为被测工极管只1：因仪Y轴取样电阻Rz：图示仪X轴取样电阻B3.1 将图尔仪正向扫描电压施加革lj二极管阳极上，并将Y轴电流限制在详细规范的IF额定值内，观测图示仪扫描披形测出正向压阵VFo83.2 将测试系统的正极和

20、负极短路，测出整个测试系统在规定电流IF条件下，串联电阻上压阵V郁。83.3 按下式计算肖特慕二极管的正向电压降IF VFM= VF-v嘟 10 . ” 时50033/126-97 rl I 1/ rf , / / . y II . /i / I.I , 尘V串IVF:O. lV度图B2肖特慕二极管IF-VFM特性曲线附录C特性曲线检瞌（补充件）反向特性曲线鼓乐和检查来用y轴，lOmA格，x轴lOV格作为咆流电压选择，调节扫描电ffi使击穿电流达到4060mA，观察扫描搅形。不得出现曲线抖动，蠕变，双钱，周期性的咒放电，曲线间断，不连旗扫描拐角段崛南和击穿穿遇。试验持续时间至少为Sso本试验是筛选后回示仪检验最后一个项目，必须100%进行。附加说明：本规班由中国电子技术标准化研究所归口。本规？自由济南半导体无件实验所负责起草。本规源主要起草人：朱志光、贾崽馨。计划项目代号：B51055o11一