SJ 2673.5-1986 电子元器件详细规范3DA3l5型470MHz管壳额定的低电压双极型功率晶体管.pdf
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1、中华人民共和国电子工业部部标准SJ2973.5-8S 电子元器件详细规范3DA315型470MHz管壳额定的低电压双极型功率晶中国电子技术标准化研究所电子元器件质量评定是根据zGB4936_1-85 5J2673.5-86 半导体分立器件总规范3D1.315型470MHz管壳额寇的低电压双极型功率晶体管.定货资料g见本规范71机械说明z2 3 8 I哇说明该管系NPN外延平面晶体管,在低压电台中作末前级和末级材料z硅NN+外延片封装z金属陶瓷封装E类据fo 470MHz VCE 12.5V Pout10W Gp主6,dB一子工业部1986-02-17发布1987-06-01实施1 $J2673
2、.5-88 4 值定值制,使用一符, 号极限值值4.1 工作管壳温度Tcas e - 65 1+150 1 c 4.2 1贮存度I T. tll I - 65 1+150 1 c 4.3 电极基极连续(电压I V CBO 36 1 V 4 .4 |最大集电极发射极流)电压I V CEo 16 I V 4.5 大发射极基极直流)反向电压I V EBO 4 I V 4.6 4.7 最大集电极(直流电大集电极(峰值)电流Ic ICM 4.8 1最大基极电流(不适用)4 .9 I 耗散功率4.9.1 最大集电极槌散功率Tcal25 C Tcu.25C 154mW /C 4.9.2 I 最高有效结温PC
3、M 22 I W T (v il 175 I c 4.10 安全工作区见10.1) 4 .11 失谐持续时间(不适用)5 电特性:检验要求(A组和C组),见本规范8.特性和条件除非另数Tcase 25 C 符号单位试验分组5.1 共发射极正向电流传输比(直流)hZ1E(tl 的静态值(注20 A2b V CE SV; 5 2 共发射极正向电的静态值(注)Ic 1A 比(直流)!h2tE(Z) 10 A3 V CE 5V; Ic-2A 2 SJ2613.5-86 续试验值分组单位数最小值定非另特性和条件号符Tcase 25 C 号fT 率特征5. 3 (不适用正向散射截止电流5.4 A2b mA
4、 5 IcBo (!l 止电流电极一基极5.4 1 V CB 36V A2b mA 5 ICEO 止电电极一发射极5 4 2 V CE lSV C2b mA 30 IcBo (2) 集电极一基极截止电流高5 5 Tcase +125 C VcB-25V; A3 V 1 V CE (sad 集电极一友极极饱和压5 6 Ic=1.5AI i A2b W 10 pout in 2. 5W; f 470WHz 输出功5.7 dB 6 |Gp 功率增益VCE12.5V A2b 0/0 65 c 电极效率条件同5.7)(注)5.8 C2a pF 30 Cz zb 出电容5.9 V CB= 12. 5V;
5、f -JMHz; IE。系数(不适用互5.10 C2d 6.51 C/W a酬e a ta R 热阻5 11 试误差为土10%LJ 叫一,G午E(如-hLJ3飞d= Fc b 注标志器件上指标志型号、质量类别及等级标志:制造厂厂名、代号或商标:检验批识别代码:认证合格标志(适用时)6.1 8 6.1.1 6. 1. 2 6.1.3 6. 1. 4 3 SJ2613.6-88 6.2 包装霜上的6 , 2.1 重复器件上的标志z6.2.2 按GB191-73包装储运指示标志标上6.2.3 特殊供货时,标上协议编号.7 定货资料:7.1 型号z7.2 本详细规范号:7.3 其他技术协议号或工程代号
6、(8 试验条件和检检要求时)0 翩,标志:在本章中除非另有规定,引用的对应于GB4936.1-85的GB4587-84的6.1.1款.A组全部试验都是非破坏性的见GB4936.1-85的3.6.6) 检验条件除非另有规定,符号引用标准T cas. 25C 数或试验(见GB4936.1-85的4) 1分组外观检验GB4936.1 -85的5.1.1A2a分组(不工作器hPE (il i T-006 VcE-5V Ic lA 5 件ICho (1) T-OOl VCB 36V IcEo T-009 VCE 16V A2b分割IcBo (1) i T、自001l ICEO T-009 h lE (!
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