EJ T 1068-1998 X射线荧光分析用钚238源.pdf

《EJ T 1068-1998 X射线荧光分析用钚238源.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《EJ T 1068-1998 X射线荧光分析用钚238源.pdf（9页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、ICS 27. 120. 3。F 51 备襄411952-1”8E.J 中华人民共和国核行业标准EJ/T 1068-1998 X射线荧光分析用怀238源Plutonium-238 sources fluorescence analysis for x-ray lllll11Wl 1111 1998-03揭发布中国核工业总公司发布EJ /T 1068-1998 前言本标准是依据GB11815-89实施5年过程中搜集到的用户及生产厂家的意见，为适应市场需求，促进生产工艺改进，使产品更富生命力、创造更大的社会效益和经济效益，同时也为适应有关新发布或修订的国家标准、核行业标准以及标准调整之需要，在GB

2、11815的基础上修订形成的标准。本标准按照EJ/T804-93规定，重新编写了产品代号；为了保证源的使用安全与环境安全，依据GB4076-83、GB15849-1995增加了源的表面污染、泄漏水平技术要求F根据源的实际使用经验，增添了对源芯松动及外形尺寸的要求，并规定了相应的检验方法：为适应用户的实际需要及生产厂家在生产过程中对源的坏238原材料投料量的控制方法，将原标准中的名义活度值偏差控制改为特定光子发射率测定值的总不确定度控制，并规定了小立体角相对测量方法，同时更具体，更详细地规定了对测量装置及测量方法的要求，在保证总不确定度不变的前提下，使之更易操作。根据本标准的使用范围，将之调整为

3、推荐性核行业标准。本标准从生效之日起，代替GB11815-89。本标准由全国核能标准化技术委员会提出并归口。本标准起草单位：中国原子能科学研究院同位素研究所。本标准主要起草人：姚纯炳。中华人民共和国核行业标准EJ IT 1068-1998 X射线荧光分析用怀238源代替GB11815-89 Plutonium-238 sources fluorescence analysis for x-ray 1 范围本标准规定了X射线荧光分析用坏238源的产品代号、技术要求、测试方法、产品检验及产品标志、包装、贮存。本标准适用于X射线荧光分析用坏238密封放射源（以下简称源）。2 引用标准下列标准所包含的

4、条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB 4075-83 密封放射源分级GB 4076 83 密封放射源一般规定GB 11806-89 放射性物质安全运输规定GB 15849-1995 密封放射源的泄漏检验方法GB/T 2828-81 逐批检查计数抽样程序及抽样表（适用连续批的检查）EJ/T 804-93 放射性同位素产品代号3 定义本标准采用下列定义。3. 1 特定光子发射率specific photon emission rate 在指定方向每秒每球面度源发射的特定能量光子数（

5、s-1 sr-1) 3.2 背透率backing emission rate 源工作面背面的光子发射率与源工作面光子发射率之比，以百分数表示。4 产品代号依据EJ/T804-93规定的原则，产品代号用RSPU2382xxxxxx表示，其中RS为放射性同位素产品的放射源代号；PU为放射性同位素坏元素代号；238为坏238质量数代码；2为放射摞产品类别中源的代码；第一个x为源的形状代码F第二个x为源之几何尺寸代码；第三、四、五个x为以源的名义活度值表示的规格代码，以37MBq的倍数值示出F最后一中国榷工业总公司U98-03-25批准1998-09-01实施个x为惊窗材料代码，1表示镀窗。4.1 形

6、状代码按源外形分为两类zEJ/T 1068-1998 a）圆柱源，以2表示，其结构示意图见图1。鸽合金活性陶署E镀窗图1圆柱源结构示意图b）环状源，以7表示，其结构示意见图2。不锈钢敏活性陶瓷不锈钢图2环状源结构示意图4.2 几何尺寸代码4. 2.1 圆柱源的几何尺寸代码见表1。表1圆柱源的几何尺寸及代码几何尺寸名称mm 几何尺寸代码外径活性区直径高度10.0 7. 0 6. 5 。圆柱2甜Pu低能光子源15. 0 10. 6 6. 5 2 4.2.2 环状源的几何尺寸代码见表2.表2环状源的几何尺寸及代码几何尺寸名称口im几何尺寸代码外径内径活性区直径高度环状8Pu低能光子源38.0 22.

7、5 4.0 6. 5 。2 EJ /T 1068-1998 4.3 规格（名义活度值）代码，见表3.表3圆柱源、环状源的规格代码名称名义活度MBq(mCi）规格代码37000) 010 圆柱、环状Pu低能光子源1110(30) 030 3700000) 100 特）名义活度值：适应商业和防护需要而给出的源的活度值4.4 本章规定的产品代号不能满足实际应用时，可以按本章规定代号编制规定增加其他产品代号，但其性能不能低于同类产品的技术要求。5技术要求s. 1 源结构s. 1. 1 源结构应满足安全性能及光子发射率的要求。s. 1. 2 源芯与源壳的配合，不得出现任何松动现象。5.2外形尺寸5.2.

