SJ 50033 120-1997 半导体分立器件 CS205型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范.pdf

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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/120 97 半导体分立器件CS205型碑化银微波功率场效应晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS205 GaAs microwave power field effect transistor 1997.06-17发布1997.10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件CS205型碑化鲸微波功率场效应晶体管详细规范1 范围1. 1 主剧内容Semiconductor discr

2、ete devices Detail specification for type CS205 GaAs microwave power field effect transistor 日50033/120- 97 本规范规定了CS205型呻化嫁橄榄功事场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于精件的研制、生产和采购。1. 3 分提本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3. 1 器件的等级按GJB33叩85(半导体分立器件总规班)1.3条的规定，提供的质最保证等级为普牢棋、特牢级和越特军级。分别用字母GP、GT和GCT表示。2 引用文件GB 4586-94 场效应

3、晶体管测试方法GJB 33-85 半导体分立器件总规拖GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求.l 、诈Y面要求各项要求应按GJB33和本规班的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸按GJB33和本规班的规定3.2.1 引出端材料和镀层引出端材料为可伐，引出端表团镀金。3.2.2 器件结构中华人民共和国电子工业部1997.06-17发布1997斗0-01批准一1时50033/12097呻化嫁N型沟道肖特慕势垒栅，金离子注入平丽铺掏，金属陶怪徽带管亮封糕。3.2.3 外形尺寸外形尺寸见回1025t时按22.7mW/K战性降额。3.3.2 主要电特性(TA:;:

4、25t) 一2mm P Q q U1 U2 1. 7 1. 4 6.1 1. 9 1. 6 9.6 3.4 10 Ti T 吨mA Is 175 响65- 175 创50033/12097符1黯VG锁。自loss R(thlJ-e Ptdbl GC1db) 唱号Vos叩3V，V阴阳3V，Vos啊-5VIM: lmA, V郎=7 - 10V, Vo5: OV lD嚣50mAVos = OV VH: lV, Pj口24dBm(CS205A) 值极限tH罪100msID衔。.Sloss.Pj= 21拙m(CS20SB) t阳嚣10sf嚣8GHzmA v mA K/W dBm 治斗最小值最大值最小值最

5、大值最大值最大值最小值CS205A 500 1300 明1.5- 5.5 0.5 44 30 CS205B 3.4 电测试要求电测试应符合GB4586&本规洒的规定。3.5 标志器件极性栋志按阁1识别，器件包盒上的标志应符合GJB33的规定。4 服.保证规定4. 1 抽样和检捡抽样和检验按GJB33和本规指的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验按GJB33和本规范的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)dB 最小值典型值6 25% 9 筛选应按GJB33表2和本规洁的规定，其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规施表1极限僚的器件应予剔除。筛选(见GJB33衰2)3热冲击7中间测试8功率者炼9最眉

6、测试loss 0.5A 4.4 质量致性检验试磁方法GJ.B 128方法1051 1039 测试和试验除高温为150t:、橱环为20次外，其余问试验条件C按本规抱我1的A2分组Tc = 70士3t.V凶=8.SV，P_黯2.7W按本规?臣表1的A2分组;Moss出初始值的土15%; L1V 05(011) =初始值的土15%或O.SV，取大者;IGSS O.SmA 质盘一致性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规部表1的规定。4.4.2 日组检验日组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验一3SJ 50033/12097 C组检验应按G

7、JB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验和试磁方法检验和试验方法按本规施相应的表和下列规定。4.5.1 测试方法直流参数测试按B4S86相应方法就用晶体管图示仪测试，热阻及微波参数测试按本规范附录的规定方法。表1A组检验GB 4586 极限值试脑就检磁LTPD 符号单位方捺条件最最大Al分组GJB 128 5 外观及机械检查2071 A2分组5 捕极电流IV.3 Vt黯=3V. Ioss 500 1300 mA VGS = OV 栅m楝截止电服IV,S Vo暗拙3VV as( oIO 四1.5白5.5V 10出SOmA栅极截止电流IV,2 Vas =町5VIass(1 ) 一0.5 mA

8、Vr:盼=OV A3分组5 高温工作TA = 125t 栅极撒止电流IV,2 Vas = - SV Ia部(2)一10 mA Vos = OV. 低温工作TA齿-55t 栅F摞橄止电底IV.S Vr黯=3V, V GS(oIf) 明1.0甲5.5V 10出SOmAA4分组5 ldB增益压缩输出本规拖Vt蹋=7 - 10V P()(ldBl 30 一dBm 功率附景A10部O.Slossf坦8Gf也.ldB增益压缩功率Pj嚣24dBm增益(CS20SA) , Gp(ldB) dB CS20SA Pj嚣21dBm6 CS20SB (CS20SB) 9 一一4创50033/120-97表2B组检验G

9、JB128 检瞌或试磁LTPD 方法条件Bl分组IS 可焊性2026 B2分组10 热冲齿(榄皮循环)1051 除高温为150t外，其命同试验条件Clf旨纣1071 细揄漏试验条件日粗检漏试磁条仲C最眉测试见我4，步骤1-2和3B3分组5 稳态工作寿命1027 Tc=70土3t.vll5黯8V.PlOI= 2.4W. t = 340h 最后测试见我4.步黯1，2和4B4分组开帽内部自检2075 每批一(设计核实)个器件/。失效髓合强度2037 20(C=0) B5分组IS 热阻本规拖附录E.w.费4.步黯5B6分组商温寿命(不工作)1032 T A = 17St. t = 340h 7 最后测

