GB T 11297.12-2012 光学晶体消光比的测量方法.pdf

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1、ICS 31. 140 L 21 道；I:!中华人民共和国国家标准GB/T 11297. 12-2012 代替GB/T11297.12 1989 光学晶体消光比的测量方法Test method for extinction ratio of optical crystal 2012-12-31发布中华人民共和国国家质量监督检验检菇总局中国国家标准化管理委员会2013-06-01实施发布 啕，GB/T门297.12-2012 前本部分按照GB/T1. 1-2009给出的规则起草。本部分代替GB/T11297. 12-1989电光晶体锯酸鲤、磷酸二氢饵和磷酸二筑何消光比的测量方法。本部分与GB/T

2、11297.12-1989相比，主要有如下变动z一一对原部分的名称进行了修改。原部分名称u电光晶体锯酸钮、磷酸二氢饵和磷酸二氧饵消光比的测量方法”改为“光学晶体消光比的测量方法”。本部分还将标准适用范围扩展到采用其他波长测量的单轴和等轴光学晶体z一对原部分测量系统消光比指标进行了修改，原部分测量系统指标为100000 : 1，需配备输出功率较高（P注15mW）的氮氛激光器。现部分测量系统指标修订为50000 : 1，采用输出功率大于2mW的氮氛激光器F一原部分消光比指标表示方法只有：1.本部分增加了分贝表示方法s一本部分增加了将被测晶体置于正交偏光系统中时透射光强取最大值z一一本部分增加了测量

3、系统应采用必要的光屏蔽措施的要求s一一本部分增加了测量环境条件要求z一一本部分增加了被测晶体两通光端面的粗糙度要求z一一本部分增加了测试系统的通光孔径为5mm的规定，供、需双方还可根据样品尺寸协商确定通光孔径的大小z一一本部分增加了光束直径为被测样品直径的90%的规定，供、需双方还可根据样品尺寸协商确定光束直径的大小，本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。本部分由中国电子技术标准化研究所归口。本部分由中国电子科技集团公司第二十六研究所负责起草。本部分主要起草人z谢克诚、金中洪、杨洁、张晓梅。本部分所代替标准的历次版本发布情况为z一一GB/T11297.12-1989. I - r 飞一-

4、VU/ /J f川li/1 J/f ,. . GB/T 11297. 12-2012 光学晶体消光比的测量方法1 范围GB/T 11297的本部分规定了采用波长为632.8 nm的光披沿单轴光学晶体光轴方向消光比的测量方法。本部分适用于采用波长为632.8 nm、tQfi4 nm.,.8.3旦nm、514nm、488nm、458nm的光波对单轴和二二等轴光学晶体的消光比测量。2 规范性引用文件应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，式中zEx一一被测晶体也可用式（2）表示z被测晶体时，透射光强值，通Ex =10 lgO n I h) .( 2 ) 式中消光比Ex的单位为分贝（dB).5 测量系

5、统消光比测量系统示意图如图1所示，采用波长为632.8nm光波的氮氛激光器。采用其他波长的光波测量时，只需更换相应波长的激光器和光功率汁。1 GB/T 11297. 12-2012 7 民fl开4户一说明$1一一氮氧激光器z2一一扩柬准直器33一一可调光栏z4一起偏器z5一一被测品体$6一一检偏器F7一光功率计圄1消光比测量系统示意图6 要求6. 1 测量环境条件要求测量应在以下环境条件下进行za) 温度范围：2228，温度波动z士1sb) 相对湿度：45%70%;c) 气压：86kPa 106 kPa; d) 测量系统应处于元振动、元空气流动的环境中。6.2 测量系统要求测量系统要求如下za

6、) 氮氛激光光源z单横模，输出功率2mW，光源功率的波动应1%;b) 扩束后的光源光束发散角应运3mrad; c) 光功率计z测量精度为lnW，或其他同等精度的仪器sd) 测量系统的通光孔径应为5mm；供、需双方也可根据被测晶体通光面尺寸协商通光孔径的大小ze) 测量系统应采用光屏蔽措施sf) 测量系统的消光比应注50000:1或者注47dB。6.3 被测晶体的加工要求被测晶体的加工技术要求如下za) 定向偏差应5zb) 端面垂直度端面对光轴）的偏差应5$c) 两端面（平面平面的不平行度应30”zd) 两端面的平面度应.4(1l=632.8 nm); e) 两端面的粗糙度应5nm. 7 测量步

7、骤7. 1 测量系统准备测量系统准备要求如下z2 : - . 41 a GB/T 11297. 12-2012 a) 开启系统电源，使氮氧激光光源输出功率的波动满足6.2 a); b) 将光栏调成直径5mm的光束，光束发散角应满足6.2 b); c) 校准系统消光比，使系统消光比满足6.2 f)。7.2 样晶测试样品测试的要求如下za) 将被测晶体置于V形槽上，应避免任何引起晶体受应力的因素sb) 调整光栏，使光束直径为被测样品直径的90%；供、需双方也可根据被测晶体通光面尺寸协商光束直径的大小zc) 调节各光学元件，使之与测量光束同轴F调节V形槽，使晶体光轴与光束同轴zd) 测量前应使被测晶

8、体与环境温度相同；e) 以光轴为轴旋转晶体，测出晶体在正交偏光系统中透射光强的最大值i_;f) 转动检偏器，使测量系统成平行偏光系统，测量透射光强值Iu。7.3 计算将透射光强111和L代人式(1）或式（2），计算出被测晶体的消光比。8 测量准确度本方法的测量准确度为士5%。9 测量报告测量报告应包括下列内容za) 送检单位Fb）检测单位自c) 本部分编号zd）被测晶体编号和尺寸Fe) 测量环境温度和湿度5f) 测量光束直径zg) 测量系统消光比zh）被测晶体消光比zi) 测试者姓名、测试日期sj) 其他。NFONiNFhNFH闰。. . 华人民共和国家标准光学晶体消光比的测量方法GB/T 1

9、1297. 12-2012 国中晤中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013)北京市西城区三星河北街16号(10004日. . 网址www.spc. net. en 总编室1(010)64275323发行中心1(010)51780235读者服务部，（010)68523946中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销” 开本88012301/16 印张0.5字数8千字2013年4月第一版2013年4月第一次印刷* 书号g155066. 1-47044定价14.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话：（010)68510107GB/T 11297. 12-2012 打印日期z2013年5月7日F002A