GB T 11685-2003 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法.pdf

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1、ICS 27.120.01 F 80 华共.导体X导体X王GB/T 11685 2003 代替GBjT8992-1988, GB/T 11685-1989 Measurement procedures for semiconductor X-ray detector system and semiconductor X-ray energy spectrometers 2003-07-07发布 M毫. 中华人民共和国国家质量监督检验检菇总局2004-01-01实施发布GB/T 11685-2003 目次前言. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2、. . . . . . . . . . E 1 范围. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 2 规范性引用文件. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 3 术语和定义. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 4 符号. . . . . . . . . . . . . .

3、. . . . . 4 5 一般原则 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 5. l 被测对象及其性能特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 5. 2 测量设备. . . . . . ., . . . . . . . . . . . . . . . 4 5. 3 测量系统. . . . . . . . . . . . . . . . . 5 5. 4 测量条件. . 5 5. 5 测量要求. . . . . .

4、 6 6 能量分辨率和能谱畸变. . . . 6 6. 1 概述. . . . . 6 6. 2 电噪声的测量. . 6 6. 3 作为放大器时间常数函数的噪声线宽. . . . 8 6. 4 能量分辨率. . . . . . . 8 6. 5 峰谷比和峰尾比.10 7 积分非线性. 11 7. l 脉冲幅度分析法. 11 7. 2 电桥法. . 12 8 计数率效应.12 8. 1 概述.12 8. 2 能谱畸变. 12 8. 3 i昔峰位偏移. 13 8. 4 谱的能量分辨率和谱线形状. 14 8. 5 谱峰计数损失. 14 9 电压变化影响、温度效应和长时间不稳定性. . . . . 1

5、5 9. 1 概述. . 15 9. 2 交流供电电压变化的影响. 15 9. 3 温度效应16 9. 4 长时间不稳定性. 17 10 效率. . 17 10 1 概述. . 17 10. 2 利用玻璃荧光源测量窗衰减(对能量低于5keV的X射线的推荐方法). . 17 10. 3 高能区效率测量. . . . . . . . 20 11 过我效应. . . . . . . . . 23 11. 1 概述. . . . . . 23 11. 2 主放大器增益的恢复时间. . . 23 G/T 11685-2003 附录A(资料性附录)从X能量分辨率计算电噪声近似值的方法. . . . . .

6、 . . . 24 参考文献. . . . . . . . . . . . . . . . . . .,. . . . 25 图l 被测特性的基本测量系统. . . . . . . . . . .,. 5 图2 典型的噪声测量脉冲幅度谱. . . . . . . . . . . . . ., . . . . . . . . 7 图3 用示波器和均方根电压表测噪声的测量系统. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 因4线性的测量和表示. . . . . . . . . . . . . . ., . . . . 12 图5 对计数率

7、效应造成谱畸变的测量系统. . . . . . . . . . . . . . . ,. 13 图6 死时间为td 的系统的输出计数率ro 和输入计数率r2 的关系. 14 因7 用单道分析器测量计数率损失的测量系统. . . . . . . . . 14 图8 作为快速放大器计数率函数所分析的镜K.和K，峰中的计数率. . . . . . . . . . . . . . 15 图9 温度效应的测量系统(以能谱仪为例). . . . . . . . . . . . . . 16 图10 窗厚度测量装置(剖面)示意图. . . . . . . . . . 18 图11 环型55FeX射线放射源、

8、. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 图12 用8 m 镀窗探测器测得的谱. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 图13 用132 m 饭窗探测器测得的i昔. . . . . . . . . . . . . . . 19 图14 典型的扣除本底的谱线图. . . 20 图15 窗指标WE与窗厚关系典型特征图. . . 21 图16 241 Am 放射源低能射线和X

9、射线能i昔图. . . . . 22 图17 高能区的相对效率曲线. . 22 图18 过载脉冲后增益恢复的例子. . . . 23 表1 参考条件和标准试验条件. . . . . 5 表2测量常用放射源. . . . . . . . 9 表3标准玻璃的组分(质量分数). . . . . . 17 表455Fe 放射源激发标准玻璃得到的特征X射线. . . . . . 18 表5241 Am 的衰变数据. . . . . . 20 E 本标准是对GB/T8992-1988硅(银)X射线探测器系统测量方法和GB/T11685一1989半导体X射线能谱仪的测量方法的合并和修订。GB/T8992-1