10、试见费4.步骤1，2和4表3C细检验检瞌或试验GJB128 LTPD 方法条件Cl分组15 外形尺寸2026 按阁1要求检验c2分组10 热冲击(玻璃服力)1056 试瞌条件A引出端强度2036 试盹条件E加力:0.83士0.09N商封1071 细检漏试验搔仲M粗检漏试磁条件C锦合温度/眼皮1021 省略预处理.4个循环，前两个周期试验循环进行步骤7外观及机械检聋2071 最后测试见表4.步骤1、2和3 5 时50033/120-97续表3检监或试磁GJB128 方法条仲分组冲击2016 变频振动2056 恒定加速度2006 最后测试见表4，步黯1，2和3c4分组就气(适用时)1041 C5分

11、扭(不适用)B6分组稳工作寿命1026 Tc=73土3t，Vr崎=8VPII部2.4W，t:;: 1000h 最后测试见我4，步骤1-2和4表4日组和C组检验的最后测试GB 4586 步骤世l试方法条捅摄电流咒化量IV,3 Vos=3V, VGS嚣。v2 栅一惊截止IV, S Vos=3V, 电应变化量1D=50mA 3 栅极截止电流lV,2 VGS:;:币5V，Vos=OV 4 栅极截止电流IV,2 Vcs嚣四5V，Vos=OV 5 热阻本规71M= lmA, 附录自VH= 1V, t悦目100rns，tMD= 10间，拉:1)本测试跑过A组检验极限值的器仲不应接收。5 交货准备5.1 创按

12、要求包蝶要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输费求 6 符号件Moss VCS(off) 1css(1 ) Ic部(3)R(th)l-c LTPD 10 15 A盟10极限值单位最小值最大值初始值的士30%1)初始值的士30%1)一0.5 mA 1. 0 mA 44 K/W 时50033/12097运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6.1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和现有设备的后勤保障用。6.2 订货资料6.2.1 合同或订货单应规定下列内容:的本规范的名林和编号;b) 等级(见1.3.1;c) 数最;d) 需要时，真官要求。

13、6.2.2 对引出端材料和镀底有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。6.2.3 如使用单位带时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3 型号对照本产品企业服用型号为WC9390一?一Al 目的时50033/120-97附录A场效应晶体管的1分贝增益压缩输出功草、1分贝增益压缩功事增益和功率附加雄事的测试方法(补充件)在规定的条件下测量场效应晶体管的1分贝增益压缩输出功率P刷刷、1分贝增益压缩功事增就Gp(1dsl和功事附加效率可addoA2 测试框圈因Al场效应晶体管1分贝增益压缩输出功事Po(ldB) 1分贝增益压缩功率增益仇(1削和功率附加效率可add测试榄罔A3 测

14、试原理见阁Al，被测器件的输入功率Pj(dBm)和输出功率Po(dBm)，由下述关系式导出:Pi=P1叩L1(A1)Po=P1+L1 . (A2) 式中:L1和Lz一一分别是从A点到日点及C点到P点的电路损耗，dB;P1一一功率计1指乐功凉，dBm;Pz功司在计2指示功率，dBmo由(A1)式和(A2)式导出功率增益Gp(dB): Gp思PO-Pi(A3) 一8一旧50033/12097功率附加效益:Pf-P: 阳d=咔刁;100%.(A4) 式中:Po输出功率;W;Pj输入功率jWoA4 电路说明和要求隔离器的作用是使加到被测器件上的功率在其输入端阻扰失配时保恃fEZEo被测器件要装在散热良

15、好的测试央具中。电路损括L和L2应预先测得，测虽L和L2时，应预先调节输入和输出阻抗匹配网络。A5 刷试步骤将射颇言号谅的频率调到规定值;将栅町源也压VGS加到接近跚源寄自止电压VGS(ofl)的数值;将漏源取服Vi周军Ij规定值;改变VGS，使踊极电流ID:l:;O. 5 I DSS ; 把略低于规定假的输入功率加到被测器件上;调节输入和输出阻抗匹配网络，使功率计指示几为政大值;将输入功率加大革Ij规定债，最脂调节阻扰匹配网络;改变输入功卒，使功率增益Gp等于线性增益GLin，GLin是在输出功率变化盘等于输入功率变化嚣的区域内测得的功事增益;增力日输入功珉，直到功率增益下降到比GLin低1

16、分贝，此时测1的输出功率Uil为1分贝增益压缩输出功率Po(陆)11分贝增益压缩功$增就G(l仙)= GLin-1 .,. (A5) 在规定的输入功率下测盘输出功卒，并测盘对应的漏源电压和漏极电流，技(A4)式计算功率附加效率。 9 SJ 50033/120-97 附录B场效应晶体管热阻的测试方法(补充件)B1 日的测量场效应晶体管在规定条件下沟道茧管壳的热阻R(削j-c()M 电路圈R IG G S + Vns (v Vnn V + Vcc 因Bl热阻测试电路图B3 测试原理以漏极开路，施加固定的栅正向电流h时的栅源正向电压VGSF作为测量场效应晶体管均遭植度的敏感参数。B3.1 确定投准曲线VGSF= f( Tj)，且因胆，该曲线上Tj=TA，直线的斜率最栅呻源正向电脏的温度系数:八Vr.:l:a一旦，.1.(Bl)flTj VGSF 于勺因B2计算用校准曲线一10一Y恤，V恼P(f)附加说明:创50033/120-97t Wl) t3 因B4V GSF()测最搅形本规施由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所负责起草。本规抱起草人:黄玉英、李祖华。计划项目代号:日510210一12一翩翩翩t