8、 1 圆柱源的外径尺寸公差为g5mm。s. 2. 2 环状源的内径尺寸公差为寸5mm。5.3 源的活度限值应符合GB4075-83中3.2之规定。5. 4 238Pu原料放射性杂质限值能量超过lOkeV的Y杂质活度，不大于总活度的0.1%。5.5 源表面污染水平表面污染水平不大于185Bq。s. 6 源世漏水平世漏水平不大于200Bq.5.7 圆柱源产品5.7. 1 名义活度值、特定光子发射率和安全性能分级等级技术指标要求见表4。表4名义活度值、特定光子发射率和安全性能分级等级产品代号名义活度值特定光子17.2keV发射率安全性能分级等级MBq(mCi) s- sr- RSPU23822001

9、01 37000) 1. 3 10 RSPU2382200301 1110(30) 3 106 RSPU2382221001 3700(100) 9 106 S.7.2 特定光子发射率测定值的总不确定度不得大于10%.S.7.3 背透率不得影响X射线荧光分析元素的检测限S.7.4 推荐使用期lOa.GB/C33222 GB/C33222 GB/C33222 3 EJ/T 1068-1998 5.8环状摞产品S.8.1 名义活度值、特定光子发射率和安全性能分级等级技术指标要求见表5。表5名义活度值、特定光子发射率和安全性能分级等级产品代号名义活度值特定光子17.2keV发射率安全性能分级等级MB

10、q(mCD S I ST RSPU2382700101 37000) 1. 5 106 RSPU2382700301 1110(30) 4. 5 106 RSPU2382701001 3700(100) 1. 3 10 s. s. 2 特定光于发射率测定值的总不确定度不得大于10%。5.8.3 背透率见s.7. 3. 5.8.4推荐使用期见5.7. 4. 6测量方法6. I 源芯与摞壳结构配合测量方法GB/C33222 GB/C33222 GB/C33222 将源放入开有测量孔的屏蔽室中，源与屏蔽室须紧密装配，测量孔直径与源活性区直径相同，测量糠的Y计数率。模拟实际应用的振动至少3次，在测量条

11、件不变的条件下，测量振动后的计数率，每次振动后的Y计数率与未振动时的Y计数率之差应不大于未振动时的Y计数率的士5%。6.2 外形尺寸测量方法6.2. I 圆柱摞外形尺寸测量方法用环规检测。通过通规的源为合格源。环规的尺寸、加工材料、硬度及粗糙度需符合量具加工要求。6.2.2 环状摞外形尺寸测量方法用测量环状源内径的塞规检测。通过通规的源为合格源。塞规的尺寸、加工材料，硬度及粗糙度需符合量具加工要求。6.3 特定光子发射率的相对测量6.3. I 测量装置以带镀窗的薄Nal(Tl)闪烁探头为探测器或以带镀窗的HpGe或Si(Li)半导体晶体为探测器的小立体角测量装置。Na I Tl)晶体厚度35m

12、m；直径不小于40mm;HpGe晶体厚度3Smm；直径不小于30mm.小立体角装置的几何要求za）探测器、光栏、晾在同心轴上sb）光栏可换，孔径可准确测量，总不确定度小于0.3%;c）源与光栏的距离可调。距离能准确测量，总不确定度小于0.3%; d）光栏直径、源与光栏的距离的确定，以测量系统对源光子发射率死时间校正不超过土2%为宜Fe）装置的圆柱室内半径不小于圆柱室壁厚的10倍。4 EJ/T 1068-1998 6.3.2 对特定光子发射率标准源的要求6.3.2. 1 标准惊的结构及制备工艺与产品源相一致。6.3.2.2 标准源的光子发射率测量值（在源工作面的法线方向的特定光子发射率的总不确定

13、度不大于5%。6.3.3 对产品源的要求产品源与标准源的特定光子发射率应尽量接近，相差不超过2倍。6.3.4 测量方法在探测器、光栏、源同心轴线上，按照6.3. 1中d）的要求，调节好光栏孔径、源与光栏的距离，用标准源刻度小立体角测量装置，在完全相同的测量条件下，测量产品源。产品源的特定光子发射率计算公式如下：1l童乙I. n标式中：I产品源的特定光子发射率，单位si sr-1; H产一产品掠测量的特定光子发射率，单位sl; n霄，一标准源测量的特定光子发射率，单位SI; I标一标准源的特定光子发射率，单位s1 sr -1。测量的总不确定度不大于土10%。6. 4 238Pu原料放射性杂质测量

14、使用经刻度的Si(Li）、HpGe半导体探测器或分辨率符合测量要求的其他探测器的能谱仪或其它方法来测定。6.5 表面污染水平检验方法按照GB4076 83规定的检验方法和判定标准检验。6.6 世漏水平检验方法按照GB15849-1995规定的检验方法具判定标准检验。6.7 背透率参照6.3. 4。7 产品检验7. 1 型式检验只有通过本条规定的检验方能正式投产。7. 1. 1 依据5.7. 1、5.8. 1条规定的安全性能分级等级，按照GB4075-83规定的试验方法及GB15849-1995规定的判定标准进行检验。7. 1.2 按照本标准给出的技术指标进行检验。7.2 出厂检验7.2. 1

15、产品检验和证书按GB4076-83执行。7.2.2 批量产品出厂前，由生产单位质量检验部门按照GB/T2828-81进行抽样检查。检5 EJ/T 1068-1998 验水平采用一般检查水平E飞合格质量水平规定见表6.表6合格质量水平检查项目表面污染水平泄漏水平特定光子发射率偏差源芯松动源的外形尺寸其它指标不符表观等）8 标志、包装、运输、贮存8. 1 产品标志应符合GB4076-83第5章的规定。8.2 包装、运输应符合GB11806-89中的有关规定8.3贮存生产厂家应根据产品特性制定贮存规定，规定包括如下内容：a）贮存条件；b）贮存场所。1）见GB/T2828-81中4,4. 6 AQL 0.4 0.4 2. 5 1 1 2. 5 gs甸事酬咬吕