10、988和GB/T11685-1989均是非等效采用IEC60759: 1983 (见参考文献1J)编制的。本标准代替GB/T8992-1988和GB/T11685-1989, 本标准包括半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法。由于探测器系统的输出必须通过主放大器输入多道分析器，然后在多道分析器上获取X射线能i营方能观察和确定其性能特性，所以探测器系统和能谱仪基本上采用相同的测量方法。本标准既保留了GB/T116851989的完整性和GB/T8992-1988的可操作性，又通过有机地捏合，将两项标准合并为统一的新版本。本标准对GB/T8992-1988和GB/T11685-1989

11、的主要修改如下za) 对半导体X射线探测器系统的测量不限于硅(铿)X射线探测器系统;b) 对半导体X射线能谱仪，测量的是多道分析器上能i昔(全能峰及峰位或谱线)的性能特性;。第3章的术语和定义按物理意义和逻辑关系排列，增加了半导体探测器半导体X射线探测器系统和主放大器等术语，修改了窗、基线、工作距离等术语，删去了门、模拟一数字变换器等简单明了的术语$参考IEC60759增加了第11章过载效应气修改了少量符号，例如，多道分析器的道数(道址)用m，而不用N或X，扩展和充实了第5章一般原则的内容，而测量要求(原基本要求)仅是其中的一条:规范了被测对象、测量设备和测量系统的概念g列出了主要被测的性能特

12、性;一一规定了测量的条件(包括环境条件和放射源等), 一一指出了探测器系统和能谱仪采用相同的测量方法以及细节上的差异.将从X能量分辨率计算电噪声的近似值的内容由正文调整为附录A，规范了章条的标题和内容，例如，将第7章的标题由脉冲幅度线性直接改为积分非线性，第9章的标题由脉冲幅度稳定性改为电压变化影响、温度效应和长时间不稳定性;为提高本标准的可操作性，适应新技术的发展，测量中一般给出通用方法，特别具体的方法则用示例的形式给出s格式按GB/T1. 1-2000等标准的要求编写，在一些条中增加了子条标题，将图和表集中到正文的后面。本标准的附录A是资料性附录。本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会提出

13、。本标准由核工业标准化研究所归口。本标准起草单位g核工业标准化研究所.本标准主要起草人2熊正隆。GB/T 11685-2003 言H前d) 田e) f) g) h) j) GB/T 11685-2003 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法范围本标准规定了半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪主要特性的测量方法。本标准适用于半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪主要性能的测量。2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是

14、否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T 4079-1994 用于电离辐射探测器的放大器和电荷灵敏前置放大器的测试方法(GB/T 4079-1994. neq IEC 61151: 1992. Nuclear instrumentation-Ampliliers and preampliliers used with detector of ionizing radiation-Test procedures) GB/T 4960. 6-1996 核科学技术术语核仪器仪表(GB/T4960. 6-1996. neq IEC 60050 (lEV 50

15、) .International Electrotechnical V ocabulary. Chapter 391-394) 3 3. 1 3.2 3.3 3.4 3.5 术语和定义GB/T 4960. 6确立的以及下列术语和定义适用于本标准。半导体探测器semiconductor deteclor 通常利用核辐射在半导体中产生的过剩自由电荷载流子的运动来探测人射辐射的探测器。GB/T 4960. 6-1996的2.4. lJ 注2本标准中的术语探测器若无特别说明均指半导体探测器.死层(半导体探测器的)dead layer( of semiconductor detector) 半导体探测器

16、中的一个层，粒子在该层内损失的能量的大部分对形成的信号元贡献。GB/T 4960. 6-1996的2.4.26J窗(探测器的)window(ol detector) 探测器中便于让被测辐射穿透过去的部分。GB/T 4960. 6-1996的2.1. 26J 半导体探测器的几何形状geometry of semiconductor detector 在正常工作条件下，半导体探测器的灵敏体积的形状。效率(半导体探测器对单能辐射源的)radiation source) efficiency(of semiconductor detector for mono-energetic l GB/T 116

