SJ 50033 125-1997 半导体分立器件 PIN11～15型硅PIN二极管详细规范.pdf

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1、B.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/125-97 半导体分立器件PINll15型硅PIN二极管详细规范1997-06-17发布Semicondutor discrete device DetaiI specification for silicon PIN diodes for type PIN11 ,_ 15 1997-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件PINll-15型破PIN二极管详细规范Semicondutor discrete device Detail specification for

2、 siIicon PIN diodes for type PIN11-15 1. 1 主题内容SJ 50033/12597 本规范规定了PIN11-15型磁PIN二极管(以下简称糯件)的详细要求。1. 2 适用范朋本规池边用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质盘保证等级进行分类。1.3. 1 器件的等级按GJB3385(半导体分立器件总规范第1.3杂的规定，提供的质最保证等级为普军级、特等级、超特军级，分别用字母GPGT、GCT表示。2 引用文件GB 6570-86 微波二极管测试方法GJB 33一85半导体分立器件总规范GJB 12886 半导体分立器件试验方法GJB 1

3、55792半导体分立器件微波二极管外形尺寸3 求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结掏和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1 引出端材料和涂屁引出端材料为可伐。引出端表团服应为镀金展。3.2.2 器件结构中华人民共和国电子工业部1997幡06-17发布1997-101实施一1一SJ 50033/125-97 高阻单晶双扩散台面FIN结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GJn1 557中W4叫01的要求，见回10申。-. 2 3.3 极大糊起伯和主要也特性3.3.1 最大额定值却号VRM V PINll 200 PIN

4、12 400 PIN13 600 PIN14 800 PIN15 1000 3.3.2 韭要电特性(TA口25C) 一2一IFM P A w 1. 0 l国。SF W4-01 MIN MAX D 4.12 4.28 Dl 2.90 3.10 D2 3.40 E 2.34 2.40 H 10.50 11.50 Hl 4.60 5.40 N 2.90 3.10 Top TSTg C C 55-125 由65-175 SJ 50033/12597 报rF ClOt V 限值V(隙f= 10kHz VR=50V 1口100mAIRlO 1,= 100mA v f= lMHz 型Q pF 号最值大最假最

5、值大最值值最大值最值最PINl1 200 PIN12 400 PIN13 600 一一1. 5 - 1. 2 PIN14 800 一PIN15 1000 3.4 电测i式要求电测试成符合GB6570及本规池的规定。3.5标志3.5.1 标志应符合GJB33和本规洒的规定。在器件瓷管中部打印下列标志a. 器件型号:b. 产品保证等极;C. 检验批识别代码。4 质提保证规定4. 1 抽样和检验按GJB33的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)V 大最值1. 0 trr 1踹10mAIR=100mA s 最值大值最一1. 0 Z(thlt Ls IF=

6、500mA Cs 脉宽10ms俨1M阳pF K/W nH 典型值典型值典型健50 0.25 1. 5 筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规m表1的规定进行，超过本规沼表1极限值的器件应予剔除。筛选(见33我2)2 商温寿命3 热冲击4 假定加速度5 密封6 商诅反偏7 中问测试8 电老化9 最后测试试验方法GJ 128 1032 1051 2006 1071 1038 1038 测试175 C 24h 除高m150C、循环20次外，其余同试验条件C196000m/52 (20000g) x、y两个方向各lmina.f田检漏试验条件H楠率5x 10 Pacm3/s b.粗检漏试验

7、条件C150 C 48h 额定值VRM的80%85 C f曰50Hz1 FM: 50mA VRM时80% V(BRl 96h I t. rF/ rF I 15% 其他参数:按本规?自费1的A2和A4分组一3一SJ 50033/125叩974.4 质量一致性检验质撞一致性检验应按B33的规定4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规施表1的规定进行。4.4.2 B组检验日组检验应按GJB33和本规抱我2的规定进行4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规施表3的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方措应按本规施相应我的规定。4.5.1 对外观及机械检验，制造广应以文件方式对检验

8、项目、所需设备、失效抓准加以规定。我1A组检捡GB 6570 极限值检验成试验LTPD 符号单位方法条件最小值最大值Al 分组GJB 128 条件.9i!.4.5.1 5 外观J).机械幢幢2071 A2分组5 总也容8.2 VR=50V CtoI 1. 2 pF f= lMHz 反向贵穿电服8.1 IRlO V(R) V PINll 200 一PIN12 400 一PIN13 600 PIN14 800 PIN15 1000 一正向微分电阻8.3 IF出100mArF 一1. 5 。f且10kHz正向电压3.3 IF= 100mA VF 一1.。V A3分组5 反向击3手电压8.1 TA =

