SJ 50033 106-1996 半导体分立器件.CS203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范.pdf

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1、中，、I日FL 5961 8J 50033/106 96 曰日日.l. A#俨、.自.semiconductor discrete device 口t:Detail specification for type C8203 GaAs microwave Low noise field effect transistor 1996-08-30发布1997-01-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件CS203型碑化鲸微波低噪声场效应晶体管详细规范1 范围Semiconductor discrete device Detail specification

2、for type CS203 GaAs microwave low noise field effect transistor 1. 1 主题内容SJ 50033/106 96 本规范规定了CS203型呻化嫁微波低噪声场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33 85(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级。分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4586 84 场效应晶体管测试方法GJB 33 85

3、半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸。器件的设计、结构和外形尺寸按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和镀层引出端材料为可伐，引出端表面镀金。3.2.2 器件结构肖特基势垒平面结构，金属陶瓷微带管壳封装。中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布1997-01-01实3.2.3 外形尺寸外形尺寸见囡1。南昌G 符号1. 12 最小值7.0 7.0 最大值3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值p t 也型号TA =25t llW CS203

4、75 SJ 50033/ 106 96 h s s b b b1 1. 6 0.3 2.0 0.7 图1外形图Vos Vcs V V 5 -4 注:1) TA25C时按0.5mW/C线性降额。3.3.2 主要电特性(TA = 2St) 2一，每D b2 0.6 1. 0 10 mA Ioss N h咱Tj 175 h 8 1. 0 0.05 1. 4 0.2 T.国 -65-175 创50033/10696 符号Inss V GS(off) gm F G, 寸Vos=3V, Vos=3V, Vos= 3V, Vos= 3V, Vr珞=3V，10= 100A 10=0.15-0.31邸，VGS=

5、OV VGS=O- -0.5V f=6GHz 极值mA V ms dB dB 型最小值最最小值最大值最小值典型值最小值CS203A 2.5 10 CS203B 1. 5 25 100 -0.5 甲3.510 35 CS203C 2.0 12 CS203D 1. 2 3.4 电测试要求电测试应符合GB4586及本规范的规定。3.5 标志件极性标志按图1识别，器件包装盒上的标志应符合GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验按GJB33和本规范的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33和表2和本规范的规定，

6、其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。筛选见GJB33表22高温寿命3热冲击7中间测试8电老练9最后测试4.4 质检验一致性检4.4.1 A组检验试验方法GJB 128方法1032 1051 1038 GJB 33的规定。试和试200C ，72小时- 65-150C, 20次1 nss V GS(o(f)及IGOOTA = 150C, Vos= 5V, 10= lOmA, 8h 按本规范表1的A2分组;Inss=初始值的:!:20 % ; AVGSMf=初始值的土20%或0.5V，取大者lOO20 A A3分组5 高作TA= 125C 止电流2 VGO= -4.5

7、V 1G(2) 200 A 低作TA = -55C 极电流3 Vns= 3V, 6Inss 30 % 变化率VGS=OV Inss A4分组5 系数本规范Vns= 3V, F .dB CS203A 附录A10=0.15-2.5 CS 203 0.31nss, 1. 5 CS203C f=6GHz 2.0 CS 203D 1.2 相关增益G. dB CS 203A、CS203 10 CS 203C、CS2030 12 一4一检或试Bl分组可B2分组热冲击度环)密封粗最后检测试B3分组作寿命最试B4分组开帽内部目检(设计核实B5分组(不适用)B6分组寿命(不工作)最后试检验Cl分组外形尺寸口分组热

8、冲击(玻璃应力)引出瑞强度密封细检粗检综合温度/湿度期外观及机械检查最后SJ 50033/ 106 96 表2B组检验GJB 128方法条件2026 1051 试验条件Cl，- 65 -150C 1071 试验条件H试验条件C见表4，步1、2和3TA=25C, VIlS=3V, 1027 1 D = 25mA, 340h 见表4，步1、2和42075 1032 T A = 175C , 340h 见表4，步1、2和4表3C组检验GJB 128方法2066 1056 2036 1071 1021 2071 条按图1要条件A加力:0.83土0.09N试验条件H试验条件C件省略预处理，4个循环，前两

9、个环进行步骤7见表4，步骤1、2和3LTPD 15 10 5 每批个器件。失效10 7 LTPD 15 10 5一SJ 50033/106 96 续表3检验GJB 128方法条件LTPD c3分组10 冲击2016 2056 恒定加速度2006 最后测试见表4，步骤雨1，2和3c4分组15 1041 盐气(有要求时)臼分组(不适用)c6分组;I作寿命1026 TA=25C, VI15=3V, =10 Io = 25mA, 1000h 最后测试见表4，步1、2和4表4B组和C组检验的电测试 GB4586 限步试符号单位方法条件最1 极电流3 Vns= 3V, 初始值的VGS=OV Ioss :t

10、 30% 1) 2 截止电5 Vns= 3V, . V cSC o!f) 0.51) V 压变化量Io= 100件3 截止电流2 Vco= -4.5V I coo(1) 20 A 4 截止电流2 Vco= -4.5V Icoo(2) 40 A 注:1)本测试超过A组检验极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和现有设备的后勤保障用。6一SJ 50033/ 106 96 6.2 订货资料6.2. 1 合同或订

11、货单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号;hu (见1.3.1);C. d. 需要时，其它要求。6.2.2 对引出端材料和镀层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。6.2.3 如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3 型号对照本产品企业原用型号为WC645。一7一SJ 50033/106 96 附录A场效应晶体管噪声系数和相关增益的测试方法(补充件)Al 目的在规定的条件下效应晶体管的噪声系数F和相关增益Ga。A2 测试方框图叫.一-一一!广E E 隔出阻杭II I I I S3,_j 1 Slb l离2 S2 AI器 2 L/ 主呈十网络信号源络B

12、器件ICI匹配网络II网络II器ID-., 2 一-JD + V皿3功率计P1 ?2 因Al场效应晶体管F和Ga测试框团A3 测试框图说明和要求A4 电路损挺:L1:A点至B点的电路损能L2:C点至D点的电路损艳项个电路必须屏蔽和接地，以避免外界信号干扰，对于噪声系数的测量应特别注意混频8一臼50033/10696 的镜像和其它虚假响应，这些虚假响应应影响测量，或在测量中考虑它对结果的影响。A5 骤把栅源电压VGS加到接近栅源截止电压VGS(峭的数值，漏源电压Vos加到规定值。调节VGst吏漏极电流10为规定值。 开关Sl、S2、S3掷向位置10调节输入输出阻抗匹配网络，使噪声计示出最小值F120开关Sl、S2，S3掷向位置20信号源功率Pl和功率指示P2以dBm为单位测量，最小噪声下的相关增益Ga按下式计Ga(dB) = P2 - P1 + L1 + L2(A1) 将S3掷向位置1，C点至E点的后级噪声系数几。声系数F由下列式而得:F = 10Log10(F1z-L1)/10一(10FZ/I0- 1)/10Ga/l0 (A2) A6 规定条件环境温度TA;电压VOS;电流Ios;测试频率f。力。说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所负责起草。本规范起草人:黄玉英、龚朝阳。计划项目代号:B41013。9一