17、85-2003 半导体探测器测到谱分布中的粒子数与在同一时间间隔内射入探测器有效体积中的该种粒子数的比值。3.6 能量分辨率(半导体探测器的)energy resolution(of semiconductor detector) 半导体探测器对能谱的半高宽(FWHMl的贡献(包括探测器的漏电流噪声1.通常用能量单位表示。3. 7 半高宽(FWHMlfull width at half maximum(FWHMl 在单峰构成的分布曲线上，峰值一半处，曲线上两点的横坐标间的距离。注:如果该曲线由几个峰组成，则每个峰都有一个半高宽.GB/T 4960.6-1996的3.2.20J3.8 十分之一高

18、宽(FWTMlfull width at tenth maximum(FWTMl 在单峰构成的分布曲线上，峰值十分之一处，曲线上两点横坐标间的距离。3.9 半导体X射线探测器系统semiconductor X-ray detector system 利用对X射线灵敏的半导体探测器产生与X射线能量成正比的电信号(电子空穴对的数目)的原理测量X射线的系统。它通常由半导体X射线探测器、低噪声前置放大器和低温真空装置三部分组成，以下简称探测器系统。3. 10 半导体X射线能谱仪semicondudor X-ray energy spectrometer 由探测器系统、探测器偏压电源、主放大器和多道分析

19、器(包括计算机化的多道分析器)组成以测量X射线能量分布的仪器(以下简称能谱仪)。3. 11 3. 12 主放大器main amplifier 成形放大器sbaping amplifier 在放大器系统中，跟在前置放大器之后且包含有脉冲成形网络的放大器。GB/T 4079-1994的3.3J成形网络shaping network 由(一个或几个微分器组成的)高通网络和(几个积分器组成的)低通网络组成的网络。它可以减少(改变)前置放大器输出的脉冲宽度，从而提高其时间分辨率和信号噪声比。GB/T 4079-1994的3.1. lOJ 3. 13 偏置脉冲放大器biased pulse amplifi

20、er 仅对输入脉冲信号超过预定阅值的部分提供放大输出的脉冲放大器.3. 14 多道分析器(MCAlmulti-channel analyzer(MCAl 多于一道的分析器，通常包含有足够多的道数。按照输入信号的一个或多个特性(幅度、时间等)对信号进行分类计数，从而测定其分布函数。GB/T 4960. 6-1996的3.1.23J 2 G/T 11685-2003 3. 15 谙线spectrum line 表示一个人射辐射特性的谱的尖峰部分，通常是指单能辐射的全能峰。3. 16 *底(与半导体探测器谱峰有关的)background(associated with spectral peak f

21、rom semiconduc-tor detector) 3. 17 3. 18 3. 19 3.20 3.21 由待测单能辐射i昔线以外的辐射所引起的非理想谱响应.尾(单能峰的)tail(of mon6- energetic spectral peak) 由待测的单能辐射引起的而又不遵守全能峰i营形(准高斯形)限制的任何峰形畸变.峰位peak position 在脉冲幅度谱中一个峰(谱线)的矩心处的能量或等效量.基线(脉冲峰位处的)baseline(at pulse peak) 无脉冲时，相应脉冲峰位处所具有的电压瞬间值。基线恢复baseline restoration 用于加速电压返回基线

22、的(线性或非线性)技术。积分非线性(lNL)(%) integral non-linearity(lNL) 以最大额定输出脉冲幅度(或多道分析器道数)的百分数表示的、实际响应曲线与理想响应直线间的最大偏差。3.22 噪声线宽noise line-width 喋声对谱峰宽度的贡献。3.23 堆积(计数装置中的)pile- up(in counting assembly) 一个脉冲叠加在前一脉冲的后沿或前沿上，引起脉冲幅度读数不正确。堆积也会使某些脉冲元法分辨。3.24 反堆积pile-up rejection 用于识别和剔除堆积脉冲(信号)的技术。3.25 极-零相i肖pole-zero can

23、cellation 用来消除长持续时间的下冲的一种脉冲成形方法。3.26 标准工作轴线(半导体X射线能谱仪的)standard working axis (of semiconductor X-ray energy spectrometer) 通过探测器人射窗中心，且垂直于人射窗的一条直线.3 GB/T 11685-2003 3.27 工作距离working distance X射线放射源与探测器(入射)最外层窗之间沿标准工作轴线的距离。4 符号本章列出与探测器系统和能谱仪有关的符号，但不包括第3章中已定义的符号和第6-10章的公式中将说明的符号25 C-测量时脉冲产生器与电路钢合用的校准电容

