SJ 2672.5-1986 电子元器件详细规范3DA305型175MHz管壳额定的低电压双极型功率晶体管.pdf
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1、中华人电子. ?o:ill 3DA305型SJ2672.5-88 17 的低电压双中定是根GB4936.1-85 9dB1886-06-01 1 S)2S12.5-86 4 (绝对最大额定值制,使用的极限条件,不用.;) 条极限值符号数值最小值单位4.1 工作管壳温度T ua.e 4.2 4.3 4 .4 4 5 4.6 T. tll - 65 I十150- 65 I + 150 36 4 lCM 1.5 VVVAA 最大集电极一基极连续(电极一发射极连续电压电压V CBO VCEO 18 大发射极一基极(直流)反向电压电极(直流)电流大集电极(峰值VEBO 3.5 Ic 1 4,穹4. )
2、大基极耗散功(不适用)4.9.1 I 最大集电极耗散功率T. 25 C T.25C 85mW /oc PCM 12.8 I W 4.9.2 I 最高有效结4.10 I 安全工作区(见10.1) 4.11 失谐持续时间(不适用)T (v) 175 5 性E要求(A组和C组),见本规范8.特性和条件除非另有规定r 080. 25C 符号数值位试验分组5. ! 共发射极正向电的静态值(注)比(直流)IhzE;(1 )1 10 A2b VCE 5V; 1. 500mA 5.? 共发射极正向电的静态值(注)比(直流)IhuE1Z) 5 A VCE 5V; Ic lmA V CE 5V; Ic 100mA
3、 hz lE (嚣5 A3 2 e 号5.3 5.4 5.4.1 5 .4 .2 5.5 5.6 5.7 5.8 SJ2672. 特性和条件另有T 25 C 特征频率正向散射参数(不适用)止电极一基止电流VCB 36V 电极一发射极截止电流V CE 18V 电极一基极电流(高温V CB 25V; T.十125t:电极一发射极饱和压Ic-800mA; IB 160mA 出功率pin0.62W; f 175MHz 功VCE 12.5V 电极效率条件同5.7) 注数值II试脸符号II单位fT IcBo () IcEo CBO (2) CE (s. t) p 5 9 65 分组1 I mA A2b 2
4、 I mA I A2d 10 I mA I C2d 1 v A3 W I A2b dB 份A2b5.9 出电容C22b 80 pF I C2a VCB 12.5V; f lMHz; IE 0 5.10 I 互调系数(不适用5.11 热阻R th( i_ 11.7 lt/w t C2d ca. 注sh凹的允许测试误差为土109&I-I ou t 句c=.t.一6.1 器件上的标志6.1.1 型号、质量类别及等级标志z3 SJ2612.5-86 6.1.2 制造厂厂名、代号或商标:6.1.3 检验批识别代码:6.1.4 认证合格标志(适用时) 6.2 包装箱上的标志6.2.1 重复器件上的标志:6
5、.2.2 按GB191-73包装储运指示标志标上防湿等标志;6.2.3 特殊供货时,标上协议刑刀7定7.1 型号:7.2 本详细规范号z7.3 其他技术协议号或工程代号(适用时) 8 试验条件和检在本章中除非另有规定,引用的条款号对应于GB4936.1-85的GB4587-84的6.1.1号,测试方法引自全部试验都是非破坏性的(见GB4936.卜85的3.6.6)检验引用条件检求符除非 T ca. e 25C 值单I1类-3 试验l标准( J见GB4936.1-85的4) 11、捕位ILTPDA1分组I 5 外观GB4936.1 的5.1.11 a分组不工作器件 1 1 (OO PU霄uphE
6、Fec h-T-006 T-001 T一009V CE 5V Ic 500mA V CB 36V YCE 18V 5 100 200 mA mA 5 ICBO (j ) T一001VCB 36V、IE一01 mA ICEO T-009 V CF. 18V、Is。2 mA hFE ( I ) T-006 VCE 5V、Ic500mA 10 POu 飞Vc12.5V、f175MHz 5 w Pin O.62W . 12.5V、f-175MHz65 Pin O.62W 3 7 V CE I L1at ) hFE( ! ) T-003 T-006 Ic 800mA、18160mA VCE 5V、1.l
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