GB T 18904.2-2002 半导体器件 第12-2部分;光电子器件 纤维光学系统或子系统用带尾纤的激光二极管模块空白详细规范.pdf
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1、ICS 31. 260 L 51 -f- -且去:共、l导 Semiconductor devices一GB/T 18904.2 2002 QC 720102 带尾主Part 12-2: Optoelectronic devices-一Blank detail specification for )aser diodes modu)es with pigtail for fiber optic systems or sub-systems (IEC 60747-12-2 :l995.MOD) 200212-04发布且中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局2003-05-01实施发布G/T 18
2、904.2-2002 GB/T 18904的本部分修改采用国际标准IEC60747-12-2,1995(半导体器件第12-2部分z光电子器件纤维光学系统或子系统用带尾纤的激光二极管模块空白详细规范以英文版)。本部分根据JEC60747-12-2,1995重新起萃,本部分在采用国际标准时进行了修改,这些技术性差异用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。在附录A中给出了技术性差异及其原因的一览表以供参考。本部分和IEC60747-12亿在结构上的区别是.一一第2页表中本部分增加了第9J拦本部分和IEC60747-12-2在技术性上差异是2一一5.11、A3,C2a分组中C/N本部分要求的极限
3、值为最小值,IEC原文要求的极限值为最大值气一一5.16中跟踪误差ERJ的温度范围本部分从TC8S4:或Trnb的最小值到25C,JEC原文从2SC到Tcase或Tamb的最大值3一-A2b分组中跟踪误差ERJ的温度范围本部分从2SC到Tcase或Tamh的最大值,IEC原文从25 C到T町或Tamb的最小值;一-A、B、C组中所有要测试的超阔值的正向电流本部分为4儿,IEC原文为tlIF. ; A组中所有作为测试条件的l:d F或t.IF(除测试ER1和ER2外)本部分测试IpE和VPE的为t.IF ,IEC原文为IF;其他的本部分为MF,IEC原文为t.IF。为便于使用,本部分还做了下列编
4、辑性修改2一-用小数点.代替作为小数点的逗号,;一一删除国际标准的前言。本部分引用的国家标准及国际标准如下z一-GB/T4589. 1-1989 半导体器件分立器件和集成电路总规范CidtIEC 60747-10 ,1984) 一-GB/T4937-1995 半导体器件机械和气候试验方法(油IEC60749 , 1984) 一-GB/T12565-1990半导体器件光电子器件分规范(eqvIEC 60747一12,1991)一-GB/T15651一1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件。dt1EC 60747-5 :1 992) 一-GB/T17573-1998 半导体器件分
5、立器件和集成电路第1部分=总则(idtIEC 60747-1 , 1983) JEC 60191-2 , 1966 半导体器件机械标准化第2部分2尺寸GB/T 18904.2是有关纤维光学系统和子系统用光电子器件的国家标准的一部分.下面列出了这些国家标准的预计结构:一一GB/T18904. 1(半导体器件第12-1部分2光电子器件尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范一一GB/T18904.2(半导体器件第12-2部分z光电子器件激光二极管模块空白详细规范一-GB/T18904. 3(半导体器件第12-3部分z光电子器件纤维光学系统或子系统用带/不带纤维光学系统或子系统用带尾纤的显示用发光二
6、极管空白详细规范J l忖扒hll(与 GB/T 18904.2-2002 纤维光学系统或子系统用带/不带纤维光学系统或子系统用带/不带一-GB/T18904.4,或6.1,及调市l条件下5.7. l 中心波长).(1 ) X X nm 在规定的e或r,下(连续工作)5. 7. 2 R.M.S光i曾带宽f,., =, (1 ) X X 1n 在规定的e或,下(连续工作)5.7.3 模距iJ). Xd Xd n盯14 试验分组A2b A2b A2b A2b A2b A2b A2b A2b A3 A2b A2b A2b A2b 飞GB/T 18904.2-2002 表(续特性和条件数值条号带踊尔帖致