9、 12St V(BR) V (高温下)IRlOO PINll 200 PIN12 400 一PIN13 600 一PIN14 800 PIN15 1000 一正向电压TA=叩S5tVF V (低温下)3.3 IF= 100mA 1. 0 A4分组5 IF= 10mA 反向恢复时间8.5 IR辑100mAtrr 一1. 0 s 一4一SJ 50033/125一97我2日细检验GJ 128 检验成试验LTPD 方法条件Bl分组标志的耐久性1022 15 B2分组热冲击(躏皮循环)除高温150t外，其余闰试验条件C叩i10 1051 密封1071 a细检漏试验条件H5X10斗Pacm3/s最后测试b

10、扭棕躏试验条件C按表4步骤1、3部分组5 稳态工作寿命1027 TA血85t340h f=50 Hz IFM=50mA V R : 80 % V(BRl 最后测试按我4步骤2、4、56 分组7 商温寿命(不工作)1032 TA=175t 340h 最后测试按表4步珊2、4、5表3C组检验GJB 128 检验或试验LTPD 方法条件Cl 分组15 外形尺寸2066 见图lC2 分组10 热冲击(玻璃应力)1056 试验条件A引出端强度(弯力姐)附录A60mNm加力时间105宿封1071 3.细检踊试验条件H踹.$5 X 1O -2Pacm3/s b.粗检漏试验条件C综合温度/槌度周期试验1021

11、 10个循环、省略初始条件外观及机械检瞌2071 条件见4.5.1最后测试按我4tJ;:黯l、3C3分组10 冲击2016 14700mjs2( 1500g)在X、Y方向各5次变颇振动2056 196mJs2 (20g)lOO- 2000 Hz X、Y方向各4个铀环恬定加速度2006 196000m/ S2 (2000g) 在X、Y方向上各lmin最后测试按表4步牒1、3c4分组15 盐气(强求时)1041 5一创50033/125四97结表3GJB 128 检验或试验LTPD 方法条件Cl 分组15 外形尺寸2066 .ro.阁lC5分组1S 低气底(要求时)1001 试验条件Cc6 分组=

12、 10 稳态工作寿命1026 TA目85t1000h f=50日ZIFM= 50mA VR=80% V(BRl 最股测试按费4步骤2、4、5我4B组和C组的最后测试GB 6570 极限值步骤测试附号单位方法条中最小值最大值l 反向击穿电压8.1 IR10A V(BRl v PINl1 200 一PIN12 400 一PIN13 600 一PIN14 800 一PIN15 1000 一2 反向击穿电压8.1 IR豆10AV(BRl V PINl1 160 一PIN12 320 PIN13 480 PIN14 640 一PIN15 800 一3 正向微分电阻8.3 IF= 100mA r曹 1.

13、5 。f= 10kHz 正向散分电阻8.3 IF坦100mA.1rF 4 变化摄0.2 o f= 10kHz 5 总电容变化盘8.2 f口lMHzVR=50V Cto! 0.2 pF 5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求一6一时50033/12597贮将要求应按GJB33的规定。5.3 远输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规丽的器件在C波段以下作开关、限帽、电调衰减和移相搏，供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2 订货资料合间或订货单应规定下列内睿:a. 本规施的名称和编号:b. 等极(见1.3.1);C.

14、 数最;d. 需要时，其他要求。6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲钱等可在合同成订货单中规定。一7Al 目的SJ 50033/12597 附录A弯力矩试验方法(补充件)本试验是为了检验器件引出捕和瓷智之问的抗弯力矩能力。A2设备弯力矩试验需要固定器件的一端，并在另一端;恶性施加弯力矩盘物的专用央具。A3 步骤将器件的一端朋定在支持器上，在另一端沿与轴线茸茸方向上加60mNm的弯力矩，在108时间内旋转三周眉立即解除弯力矩，用10倍放大镜检验，发现断裂、松动或电极与资管之间相对移动，认为是器件不合格。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营第九七O厂负责起草。本规班主要起草人:沈地昌、李宁、刘辉。计划项目代号:日510178一