24、;C，一一探测器电容gcu-一前置放大器的有效输人电容:C，-一前置放大器积分环中的反馈电容，1:F-一一对应能谱仪最大线性输出的能量geoo-均方根噪声电压;m一一多远分析器所担能谐的道(道址); mp一一多道分析;t所拥l能i苦的峰位道(或最高计数道); Nm 多远分析器所测能谱中m道的计数gNp一一多道分析器所测能i告中峰位道峙的计数;R，一一前置放大器中用于释放C，上的电荷以免前置放大器工作点超出动态范围的电阻gRL一一-探测器的负载电阻gVp一一脉冲产生器加在C，上的电压;z。特性阻抗; 与X射线光子相对应的特征波长gr 时间常数。-披原则5. 1 被测对象及其性能特性被测对象是探测

25、器系统或能谱仪，其性能特性由设计决定，应满足产品标准等技术文件的要求。本标准中被测的性能特性是指X射线在多道分析器上所形成能谱的主要特性a) 能量分辨率和能谱畸变;b) 积分非线性;c) 计数率效应，d) 电压变化影响、温度效应和长时间不稳定性se) 效率;。过载效应。注s探测器系统或能谱仪中部件的测量见GB/T4079和参考文献2J，3J.5.2 测量设备测量设备是用于测量被扣l对象的设备，例如，放射源、精密脉冲产生器和示波器等.测量设备应符合标准的有关规定(建议采用标准化的设备).其对应的性能特性应显著优于被测对象，例如，它们对被测对象特性的影响不应大于测量结果的10%，以保证测量结果的准

26、确度和有效性.当测量设备不能满足上述要求时，应采取措施避免它们对测量结果的影响，例如，应采取扣除测量设备所引人误差的方式对最后结果进行修正(见8.2.3.3)。又如，在测量探测器系统的温度效应、长时间不稳定性时，适当调节和密脉冲产生器的输出幅度和主放大器的增益，使其不受温度和时间的影响(详见9.3和9.4) 5. 3 J!量系统完成一项特性测量时，被测对象和测量设备(包括放射源、)总是连接(布置)在一起，构成完整的系4 J G/T 11685-2003 统，称为测量系统，例如，图1所示的系统。黯曹脉冲产生器放射击直示波器-喃司半导体探测器偏压偏置电源C, C, R , 注g用探测器电容代替检验

27、电容，可降低输入端的分布电容.图1被测特性的基本测量系统事进卦析器由于探测器系统的输出必须通过主放大器输入多道分析器、然后在多道分析器上获取X射线能谱方能观察和确定其性能特性，所以探测器系统和能谱仪基本上采用相同的测量方法。测量探测器系统时，探测器偏压电源、主放大器和多道分析器等是测量设备的一部分。测量能谱仪时.组成能谱仪的所有部件(包括多道分析器)均属于被视IJ对象。根据实际情况，探测器系统的测量与能谱仪的测量在细节上略有差别。5.4 测量条件5. 4. 1 环境条件测量应在参考条件或标准试验条件下进行;在对环境条件不产生异议时，也可在正常大气条件下进行.测量电源变化影响或温度效应时，仅该影

28、响量在给定范围变化，其他条件仍保持在参考条件或标准试验条件下。参考条件、标准试验条件和正常大气条件见表1。表1参考条件和标准试验条件影响量参考条件标准试验条件E常大气条件环境温度20 C 18C -22C 15 C -35C 相对湿度65% 50%-75% 45%-75% 大气压强101. 3 kPa 86 kPa-I06 kPa 86 kPa-I06 kPa 交流供电电压UNa (:tI%)UN 交流供电频率50 HZb (土1%)50Hz 交流供电波形正弦波波形总畸变5%环境辐射(空气吸收剂量率O. 1Gy/h 0.25Gy/h 外磁场干扰可忽略小于引起于扰的最低值外界磁感应可忽略小于地磁

