SJ 50033 123-1997 半导体分立器件 PIN62317型硅PIN大功率二极管详细规范.pdf

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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/ 12397 半导体分立器件PIN62317型硅PIN大功率二极管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for silican power PIN diodes for type PIN62317 1997-06翩17发布1997“10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件PIN62317 硅PIN大功率工极管详细规范Semic&nduetor discrete device D创ail叩ecific

2、atJonfor silican power PIN ctiod部fortype PIN62317 1. 1 .题内睿时50033/123幽幽97本规范规定了PIN62317型磁PIN大功事二极管（以下简利：器件）的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规拖根据棉件质嚣保证等银进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33叩85（半辱体分立器件总规范第1.3条的规定，提供的质量保证等级为曾率极、特军级、超特军级，分别用字母GP,GT、GCT表示。2 引用文件GB 657086 微波工极管测试方法GJB 33-85 半导体分立器件总规班GJB 1288

3、6 半导体分立器件试验方法GJB 155792半导体分立器件微波二极管外形尺寸3 I!求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规泪的规定。3.2 设计、铺仰和外形尺寸部件的设计、铺构和外形尺寸应按GJB33和本规币的规定。3. 2. 1 引出端材料和涂层引出端材料为可伐。引出端表面层应为镀金底。3.2.2 器件锚构中华人民共和国电亭工业部1997-06-17坦布1997斗。1J号施SJ 50033/12397 高阻单晶双扩散台邵阳N铺构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GJB1557中W14川的要求，见回lodD 。l帆4I A ”注：口2 z 。，丁京代号W4血。1mm nom ma

4、x D 6.90 7.10 .v, 5.40 5.60 97质量一致性检瞌应按GJB33的规定。4. 4. 1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 日组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规拖亵3的规定进行。4.5 检验和试验方法检脸和试脸方法应按本规拖相应我的规定。4.5. 1 对外观及机械检珑，制造广应以文件方式对检验项目、脐带设备、失效标准加以规定。我1A组检验GB 6570 极限值检瞌或试验LTPD 符号单位方法条件最小铺最大值Al 分组GJB 128 条件见4.S.1s 外那及机械揄瞌2071 A

5、2分组s 总电容8.2 clot pF PIN62317A VR=lOOV 一2.0 PIN62317B f嚣lMHz 1.5 反向击穿电压8.1 v，肌v PIN62317A IR运lOA500 一PIN62317B 1000 一正向微分电阻8.3 rF 0 PIN62317A IF= lOOmA 一0.6 PIN62317B f嚣lOkHz一o.s 正向电压3.3 IF血lOOmAVF 一1.0 v A3分组s 反向击穿电压V(BR) v （商诅下）8.1 TA= 125 PIN62317A IRlO件500 一PIN62317B 1000 正向电压3.3 TA踹“SSVF 1.0 v （

6、低撒下）IF嚣lOOmAA4分组IF= lOmA 5 反向恢复时间8.5 IR嚣lOOmAt rr 一s s 一4SJ 50033/ 12397 表28组检验GJB 128 检验就试盹LTPD 方法条件Bl分组栋志的耐久性1022 15 B2分组热冲击（温度循环）除高温150外，其余同试瞌条件C-110 1051 密封1071 a细检捕试验条件HS10“2Pacm3/s最后删试b粗检捕试验条件C按我4步骤1、3日3分组5 稳态工作寿命1027 TA=85 340h f=50Hz FM= 100mA vR =80% VrnR 最后测试按我4步骤2、4、5时分组7 高温寿命（不工作）1032 TA

7、= 175 340h 最脂测试按我4步醺2、4、5表3C组检验GJB 128 检验就试础LTPD 方法条件Cl 分组15 外形尺寸2066 见图1分组10 热冲击（玻璃应力）1056 试验条件A引出端Ji皮（扭力姐）附最A60mNm加力时间Ss商封1071 a.细检漏试验条件H试捅E在5 10-2Pacm3/s b.粗检漏验条件C综合温度温度周期试验1021 10个循环、省略初始条件外观及机械检瞌2071 条件见4.5.1最脂测试按褒4步骤i、3C3分组10 忡齿2016 14700m/s2(1500g）在X、Y方向各5次变频振动2056 196叫s2(20g)l002000日zx、Y方向各4

8、个循环恼定力日速度2006 196000m/s2 ( 20000g) 在X、Y方向上各lmin最后测试按我4步骤1、3 5 臼50033/12397续我3GJB 128 雄S盘成试磁LTPD 方法条件C4分组15 盐气（婴求时）1041 cs分组15 低气压（要求时）1001 试验条件CC6分组A= 10 稳工作寿命1026 T，.即85lOOOh f需50HzFM= 100mA vR=SO% v(BR 最后测试按褒4步骤2、4、5我4B组和C细的最后测试GB 6570 极限值步骤测试附号单位方法条件最小值最大值反向击穿电压8.1 IRlpA v（隙v PIN62317A 500 PIN623

9、17B 1000 一2 反向世穿电压8.1 IR运lIAV(BR) v PIN62317A 400 - PlN62317B 800 3 正向橄分电阻8.3 I，嚣lOOmArp 0 PlN62317A f= lOkHz - 0.6 PIN623178 o.s 4 正向微分电阻变化最8.3 ， lOOmA /= lOkHi .:1rp 0.1 。s 总电容变化最8.2 f= lMHz VR= lOOV t:.CllA 运初始值的20%pF 5交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2贮存要求贮将要求应按GJB33的规定。5.3 混输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明事项

10、6. 1 预定用途创50033/12397符合本蜒施的器件作霄达收发开发和通讯机的大功率开关、衰减，供新设备设计使用和供现有设备的眉勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规烧下列内容：a. 本规范的名称和蝙号：b. 等极（见1.3.1);c. 数量；d. 需要时，其他摆求。6.3 对引出端材料和输层有特殊求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲镜等可在合同就订货单中规定。一7Al 日的SJ 50033/12397 附录A扭力矩试验方法（补充件）本试验是为了检验器件引出端和烧管之间的抗扭力姐能力。础设备扭力炬试验需要专用央具，固定器件的一端并在另一端悬技施切力矩的露物。A3 步骤对正微波工极管轴线上加扭力矩，使烧管与装挝她承受扭力矩，其力姐为绕二极管铀钱方向，且平稳先跳功。扭力矩60mNmo作用时间Sso解除力矩后用10倍放大镜检验，发现断裂、松动或电极与瓷臂之间相对移动，认为是器件不合格。附加说明：本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规戒由国营第九七O厂负责起靡。本规班主要起草人：沈继局、学志妃、刘辉。计划项目代号：日51018 8