7、冷器的激光器模块.Tb=25C 符号单位试验不带础尔帖致冷器的激光器模块T_=25C 分组(除非另有规定)最小值最大值纵模数nm X X A2b 在规定的e或tIF下(连续工作)5. 7. 4 中心波长(2) X X n口】A3 在规定的e或1F及调制条件下5.7.5 R.M.S光i曹带宽LJ.=. (2) x X n自】A3 在规定的e或Ie及调制条件下5. 8. l 光i营线宽AL X nm A2b 在规定的e或th及调M条件下5. 8. 2 边模抑制比S此1SX dB A2b 在规定的e或MF及调制条件下5. 9. 1 光谱漂移LJ.c X n口1A2b 在规定的,(1)和,(2)或MF
8、(l)和MF(2)之间5. 9. 2b 光i曹漂移LJ.T X nm A4 在规定的T山(1)和T叫(2)之间5. 10. 1 开关时间在规定的tIe或ti,、输入脉冲电流、脉冲宽度和占空比下2上升时间t, X ns 下降时间t , X ns 延迟时间td on) X ns td(o!f) X ns 或5. 10. 2 截止频率J, MHz A3 在规定的e或1F及调制条件下(GHz) 5. 11 载波躁声比C/N X dB A3 在规定的e或tIe、噪声频率、带宽和调制深度条件下背光二极管z5. 12 暗电流IRW) X nA A2b 在i,=O及规定的VR条件下5. 13 监测电流1M X
9、 X A A2b 在规定的倍或tIF和VR下5 一一J GB/T 18904.2-2002 表(续)特性和条件数值条号带硝尔帖致冷器的激光器模块T.时=25C符+ 工单位试验不带踊尔帖致冷器的激光器模块T=25C 分组(除非另有规定)最小值最大值5. 14 上升时间tr ,PD X ns A3 下降时间If,PD X ns A3 飞在规定的e或t:.T,和V1号下或5. 15 电容Cto!,f叮】X nF(pF) A3 I 在规定的VR及频率下或5. 16 跟踪误差E., X % A2b 在规定的e或t:.1F和VR下,温度范围从TC8SI!或T.呻的最小值到25C和或)5. 17 跟踪误差E
10、R2 X % A2b 在规定的e或t:.T,和V.下,温度范围从25C3IJ规定的T叫或Tarnh最大值热传感器bz 5. 18 电阻R, X X 。A2b 在规定的传感器电流下5. 19 电阻斜率t:.R/R. X X 。/KA3 在规定的传感器电流下,温度范围从T,b()Ii Tb(2)之间热电致冷器bz5.20 致冷器电流IpE X mA(A) A2b 在规定的e或.he下,温度范围从Tcase最小值变到T据最大值所需的5.21 致冷器电压V阳X X V A2b 在规定的e或,.he下,温度从Tcase或T川最小值改变到UTC8S或T时最大值所需的a 第5.6条或第5.7条应作为光谱特性
11、给出.b 如需要时。c 用于单模激光二极管。d 如用时(与应用有关。e t:.1 F 指临界电流之上的正向电流的增量IF-Inma气6 l一一GB/T 18904.2-2002 6 标志除了前面第7J栏(第1章)和(或)GB/T4589. 1的2.5所给出的外,任何其他特殊信息应在这里规定J7 B 订货资料除非另有规定,订购一种具体器件至少需要以下资料:准确的型号;当有关时,带版本号和(或)日期的IECQ详细规范标准;按分规范的3.7规定的质量评定类别g如要求时按分规范的3.6规定的筛选顺序;一一其他细节J试验条件和检验要求在下表中给出试验条件和检验要求,其中所有数值和确切的试验条件,应按照给
12、定型号的要求和按GB/T15651的有关试验的要求规定。表中X表示在详细规范中应规定的数值。当在同一详细规范中包括几种规格的器件时,有关条件和(或)数值应以连续的方式给出,以尽可能避免相同条件和(或)数值的重复。编写详细规范时,应选定可供替换的试验或试验方法。在以下各表中除非另有规定,引用的条号对应于总规范的条号,测试方法引自分规范的3.4。抽样要求,按照适用的质量评定类别,参照或重述分规范的3.7的数值。对于A组,在详细规范中选择AQL或LTPD方案。全部试验都是非破坏性的(3.6.6)检验或试验符号引用标准A1分组外部目检A2a分组不能工作器件A2b分组激光二极管g超阀值的正向Ll h G
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