29、场引起干扰的2倍放射性污染可忽略可忽略UN为单相电源220V或二相电源380V.当用电池供电时，其电压的变化为额定值的土1%，不考虑纹波。b交流供电频率，特殊情况按产品标准处理。5 G/T 11685-2003 5.4.2 放射源应选用容易得到、具有简单能i苦和尽量包括整个感兴趣能量范围的放射源。推荐表2中的X射线放射源，必要时可补充其他X射线能量的放射源。放射源中的杂质不应对测量结果产生明显影响。5.4.3 其他条件应说明脉冲成形类型和时间常数、探测器偏压、计数率等有关的测量条件。5.5 测量要求5. 5. 1 测量被测对象的性能特性时，半导体探测器和前置放大器的第一级场效应管(FET)等元

30、件应保持在各自规定的低温下。示例z半导体探测器和前置放大器的第一级场效应管(FET)等元件应封装在玲指中，测量各项性能特性时，冷指应保持在液氮的低温下.第一次注入液氮后与开始测量之间应有24h以上的时间(由室温到低温的平衡).以后每次加注液氮，一般需2h后方可测量.5.5.2 测量时应按规定极性在探测器上加偏压，且不应超过最大俯压和偏压的变化率。另外，不应超过照射量和照射量率的额定值、探测器的最高温度及规定的其他技术条件的极限。5.5.3 在任何一项特性测量前应按产品标准等技术文件进行预热。在任何一项或全部特性测量后，测量结果应能在测量精密度范围内重复。5.5.4 应确保电源噪声、接地回路噪声

31、和机械震动等对测量结果无明显影响。5.5.5 不同操作条件或形式下测得的特性不允许出现在同一条曲线或同一张表格中，表达时应以操作条件或形式为参数，用一族曲线来表示。当同一系统在不同操作条件或形式下测量时，其结果可用于进行对比.6 能量分辨率和能谱畸变6. 1 概述测量系统如图1所示.精密脉冲产生器主要用于噪声的测量，应避免使用50Hz的市电作产生器的电源。若将密脉冲产生器模拟探测器信号脉冲，使用时应将脉冲产生器的输出脉冲送到前置放大器的输入端。当测量X射线分辨率时，特别是在高计数率和(或)长脉冲成形时间下进行测量时，应关闭脉冲产生器。测量用主放大器应具有准高斯成形器，且微分、积分时间常数可调;

32、放大器的极零补偿应调整到最佳状态.电路系统若带有基线恢复器应予以说明。6.2 电瞟声的测量6.2. 1 脉冲幅度分布法J1U电噪声6. 2. 1. 1 测量系统脉冲幅度分布法测量噪声的测量系统见图1，图中的精合电容器C，可用探测器自身电容Cd代替，以降低前置放大器输入端的分布电容。测量时，系统的所有部件都应工作在线性范围内。6.2. 1. 2 测量程序将探测器加上规定的偏压并置于合适的X射线放射源(如55Fe的5.9keV锯K，线)的辐照下，调节测量系统增益和脉冲幅度，使X射线峰的半高宽(FWHM)至少为8道，在多道分析器上累计一个谱。移去放射源，用脉冲产生器的输出脉冲代替X射线放射源，调节脉

33、冲产生器的输出幅度，使多道分析器得到的峰位和原先测得的X射线峰位相重合，并使半高宽至少为5道。标定脉冲产生器输出幅度的能量，然后固定脉冲产生器的输出。当脉冲产生器输出脉冲的谱峰的半高宽少于5道时，应增加多道分析器的道数，直到满足要求为止，然后重新进行上面的测量，再次标定脉冲产生器输出幅度的能量。在上述测量条件下，当脉冲产生器等效输出能量为E，和已时，在多道分析器内积累对应的两个峰，其峰位道为mpl和m凹，如图2所示。 GBjT 11685-2003 峰位道的计数成大于4000。FWTM FWIIM -斗惶惶讲一-计量n茸24一4000 迫盘m m 典型的噪声测量脉冲幅度谱图2数据处理6.2.

34、1. 3 电噪声线宽是电子学线路和探测器等对能量分辨率的贡献，即以能量为单位的半高宽或十分之一高宽。首先按公式(1)计算多道分析器的每道等效能量S(能量单位/逍): ( 1 ) 5 = E2 -E, mp2 -1pl 电噪声线宽L1t(以能量单位表示的半高宽)按公式(2)定义E( 2 ) -一/E, -E，飞Ai=S4:=i一一一-1.1飞mP2- mpl J 式中2AI-以道数表示的能谱峰的半高宽FWHM.由制造商给定的内插法求得(见图2)。电噪声线宽。:(以能量单位表示的十分之一高宽)按公式(3)定义2. ( 3 ) /丑-E一、=SX=(一一，l 飞1.p2- mpl I 式中E-以道数

35、表示的能谱峰的十分之一高宽FWTM.由制造商给定的内插法求得(见图2)。当本底较大时，在求能i吉峰的半高宽和十分之一高宽前应先扣除本底。在说明总噪声线宽时，应给出脉冲成形(包括全脉冲宽度)的全部数据例如2CR-RC成形电路，或具有四个2sCR积分和一个2sRC微分的准高斯型电路)。若使用基线恢复和(或)门技术，则应说明它们的性能。用示波器和均方根电压表测电躁声测量系统用示波器和均方根电压表测量电噪声的测量系统如图3所示，在均方根电压表上显示均方根电睐声电压。该均方根电压表的频率响应要求平坦，带宽应扩展到至少为放大器脉冲成形网络频带中心频率的10倍，另外，无论其噪声水平降低到何等程度，放大器的增

36、益均应保持恒定。本测量方法仅适用于一般的能谱仪，不适用于对带有偏置放大器、基线恢复或门控等放大电路的能谱仪，也不适用于测量探测器系统的电噪声。6.2.2 6.2.2.1 7 C_ G/T 11685-2003 偏压00 将由均方根电压表.,Cf R R, r、1;/飞主放大器$逝分析黯一1 |Ce | 前置放大串上_-+ 4 精密脉冲产生器示披器, 直接输出Zo 同步马衰减输出图3用示波器和均方根电压表测噪声的测量系统6.2.2.2 测量程序测量应按6.2.1规定的操作条件和技术要求进行。除了用示波器比较放射源与脉冲产生器的脉冲幅度外，脉冲产生器的归一控制与6.2. 1相同。加入来自脉冲产生器

37、的等效子能量为Ep的脉冲，用示波器测量放大器的输出脉冲幅度为V，。然后关闭脉冲产生器，从电压表中读出均方根噪声电压eno(单位同V，)。6.2.2.3 数据处理电噪声线宽Llc能量单位表示的半高宽)由公式(4)讨费. t1r = 2. 35 X a X eoo (在)式中ga一一对于正弦波刻度的平均读数电压表为1.11，而对真正均方根电压表为1。6.2.3 从X能量分辨率计算电噪声的近似值从X能量分辨率计算电噪声近似值的方法见附录Ao6.3 作为放大器时间常数函敬的噪声线宽 ( 4 ) 由噪声线宽对放大器时间常数所作的曲线，可得到有关牒芦贡献的数据。这条曲线将给出兼顾计数率和能量分辨率的重要信

38、息。用成形时间常数可调的放大器，按6.2. 1所述的方法可进行本测量。测得的结果用噪声线宽对脉冲成形时间常数(以基线恢复之类的其他可能变数为参变量)曲线表示。6.4 能量分辩率6.4. 1 X射线放射源能量分辨率的测量推荐使用表2中放射源的一种。若只在一种能量下测定分辨率，最好用55Fe放射源。5.9keV的钮X射线在放大器喋声展宽与探测器的其他分辨率展宽效应之间将呈现一种合理的兼顾。大于30keV的谱线主要用于铐探测器。为了防止来自反散射辐射的谱畸变，源的衬垫材料的厚度和原子序数应尽可能小。自G/T 11685-2003 表2测量常用放射源放射源能量5.89 keV Mn K.(5. 894

39、 keV) 5S Fe 6.49 keV MnK,(6. 489 keV) 9.44 keV PtL, 11. 25 keV PtL.a 13.94 keV NpL. 2U Am 17.74 keV NpL, 20.78 keV NpLy 26.35 keV Amr 59.54 keV Amr 22.16 keV CdK l09Cd 21. 99 keV Ag K., 88.00 keV Cdr 6.4 keV FeK. 14.4 keV Y 57COb 122.0 keV Y 135.0 keV a 日Fd草在作能量宽度和分辨率测量时，应准确到小数点后3位。b 测量汁数率效应时，不采用57CO源.6.4.2 测量系统能量分辨率的测量即用脉冲幅度分布法测X射线能i苦的总线宽，测量系统如图1所示。测量时关断脉冲产生器。放射源应置于标准工作轴线